【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及照明设备，更具体地说，它涉及无基板柔性灯丝的生产工艺、无基板柔性灯丝及封装结构。
技术介绍
1、柔性led灯丝光源，具备使用寿命长、功耗低、可挠性性强，灯丝具有一定的弯折度，能够构造不同造型，符合欧美复古照明情节。
2、传统的led封装方式主要是在pi膜(聚酰亚胺)基板上安装芯片，然后通过锡膏等导电材料将芯片贴装在pi膜上预制电路上。作为柔性led灯丝基板的pi膜，存在透光率低、透光发黄、散热差、持续高温(≥110℃)易脆化的问题，导致产品存在双面发光色差大、热传导效率低、光效低等问题。
3、另外倒装芯片的电极占芯片背面面积大，在柔性led灯丝使用的白光倒装芯片尺寸集中在6mil*16mil到10mil*22mil(mil，长度单位密耳，1毫米＝39.3701密耳)，一般电极面积占电极所在面面积的50％，对应的要求pi膜基板焊盘也较大；倒装芯片结构内部设置有反光层、背面镀层等使得光通过反射、折射、吸收等损耗大，导致灯丝背面出光效率低，产品的光效满足不了市场日渐凸显得亮度需求。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供无基板柔性灯丝的生产工艺、无基板柔性灯丝及封装结构，以克服现有的技术中存在的led照明产品双面发光色差大、热传导效率低、光效低的缺点。
2、本专利技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：无基板柔性灯丝的生产工艺，包括：
3、s1、将若干无反光层小电极led芯片按照预定的排列规
4、s2、在所述剥离体上涂布胶水，经过固化后得到包裹无反光层小电极led芯片的第一胶水层；将第一胶水层与剥离体分离，得到裸露有电极的第一胶水层；
5、s3、在第一胶水层上裸露有电极的一面利用溅射镀膜工艺形成导电薄膜，对所述导电薄膜进行蚀刻，得到用于连接电极的线路层；
6、s4、将金属端子的一端与线路层进行焊接，金属端子的另一端延伸到第一胶水层的外部；
7、s5、在第一胶水层上设置有电路层的一面涂布胶水生成第二胶水层，经过固化后得到无基板柔性灯丝蚀刻蚀刻。
8、可选的，所述无反光层小电极led芯片包括：蓝宝石层、n-gan层、n-电极、凸点、mqws层、p-gan层以及p-电极；
9、所述蓝宝石层的底面与n-gan层的顶面固定连接；
10、所述n-gan层的底面的一侧与mqws层的顶面固定连接；
11、所述mqws层的底面与p-gan层的顶面固定连接；
12、所述p-gan层的底面与p-电极的顶面固定连接；
13、所述n-gan层的底面的另一侧与n-电极的顶面固定连接；
14、所述n-电极的底面与凸点的顶面固定连接；
15、所述p-电极的底面以及凸点的底面分别与线路层固定连接。
16、可选的，所述n-电极位于所述无反光层小电极led芯片的底面的第一角；所述p-电极位于无反光层小电极led芯片的底面的第二角；所述第一角与第二角呈对角设置。
17、可选的，所述在第一胶水层上裸露有电极的一面利用溅射镀膜工艺形成导电薄膜，包括：
18、s31、利用气体放电产生正离子；
19、s32、利用电场控制正离子轰击阴极的靶材料，击出靶材料的原子或者分子；
20、s33、在温度小于150℃的环境下，使原子或者分子沉积在第一胶水层上裸露有电极的一面形成导电薄膜。
21、可选的，所述采用湿法蚀刻工艺对所述导电薄膜进行蚀刻，得到用于连接电极的线路层，包括：
22、s34、对所述导电薄膜进行预处理；
23、s35、按照预定的线路设计，在预处理后的导电薄膜上设置用于保护导电薄膜的掩膜层；
24、s36、利用液态化学溶液蚀刻未被掩膜层覆盖的导电薄膜，得到用于连接电极的电路丝以及用于焊接金属端子的焊盘。
25、可选的，所述对所述导电薄膜进行预处理，包括：去除第一胶水层上的颗粒物、有机残留物、无机残留物以及保护层。
26、可选的，还包括：
27、s5、对所述无基板柔性灯丝进行裁切，得到预定宽度的无基板柔性灯丝。
28、一种无基板柔性灯丝，采用上述无基板柔性灯丝的生产工艺制成。
29、一种无基板柔性灯丝的封装结构，包括：第一胶层、第一金属端子、第一焊盘、第一电路丝、无反光层小电极led芯片组、第二电路丝、第二焊盘、第二金属端子以及第二胶层；所述第一金属端子的一端与第一焊盘固定连接；所述第一焊盘与第一电路丝的一端固定连接；所述第一电路丝的另一端与无反光层小电极led芯片的一端串固定连接；所述无反光层小电极led芯片组的另一端与第二电路丝的一端固定连接；所述第二电路丝的另一端与第二焊盘固定连接；所述第二焊盘还与第二金属端子的一端固定连接；所述第一胶层和第二胶层固定连接；第一胶层和第二胶层的内部形成容腔；所述第一金属端子、第一焊盘、第一电路丝、无反光层小电极led芯片组、第二电路丝、第二焊盘以及第二金属端子均容纳在所述容腔的内部；所述第一金属端子的另一端以及第二金属端子的另一端分别延伸到容腔的外部。
30、可选的，所述无反光层小电极led芯片包括：蓝宝石层、n-gan层、n-电极、凸点、mqws层、p-gan层以及p-电极；所述蓝宝石层的底面与n-gan层的顶面固定连接；所述n-gan层的底面的一侧与mqws层的顶面固定连接；所述mqws层的底面与p-gan层的顶面固定连接；所述p-gan层的底面与p-电极的顶面固定连接；所述n-gan层的底面的另一侧与n-电极的顶面固定连接；所述n-电极的底面与凸点的顶面固定连接；所述p-电极的底面以及凸点的底面分别与线路层固定连接。
31、综上所述，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术的柔性灯丝封装结构可以有效提高led的出光效率，减小芯片电极、或者芯片反光层的影响，满足市场对于高亮度、高色温led的需求。其次，本专利技术的封装方式无需使用基板，可以降低生产成本，同时也使得led的形状和尺寸设计更加灵活，还能够避免基板对光线的传播造成遮挡作用，满足市场对于个性化led产品的需求。最后，本专利技术的制作工艺简化了用锡膏固晶、回流焊焊接led芯片的过程，降低了制造工序和成本，提高产品质量稳定性，满足市场对于高品质电子产品的需求。
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1.无基板柔性灯丝的生产工艺，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的无基板柔性灯丝的生产工艺，其特征在于，所述无反光层小电极LED芯片包括：蓝宝石层、n-GaN层、n-电极、凸点、MQWs层、p-GaN层以及p-电极；
3.根据权利要求2所述的无基板柔性灯丝的生产工艺，其特征在于，所述n-电极位于所述无反光层小电极LED芯片的底面的第一角；所述p-电极位于无反光层小电极LED芯片的底面的第二角；所述第一角与第二角呈对角设置。
4.根据权利要求1所述的无基板柔性灯丝的生产工艺，其特征在于，所述在第一胶水层上裸露有电极的一面利用溅射镀膜工艺形成导电薄膜，包括：
5.根据权利要求4所述的无基板柔性灯丝的生产工艺，其特征在于，所述对所述导电薄膜进行蚀刻，得到用于连接电极的线路层，包括：
6.根据权利要求1所述的无基板柔性灯丝的生产工艺，其特征在于，所述对所述导电薄膜进行预处理，包括：去除第一胶水层上的颗粒物、有机残留物、无机残留物以及保护层。
7.根据权利要求1所述的无基板柔性灯丝的生产工艺，其特征在于，还包括
8.一种无基板柔性灯丝，其特征在于，采用如权利要求1-7中任意一项所述的无基板柔性灯丝的生产工艺制成。
9.一种无基板柔性灯丝的封装结构，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的一种无基板柔性灯丝的封装结构，其特征在于，所述无反光层小电极LED芯片包括：蓝宝石层、n-GaN层、n-电极、凸点、MQWs层、p-GaN层以及p-电极；
...【技术特征摘要】
1.无基板柔性灯丝的生产工艺，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的无基板柔性灯丝的生产工艺，其特征在于，所述无反光层小电极led芯片包括：蓝宝石层、n-gan层、n-电极、凸点、mqws层、p-gan层以及p-电极；
3.根据权利要求2所述的无基板柔性灯丝的生产工艺，其特征在于，所述n-电极位于所述无反光层小电极led芯片的底面的第一角；所述p-电极位于无反光层小电极led芯片的底面的第二角；所述第一角与第二角呈对角设置。
4.根据权利要求1所述的无基板柔性灯丝的生产工艺，其特征在于，所述在第一胶水层上裸露有电极的一面利用溅射镀膜工艺形成导电薄膜，包括：
5.根据权利要求4所述的无基板柔性灯丝的生产工艺，其特征在于，所述对...
【专利技术属性】
技术研发人员：林成通，翁欣强，王爱民，
申请(专利权)人：浙江英特来光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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