【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，尤其涉及一种显示面板。
技术介绍
1、micro-led(micro-light emitting diode display，微发光二极管显示器)显示是将传统led微缩化后形成微米级间距led阵列以达到超高密度像素分辨率。micro-led显示具备自主发光的特性，相比oled(organic light emitting display，有机发光半导体)和lcd(liquid crystal display，液晶显示)显示，micro-led显示色彩更容易准确的调试，有更长的发光寿命和更高的亮度，同时更具轻薄及省电优势。由于其高密度小尺寸超多像素的特点，micro-led显示将成为以高真实度，互动和个性化显示为主要特点的第三代显示技术的引领者。
2、目前，micro-led彩色化显示一般通过金属有机化学气相沉积在gan基底上进行外延生长，再通过芯片焊接、晶片焊接或薄膜转移等方式键接在驱动电路基板上形成显示像素。在彩色化技术方面，可以通过色彩转换法、rgb三色法、光学棱镜合成法以及通过控制led结构和尺寸发射不同波长光等方法实现。但是基于gan(氮化镓)形成的micro-led显示面板需要对膜层进行图形化以得到所需的像素结构，图形化导致的侧壁损伤会极大的降低显示面板的出光效率，尤其是当尺寸越小的时候，这种恶化效果越明显，这种效率的急剧降低极大的阻碍了其在超高密度像素分辨率领域的应用。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板中使用纳
2、本申请实施例提供一种显示面板，包括：
3、衬底；
4、第一子像素以及第二子像素，所述第一子像素以及所述第二子像素均设置在所述衬底上，所述第一子像素与所述第二子像素的颜色不同；
5、所述第一子像素包括多个第一半导体发光层组以及透射层，所述多个第一半导体发光层组设置在所述衬底上，所述透射层覆盖于每一所述第一半导体发光层组远离所述衬底的一侧表面；
6、所述第二子像素包括多个第二半导体发光层组以及颜色转换层，所述多个第二半导体发光层组设置在所述衬底上，所述颜色转换层覆盖于每一所述第二半导体发光层组远离所述衬底的一侧表面；
7、其中，所述第一半导体发光层组和/或所述第二半导体发光层组为纳米线材料。
8、在一些实施例中，所述第一半导体发光层组包括n型氮化镓铟层、多量子阱层以及p型氮化镓铟层，所述n型氮化镓铟层设置在所述衬底上，所述多量子阱层设置在所述n型氮化镓铟层远离所述衬底的一侧，所述p型氮化镓铟层设置在所述多量子阱层远离所述衬底的一侧；所述n型氮化镓铟层、所述多量子阱层以及所述p型氮化镓铟层在所述衬底上的投影面积逐渐减小。
9、在一些实施例中，所述第一半导体发光层组为截锥体。
10、在一些实施例中，所述n型氮化镓铟层包括缓冲层、中间氮化镓铟层以及顶层氮化镓铟层，所述缓冲层设置在所述衬底上，所述中间氮化镓铟层设置在所述缓冲层远离所述衬底的一侧，所述顶层氮化镓铟层设置在所述中间氮化镓铟层远离所述衬底的一侧。
11、在一些实施例中，所述显示面板还包括外延片以及选择生长层，所述外延片以及所述选择生长层设置在所述衬底与所述第一子像素和所述第二子像素之间，所述外延片设置在所述衬底上，所述选择生长层设置在所述外延片远离所述衬底的一侧，所述选择生长层上设置有多个第一开口，以显露所述外延片的部分结构；多个所述第一子像素与多个所述第二子像素设置在所述选择生长层远离所述衬底的一侧，多个第一半导体发光层组和多个第二半导体发光层组与多个所述第一开口一一对应。
12、在一些实施例中，所述外延片的材料为n型氮化镓；所述选择生长层的材料为氮化硅、氧化硅或者介电金属氧化物中的至少一种。
13、在一些实施例中，多个所述第一开口阵列排布，相邻所述第一开口的最小距离为20nm到5μm；所述第一开口在与所述外延片所在平面平行方向上的宽度为5nm至500nm。
14、在一些实施例中，所述显示面板还包括绝缘层、导电层、第一电极以及第二电极，所述绝缘层设置在所述第一半导体发光层组远离所述衬底的一侧，所述绝缘层设置有多个第二开口，以显露出每一所述第一半导体发光层组的部分结构，所述导电层设置在所述绝缘层远离所述衬底的一侧，所述导电层与所述第一半导体发光层组连接，所述第一电极与所述导电层连接，所述第二电极与所述外延片连接。
15、在一些实施例中，所述显示面板还包括第三子像素，所述第三子像素设置在所述衬底上，所述第三子像素包括多个第三半导体发光层组以及红色色转换层；所述第一半导体发光层组、所述第二半导体发光层组以及所述第三半导体发光层组为蓝色半导体发光层组，所述颜色转换层为绿色色转换层。
16、在一些实施例中，所述显示面板还包括黑色矩阵，所述黑色矩阵设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间；所述第一子像素至少包括三个第一半导体发光层组，所述第二子像素至少包括三个第二半导体发光层组。
17、本申请实施例提供的显示面板，该显示面板包括衬底、第一子像素以及第二子像素，该第一子像素包括多个第一半导体发光层组以及透射层，透射层覆盖于每一第一半导体发光层组远离衬底的一侧表面，该第二子像素包括多个第二半导体发光层组以及颜色转换层，颜色转换层覆盖于在每一第二半导体发光层组远离衬底的一侧表面。该第一半导体发光层组和/或所述第二半导体发光层组为纳米线材料。可以理解的是，该半导体发光层组为纳米线结构，纳米线结构较为微小且只需要层叠排布就能够满足像素结构的形状设置，可以避免对半导体发光层组中的膜层进行图形化处理带来的侧壁损伤，进而提升显示面板的出光效率。并且颜色转换层设置在每一所述第二半导体发光层组远离衬底的一侧表面，增加了颜色转换层与第二半导体发光层的接触面积，从而提升了转换效率，有利于提高发光效率。
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1.一种显示面板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一半导体发光层组包括n型氮化镓铟层、多量子阱层以及p型氮化镓铟层，所述n型氮化镓铟层设置在所述衬底上，所述多量子阱层设置在所述n型氮化镓铟层远离所述衬底的一侧，所述p型氮化镓铟层设置在所述多量子阱层远离所述衬底的一侧；所述n型氮化镓铟层、所述多量子阱层以及所述p型氮化镓铟层在所述衬底上的投影面积逐渐减小。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一半导体发光层组为截锥体。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述n型氮化镓铟层包括缓冲层、中间氮化镓铟层以及顶层氮化镓铟层，所述缓冲层设置在所述衬底上，所述中间氮化镓铟层设置在所述缓冲层远离所述衬底的一侧，所述顶层氮化镓铟层设置在所述中间氮化镓铟层远离所述衬底的一侧。
5.根据权利要求1至4任一项所述的显示面板，其特征在于，还包括外延片以及选择生长层，所述外延片以及所述选择生长层设置在所述衬底与所述第一子像素和所述第二子像素之间，所述外延片设置在所述衬底上，所述选择生长层设置在
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述外延片的材料为n型氮化镓；所述选择生长层的材料为氮化硅、氧化硅或者介电金属氧化物中的至少一种。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，多个所述第一开口阵列排布，相邻所述第一开口的最小距离为20nm到5μm；所述第一开口在与所述外延片所在平面平行方向上的宽度为5nm至500nm。
8.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，还包括绝缘层、导电层、第一电极以及第二电极，所述绝缘层设置在所述第一半导体发光层组远离所述衬底的一侧，所述绝缘层设置有多个第二开口，以显露出每一所述第一半导体发光层组的部分结构，所述导电层设置在所述绝缘层远离所述衬底的一侧，所述导电层与所述第一半导体发光层组连接，所述第一电极与所述导电层连接，所述第二电极与所述外延片连接。
9.根据权利要求1至4任一项所述的显示面板，其特征在于，还包括第三子像素，所述第三子像素设置在所述衬底上，所述第三子像素包括多个第三半导体发光层组以及红色色转换层；所述第一半导体发光层组、所述第二半导体发光层组以及所述第三半导体发光层组为蓝色半导体发光层组，所述颜色转换层为绿色色转换层。
10.根据权利要求1至4任一项所述的显示面板，其特征在于，还包括黑色矩阵，所述黑色矩阵设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间；所述第一子像素至少包括三个第一半导体发光层组，所述第二子像素至少包括三个第二半导体发光层组。
...【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一半导体发光层组包括n型氮化镓铟层、多量子阱层以及p型氮化镓铟层，所述n型氮化镓铟层设置在所述衬底上，所述多量子阱层设置在所述n型氮化镓铟层远离所述衬底的一侧，所述p型氮化镓铟层设置在所述多量子阱层远离所述衬底的一侧；所述n型氮化镓铟层、所述多量子阱层以及所述p型氮化镓铟层在所述衬底上的投影面积逐渐减小。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一半导体发光层组为截锥体。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述n型氮化镓铟层包括缓冲层、中间氮化镓铟层以及顶层氮化镓铟层，所述缓冲层设置在所述衬底上，所述中间氮化镓铟层设置在所述缓冲层远离所述衬底的一侧，所述顶层氮化镓铟层设置在所述中间氮化镓铟层远离所述衬底的一侧。
5.根据权利要求1至4任一项所述的显示面板，其特征在于，还包括外延片以及选择生长层，所述外延片以及所述选择生长层设置在所述衬底与所述第一子像素和所述第二子像素之间，所述外延片设置在所述衬底上，所述选择生长层设置在所述外延片远离所述衬底的一侧，所述选择生长层上设置有多个第一开口，以显露所述外延片的部分结构；多个所述第一子像素与多个所述第二子像素设置在所述选择生长层远离所述衬底的一侧，多个第一半导体发光层组和多个第二半导体发光层组与多个所述第一开口一一对应。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘卫来，孙亮，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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