【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子，特别涉及一种光接收器的接收信号强度指示电路。
技术介绍
1、在光通信领域中，光发送机利用光纤将光信号传递给光接收机，在光接收机中光电二极管负责将光信号转化成相应的电流信号，接收信号强度指示电路(rssi)用于向接收芯片的其他模块或者光通信系统中的控制芯片传送光电二极管所感应的光信号的强度信息。
2、图1是现有技术的接收信号强度指示电路的原理图。如图1所示，光电二极管u0的阴极与p型场效应晶体管m1的漏极连接，p型场效应晶体管m1的输入端为运算放大器u2的正相输入端，电阻r1和电容c1共用一个节点vpd。运算放大器u1和p型场效应晶体管m1形成的环路通过调节p型场效应晶体管m1的栅极电压，使光电二极管u0的阴极的直流电压vpd与运算放大器u1反相输入端电压vref趋同，从而实现为光电二极管u0提供恒定的反向偏置电压的目的。光电二极管u0的阴极通过电阻r1串联电阻r3到地，r1和r3串联的节点接入运算放大器u1的正相输入端，其电压为vfb。vcc通过电阻r2串联电阻r4到地，r2和r4串联的节点的电压为运算放大器u1的参考电压vref。通过晶体管m2可以线性的输出1/m×i1的电流，但运算放大器u1和运算放大器u2所在环路都需要较大的补偿电容。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种光接收器的接收信号强度指示电路，以减小电路中的补偿电容的面积。
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种光接收器的接收信号强度指示电路，包括：
4、驱动晶体管，包括m个并联连接的第一晶体管，m个所述第一晶体管的漏极连接所述光电二极管的阴极，所述第一晶体管的源极连接电压源，用于驱动所述光电二极管，所述驱动晶体管的漏极与所述光电二极管的阴极的连接点构成电压输出点，其中，m≥1；
5、第一运算放大器，所述第一运算放大器的正相输入端连接所述驱动晶体管的漏极，所述第一运算放大器的反相输入端连接从所述电压源接入的第一偏置电阻，所述第一运算放大器的输出端连接所述驱动晶体管的栅极，且所述第一运算放大器的输出端与所述驱动晶体管的栅极的连接点构成模拟控制环路中的高阻点，所述第一运算放大器用于调节所述驱动晶体管的栅极的电压，以向所述光电二极管的阴极提供恒定的反相偏置电压，所述光电二极管的阴极的直流电压与所述第一运算放大器的反相输入端的电压相同；
6、第一电流源和第一电容，所述第一电流源和所述第一电容的一端均连接所述电压输出点，所述第一电流源以及所述第一电容的另一端接地；
7、阻抗，所述阻抗的一端连接所述电压输出点，另一端连接所述高阻点；
8、第一电流复制模块，连接所述电压输出点，包括第七晶体管，用于对所述第一晶体管的漏极电流进行复制，所述第一晶体管的漏极电流为所述第一电流源与(1+1/m)倍的所述光电二极管的直流电流之和，其中，m表示所述第一晶体管的个数；
9、第二运算放大器，所述第二运算放大器的反相输入端连接第二偏置电阻，所述第二运算放大器的正相输入端和输出端均连接所述第一电流复制模块，用于调整所述第一电流复制模块的电压，以使所述第一电流复制模块的第七晶体管的源极与漏极之间的电压与所述第一晶体管的源极与漏极之间的电压相等；
10、第二电流复制模块，连接所述第一电流复制模块的输出端，用于复制所述第一电流复制模块输出的电流，并输出所述光电二极管的正比例直流电流，所述正比例直流电流为所述光电二极管的直流电流的1/m倍，其中,m≥1。
11、可选的，在所述的光接收器的接收信号强度指示电路中，所述第七晶体管的漏极的电流与所述第一晶体管的漏极的电流成正比例；
12、所述第七晶体管的源极连接所述电压输出点，所述第七晶体管的源极与体极连接，所述第七晶体管的漏极连接所述第二运算放大器的正相输入端；
13、所述第一电流复制模块还包括第八晶体管，所述第八晶体管用于对所述第七晶体管的漏极的电流进行复制，所述第八晶体管的漏极连接所述第七晶体管的漏极及所述第二运算放大器的正相输入端，所述第八晶体管的栅极连接所述第二运算放大器的输出端，所述第八晶体管的源极接地。
14、可选的，在所述的光接收器的接收信号强度指示电路中，所述第二电流复制模块包括第九晶体管、第十晶体管、第三十三晶管、第三十四晶体管和和第三十五晶体管，所述第九晶体管的宽长比与所述第八晶体管的宽长比相等，所述第九晶体管的栅极连接第四电容的一端及第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端连接第八晶体管的栅极，其中，所述第九晶体管用于复制所述第八晶体管的漏极的电流；
15、所述第九晶体管的源极接地，所述第九晶体管的漏极连接所述第三十三晶体管的漏极；
16、所述第三十三晶体管的栅极与漏极连接，所述第三十三晶体管的源极连接所述第十晶体管的漏极；
17、所述第十晶体管的栅极与漏极连接，所述第十晶体管的源极与所述第三十五晶体管的源极连接所述电压源；
18、所述第三十五晶体管的漏极与所述第三十四晶体管的源极连接；
19、所述第三十四晶体管的栅极与所述第三十三晶体管的栅极连接，所述第三十四晶体管的漏极输出所述正比例直流电流。
20、可选的，在所述的光接收器的接收信号强度指示电路中，所述第一电流复制模块与所述第二电流复制模块之间设置有低通滤波器，所述低通滤波器包括第三电阻和第四电容，所述第三电阻的一端连接所述第八晶体管的栅极，所述第四电容的一端连接所述第三电阻及所述第九晶体管的栅极，所述第四电容的另一端接地。
21、可选的，在所述的光接收器的接收信号强度指示电路中，所述光接收器的接收信号强度指示电路还包括第二电流源，所述第二电流源的一端连接电压源，另一端连接所述第九晶体管与所述第三十三晶体管的连接点。
22、可选的，在所述的光接收器的接收信号强度指示电路中，所述第一运算放大器包括第二晶体管、第三晶体管、第二十晶体管、第二十一晶体管、第二十二晶体管、第二十三晶体管、第二十四晶体管和第二十五晶体管；
23、所述第二晶体管的源极为所述第一运算放大器的正相输入端，所述第二晶体管的漏极与所述第二十五晶体管的漏极及所述第二十二晶体管的源极连接，所述第二晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极连接；
24、所述第三晶体管的源极连接所述第一偏置电阻，且所述第三晶体管的源极为所述第一运算放大器的反相输入端，所述第三晶体管的漏极与所述第二十四晶体管的漏极及所述第二十三晶体管的源极连接；
25、所述第二十二晶体管的漏极为所述第一运算放大器的输出端，且所述第一运算放大器的输出端与所述第一晶体管的栅极连接，所述第二十二晶体管的漏极还连接所述第二十一晶体管的漏极，所述第二十二晶体管的栅极连接所述第二十三晶体管的栅极；
26、所述第二十三晶体管的源极连接所述第二十四晶体管的漏极，所述第二十三晶体管的漏极连接所述第二十四晶体管的栅极及所述第二十五晶本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于,包括：
2.如权利要求1所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述第七晶体管的漏极的电流与所述第一晶体管的漏极的电流成正比例；
3.如权利要求2所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述第二电流复制模块包括第九晶体管、第十晶体管、第三十三晶管、第三十四晶体管和和第三十五晶体管，所述第九晶体管的宽长比与所述第八晶体管的宽长比相等，所述第九晶体管的栅极连接第四电容的一端及第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端连接第八晶体管的栅极，其中，所述第九晶体管用于复制所述第八晶体管的漏极的电流；
4.如权利要求3所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述第一电流复制模块与所述第二电流复制模块之间设置有低通滤波器，所述低通滤波器包括第三电阻和第四电容，所述第三电阻的一端连接所述第八晶体管的栅极，所述第四电容的一端连接所述第三电阻及所述第九晶体管的栅极，所述第四电容的另一端接地。
5.如权利要求4所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述光接收器的接收信
6.如权利要求1所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述第一运算放大器包括第二晶体管、第三晶体管、第二十晶体管、第二十一晶体管、第二十二晶体管、第二十三晶体管、第二十四晶体管和第二十五晶体管；
7.如权利要求6所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述接收信号强度指示电路还包括第八电流源和第十九晶体管，所述第八电流源用于向所述第一运算放大器提供偏置电流，所述第八电流源包括第二十六晶体管，所述第二十六晶体管的栅极与所述第十九晶体管的栅极连接，所述第二十六晶体管的漏极与所述第一运算放大器的正相输入端连接，所述第二十六晶体管的源极连接所述电压源。
8.如权利要求2所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述第二运算放大器包括第二十八晶体管、第二十九晶体管、第三十一晶体管和第三十二晶体管；
9.如权利要求7所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述光接收器的接收信号强度指示电路还包括第三十晶体管和第二偏置电阻，所述第三十晶体管的源极连接所述电压源，所述第三十晶体管的漏极连接所述第二运算放大器的正相输入端，所述第二偏置电阻的一端连接所述电压源，所述第二偏置电阻的另一端连接所述第二运算放大器的反相输入端。
10.如权利要求7所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，还包括第三电流源和第五电流源，所述第三电流源的一端连接电压源，另一端连接所述第五电流源；
11.如权利要求8所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述光接收器的信号强度指示电路还包括位于同一支路的第六电流源和第十九晶体管，所述第六电流源用于向所述第一运算放大器提供偏置电流，所述第六电流源包括第十五晶体管和第五晶体管；
12.如权利要求7所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述光接收器的接收信号强度指示电路还包括位于同一支路的第九电流源、第十四晶体管、第五电阻和第六电阻，所述第六电阻与所述第五电阻串联连接，所述第五电阻连接所述电压源，所述第六电阻连接所述第十四晶体管的源极；
13.如权利要求2所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述光接收器的接收信号强度指示电路还包括第四电流源和第一电阻，所述第四电流源的一端连接所述第七晶体管的栅极，所述第四电流源的另一端接地，所述第一电阻的一端连接至所述第四电流源与所述七晶体管的栅极的连接点，所述第一电阻的另一端连接至所述高阻点，所述第四电流源用于向所述第七晶体管提供偏置电压，以及抽取所述第一运算放大器的输出端的部分电流，其中，所述第四电流源包括串联连接的第十八晶体管和第二十七晶体管。
14.如权利要求2所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述光接收器的接收信号强度指示电路还包括第七电流源、第十六晶体管、第二电阻和第二电容，所述第二电阻的一端连接第十六晶体管的源极，另一端连接所述电压源，所述第七电流源包括串联连接的第十七晶体管和第十四晶体管；所述第十六晶体管的栅极连接所述第三晶体管的栅极，所述第十六晶体管的源极连接所述第二电阻，所述电阻的另一端连接电压源，所述第十六晶体管的漏极连接所述第十七晶体管的漏极；
...【技术特征摘要】
1.一种光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于,包括：
2.如权利要求1所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述第七晶体管的漏极的电流与所述第一晶体管的漏极的电流成正比例；
3.如权利要求2所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述第二电流复制模块包括第九晶体管、第十晶体管、第三十三晶管、第三十四晶体管和和第三十五晶体管，所述第九晶体管的宽长比与所述第八晶体管的宽长比相等，所述第九晶体管的栅极连接第四电容的一端及第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端连接第八晶体管的栅极，其中，所述第九晶体管用于复制所述第八晶体管的漏极的电流；
4.如权利要求3所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述第一电流复制模块与所述第二电流复制模块之间设置有低通滤波器，所述低通滤波器包括第三电阻和第四电容，所述第三电阻的一端连接所述第八晶体管的栅极，所述第四电容的一端连接所述第三电阻及所述第九晶体管的栅极，所述第四电容的另一端接地。
5.如权利要求4所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述光接收器的接收信号强度指示电路还包括第二电流源，所述第二电流源的一端连接电压源，另一端连接所述第九晶体管与所述第三十三晶体管的连接点。
6.如权利要求1所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述第一运算放大器包括第二晶体管、第三晶体管、第二十晶体管、第二十一晶体管、第二十二晶体管、第二十三晶体管、第二十四晶体管和第二十五晶体管；
7.如权利要求6所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述接收信号强度指示电路还包括第八电流源和第十九晶体管，所述第八电流源用于向所述第一运算放大器提供偏置电流，所述第八电流源包括第二十六晶体管，所述第二十六晶体管的栅极与所述第十九晶体管的栅极连接，所述第二十六晶体管的漏极与所述第一运算放大器的正相输入端连接，所述第二十六晶体管的源极连接所述电压源。
8.如权利要求2所述的光接收器的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述第二运算放大器包括第二十八晶体管、第二十九晶体管、第三十一晶体管和第三十二晶体管；
9.如权利要求7所述的光接收器的接收信号强...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文嘉，曹谊，肖家伟，
申请(专利权)人：玏芯科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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