【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及线路制造领域，特别是涉及一种异构体电互联结构及其制备方法。
技术介绍
1、在电子与通信领域，异构体压合与互联的电路是一种创新性的技术。这项技术的背景可以解释为，传统的电路或者射频设计通常依赖于二维图案，这些图案在平面上实现电路、线路、各类图案及元件等之间的连接和交互。然而，随着电子设备越来越复杂，需要更高的集成度和性能，需要更多的设计灵活性，二维线路设计的局限性逐渐显现出来。
2、目前，三维线路设计也在一些领域得到应用。然而，将三维线路与二维线路进行有效的互联通常面临挑战，这是因为它们具有不同的物理和几何特性。传统的三维线路与二维线路的互联方式是在三维线路与二维线路制备完成后，再通过采用焊锡等焊料进行焊接等的方式将两者连接，但这种后加工模式难以保证加工精度、批次一致性及结构稳定性；另外，这种后加工模式一般采用的是单面焊接的方式，线路的空间集成度较低，集成体积较大；最后，由于焊料焊接的不稳定性和/或单面焊接方式还会限制线路设计的灵活性。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种异构体电互联结构及其制备方法，用于解决现有技术中三维线路与二维线路采用后加工模式实现互联，难以保证加工精度、批次一致性及结构稳定性，另外线路的空间集成度较大以及线路设计的灵活性较低等的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种异构体电互联结构，所述异构体电互联结构包括：第一二维结构及三维结构；
3、所述第一二维
4、所述第一二维结构包括至少一层层压的板状线路层，所述板状线路层包括板状第一绝缘介质层及贴附于所述第一绝缘介质层表面上的二维金属线路，所述二维金属线路至少在其所在的所述第一绝缘介质层的一侧表面上延伸；
5、所述三维结构包括第二绝缘介质层及贴附在所述第二绝缘介质层表面上的三维金属线路，所述三维金属线路至少在所述第二绝缘介质层侧壁表面上沿水平方向及厚度方向延伸；
6、所述三维结构与所述第一二维结构压合连接；
7、相邻两所述板状线路层通过相邻的所述第一绝缘介质层压合连接；
8、所述三维金属线路与所述二维金属线路之间以及相邻的所述二维金属线路之间通过耦合和/或导电孔的方式实现电气连接。
9、可选地，所述三维金属线路朝向与其相邻的所述二维金属线路的一侧顶面设置沿水平方向延伸的凸起。
10、可选地，所述三维结构为整体型结构或分体型结构；当所述三维结构为分体型结构时，通过注塑成型将所有所述分体型结构形成为整体型结构。
11、可选地，所述第一二维结构为印刷电路板或ltcc板或载板。
12、可选地，所述第一绝缘介质层的材料为陶瓷、高分子材料、玻璃及陶瓷与高分子材料的混合物中的一种，所述第二绝缘介质层的材料为陶瓷、高分子材料、玻璃及陶瓷与高分子材料的混合物中的一种。
13、可选地，所述异构体电互联结构为天馈结构，所述天馈结构沿厚度方向由上向下依次包括辐射单元、馈电结构及馈电网络；其中，所述辐射单元及所述馈电网络设置为所述第一二维结构，所述馈电结构设置为所述三维结构。
14、可选地，所述三维结构的所述第二绝缘介质层侧壁上还贴附有电子元器件。
15、可选地，所述异构体电互联结构还包括第二二维结构，且所述第二二维结构也包括至少一层所述板状线路层；其中，所述第二二维结构上设置有沿厚度方向的贯通槽，所述三维结构适配的镶嵌在所述贯通槽中，所述第二二维结构与所述第一二维结构通过相邻的所述第一绝缘介质层压合连接。
16、本专利技术还提供一种异构体电互联结构的制备方法，用于制备如上所述的异构体电互联结构，所述制备方法包括：
17、提供所述三维结构、块状治具，所述块状治具上设置有沿厚度方向的贯通槽；
18、将所述三维结构放入所述块状治具的所述贯通槽中，并将所述三维结构与所述贯通槽整体化；
19、于所述三维结构沿厚度方向上的至少一侧表面压合所述第一二维结构，形成所述异构体电互联结构；其中，所述三维结构与所述第一二维结构压合连接，相邻两所述板状线路层通过相邻的所述第一绝缘介质层压合连接，所述三维金属线路与所述二维金属线路之间以及相邻的所述二维金属线路之间通过耦合和/或导电孔的方式实现电气连接。
20、可选地，所述块状治具沿厚度方向依次包括上表面耗材、治具框架及下表面耗材；所述上表面耗材及所述下表面耗材分别固定在所述治具框架的上表面和下表面。
21、本专利技术还提供再一种异构体电互联结构的制备方法，用于制备如上所述的异构体电互联结构，所述制备方法包括：
22、提供所述三维结构、所述第二二维结构，所述第二二维结构上设置有沿厚度方向的贯通槽；
23、将所述三维结构放入所述第二二维结构的所述贯通槽中，并将所述三维结构与所述贯通槽整体化；
24、于所述三维结构沿厚度方向上的至少一侧表面压合所述第一二维结构，形成所述异构体电互联结构；其中，所述第二二维结构与所述第一二维结构通过相邻的所述第一绝缘介质层压合连接，所述三维结构与所述第一二维结构压合连接，相邻两所述板状线路层通过相邻的所述第一绝缘介质层压合连接，所述三维金属线路与所述二维金属线路之间以及相邻的所述二维金属线路之间通过耦合和/或导电孔的方式实现电气连接。
25、可选地，当所述三维结构为整体型结构，且所述三维结构放入所述块状治具的所述贯通槽中后，所述三维结构与该贯通槽之间具有空隙时，于所述空隙中插入活动拼块，以实现所述三维结构与该贯通槽的整体化；当所述三维结构为整体型结构，且所述三维结构放入所述第二二维结构的所述贯通槽中后，所述三维结构与该贯通槽之间具有空隙时，通过对该空隙进行注塑成型，以实现所述三维结构与该贯通槽的整体化；当所述三维结构为分体型结构，且分体型结构的所述三维结构放入所述块状治具的所述贯通槽或所述第二二维结构的所述贯通槽中后，所述贯通槽中具有间隙时，通过对该间隙进行注塑成型，以实现所述三维结构与所述贯通槽的整体化。
26、可选地，所述三维结构采用激光直接成型结构lds制造工艺制备或激光分离成型结构制造工艺制备或双色注塑镀金属成型结构制造工艺制备；其中，所述激光分离成型结构制造工艺包括：
27、制备所述第二绝缘介质层；
28、于所述第二绝缘介质层的整个表面形成金属层；
29、采用激光束烧蚀所述金属层，烧蚀深度不小于所述金属层的厚度，形成隔离沟，所述隔离沟将所述金属层划分为电路区域及非电路区域，所述电路区域为所述三维结构的所述三维金属线路所在区域；
30、采用电镀工艺仅加厚所述电路区域所述金属层的厚度；
31、采用湿法腐蚀工艺去除所述非电路区域的所述金属层，从而所述电路区域剩余的所述金属层形成为所述三维金属线路。
32、可选地，于所述三维结构沿厚度本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种异构体电互联结构，其特征在于，所述异构体电互联结构包括：第一二维结构及三维结构；
2.根据权利要求1所述的异构体电互联结构，其特征在于：所述三维金属线路朝向与其相邻的所述二维金属线路的一侧顶面设置沿水平方向延伸的凸起。
3.根据权利要求1所述的异构体电互联结构，其特征在于：所述三维结构为整体型结构或分体型结构；当所述三维结构为分体型结构时，通过注塑成型将所有所述分体型结构形成为整体型结构。
4.根据权利要求1所述的异构体电互联结构，其特征在于：所述第一二维结构为印刷电路板或LTCC板或载板。
5.根据权利要求1所述的异构体电互联结构，其特征在于：所述第一绝缘介质层的材料为陶瓷、高分子材料、玻璃及陶瓷与高分子材料的混合物中的一种，所述第二绝缘介质层的材料为陶瓷、高分子材料、玻璃及陶瓷与高分子材料的混合物中的一种。
6.根据权利要求1所述的异构体电互联结构，其特征在于：所述异构体电互联结构为天馈结构，所述天馈结构沿厚度方向由上向下依次包括辐射单元、馈电结构及馈电网络；其中，所述辐射单元及所述馈电网络设置为所述第一二维
7.根据权利要求1所述的异构体电互联结构，其特征在于：所述三维结构的所述第二绝缘介质层侧壁上还贴附有电子元器件。
8.根据权利要求1所述的异构体电互联结构，其特征在于：所述异构体电互联结构还包括第二二维结构，且所述第二二维结构也包括至少一层所述板状线路层；其中，所述第二二维结构上设置有沿厚度方向的贯通槽，所述三维结构适配的镶嵌在所述贯通槽中，所述第二二维结构与所述第一二维结构通过相邻的所述第一绝缘介质层压合连接。
9.一种异构体电互联结构的制备方法，用于制备如权利要求1所述的异构体电互联结构，其特征在于，所述制备方法包括：
10.根据权利要求9所述的异构体电互联结构的制备方法，其特征在于：所述块状治具沿厚度方向依次包括上表面耗材、治具框架及下表面耗材；所述上表面耗材及所述下表面耗材分别固定在所述治具框架的上表面和下表面。
11.一种异构体电互联结构的制备方法，用于制备如权利要求8所述的异构体电互联结构，其特征在于，所述制备方法包括：
12.根据权利要求9或11所述的异构体电互联结构的制备方法，其特征在于：当所述三维结构为整体型结构，且所述三维结构放入所述块状治具的所述贯通槽中后，所述三维结构与该贯通槽之间具有空隙时，于所述空隙中插入活动拼块，以实现所述三维结构与该贯通槽的整体化；当所述三维结构为整体型结构，且所述三维结构放入所述第二二维结构的所述贯通槽中后，所述三维结构与该贯通槽之间具有空隙时，通过对该空隙进行注塑成型，以实现所述三维结构与该贯通槽的整体化；当所述三维结构为分体型结构，且分体型结构的所述三维结构放入所述块状治具的所述贯通槽或所述第二二维结构的所述贯通槽中后，所述贯通槽中具有间隙时，通过对该间隙进行注塑成型，以实现所述三维结构与所述贯通槽的整体化。
13.根据权利要求9或11所述的异构体电互联结构的制备方法，其特征在于：所述三维结构采用激光直接成型结构LDS制造工艺制备或激光分离成型结构制造工艺制备或双色注塑镀金属成型结构制造工艺制备；其中，所述激光分离成型结构制造工艺包括：
14.根据权利要求9或11所述的异构体电互联结构的制备方法，其特征在于：于所述三维结构沿厚度方向上的至少一侧表面压合所述第一二维结构过程中采用PCB工艺或LTCC工艺或载板工艺。
15.根据权利要求9或11所述的异构体电互联结构的制备方法，其特征在于：形成所述异构体电互联结构后还包括对所述异构体电互联结构的外表面进行防氧化处理。
16.根据权利要求9或11所述的异构体电互联结构的制备方法，其特征在于：所述二维金属线路及所述三维金属线路的材料为铜。
...【技术特征摘要】
1.一种异构体电互联结构，其特征在于，所述异构体电互联结构包括：第一二维结构及三维结构；
2.根据权利要求1所述的异构体电互联结构，其特征在于：所述三维金属线路朝向与其相邻的所述二维金属线路的一侧顶面设置沿水平方向延伸的凸起。
3.根据权利要求1所述的异构体电互联结构，其特征在于：所述三维结构为整体型结构或分体型结构；当所述三维结构为分体型结构时，通过注塑成型将所有所述分体型结构形成为整体型结构。
4.根据权利要求1所述的异构体电互联结构，其特征在于：所述第一二维结构为印刷电路板或ltcc板或载板。
5.根据权利要求1所述的异构体电互联结构，其特征在于：所述第一绝缘介质层的材料为陶瓷、高分子材料、玻璃及陶瓷与高分子材料的混合物中的一种，所述第二绝缘介质层的材料为陶瓷、高分子材料、玻璃及陶瓷与高分子材料的混合物中的一种。
6.根据权利要求1所述的异构体电互联结构，其特征在于：所述异构体电互联结构为天馈结构，所述天馈结构沿厚度方向由上向下依次包括辐射单元、馈电结构及馈电网络；其中，所述辐射单元及所述馈电网络设置为所述第一二维结构，所述馈电结构设置为所述三维结构。
7.根据权利要求1所述的异构体电互联结构，其特征在于：所述三维结构的所述第二绝缘介质层侧壁上还贴附有电子元器件。
8.根据权利要求1所述的异构体电互联结构，其特征在于：所述异构体电互联结构还包括第二二维结构，且所述第二二维结构也包括至少一层所述板状线路层；其中，所述第二二维结构上设置有沿厚度方向的贯通槽，所述三维结构适配的镶嵌在所述贯通槽中，所述第二二维结构与所述第一二维结构通过相邻的所述第一绝缘介质层压合连接。
9.一种异构体电互联结构的制备方法，用于制备如权利要求1所述的异构体电互联结构，其特征在于，所述制备方法包括：
10.根据权利要求9所述的异构体电互联结构的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：李立忠，满方明，丁娟娟，刘欢喜，
申请(专利权)人：上海安费诺永亿通讯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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