System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体器件和制造具有石墨烯涂覆的互连的半导体封装的方法技术_技高网

半导体器件和制造具有石墨烯涂覆的互连的半导体封装的方法技术

技术编号:41948449 阅读:5 留言:0更新日期:2024-07-10 16:37
本公开涉及半导体器件和制造具有石墨烯涂覆的互连的半导体封装的方法。半导体器件包括第一衬底和第二衬底。石墨烯涂覆的互连设置在第一衬底和第二衬底之间。半导体管芯设置在第一衬底和第二衬底之间。第一衬底通过石墨烯涂覆的互连电耦合到第二衬底。密封剂沉积在第一衬底和第二衬底之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及半导体器件,并且更特别地涉及半导体器件以及制造具有石墨烯涂覆的互连的半导体封装的方法。


技术介绍

1、半导体器件常见于现代电子产品中。半导体器件执行广泛各种的功能,诸如信号处理、高速计算、传输和接收电磁信号、控制电子器件、功率转换、光电以及为电视显示器创建视觉图像。半导体器件见于通信、网络、计算机、娱乐和消费产品的领域中。半导体器件还见于军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公装备中。

2、半导体器件通常包含垂直互连结构以电耦合堆叠的衬底或中介层(interposer)。当今的器件(特别是用于尖端的高带宽应用)由于不断增加的所需的处理量以及对不断缩小的器件的需求,产生显著热量。此外,器件更易经受来自振动和物理冲击的内部应力并且较少被保护免受所述内部应力的影响。半导体封装内的垂直互连必须能够承受由处于小型电子器件内的小型半导体封装中所产生的高温和内部应力。因此,存在对具有改进的散热和硬度的用于互连的先进结构和材料的需要。


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一衬底通过所述石墨烯涂覆的互连电耦合到所述第二衬底。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:凹部,在所述半导体管芯上形成在所述第二衬底中。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:电气部件,附着到所述第二衬底与所述半导体管芯相对。

5.根据权利要求4所述的半导体器件,其中所述电气部件包括第二半导体管芯和第二石墨烯涂覆的互连。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:密封剂,沉积在所述第一衬底和第二衬底之间。

7.一种半导体器件,包括:

8.根据权利要求7所述的半导体器件,还包括:焊料,设置在所述衬底和所述石墨烯涂覆的互连之间。

9.根据权利要求8所述的半导体器件,其中所述焊料在所述石墨烯涂覆的互连上与所述衬底相对延伸。

10.一种制造半导体器件的方法,包括:

11.根据权利要求10所述的方法,还包括:在将所述石墨烯涂覆的互连设置在所述衬底上之前,将焊料涂层设置在所述石墨烯涂覆的互连上。

12.根据权利要求10所述的方法,还包括将电气部件设置在所述衬底上与所述半导体管芯相对。

13.根据权利要求12所述的方法,还包括在所述半导体管芯和电气部件上沉积密封剂。

14.根据权利要求13所述的方法,其中所述电气部件包括第二半导体管芯。

15.根据权利要求13所述的方法,还包括:焊料,设置在所述石墨烯涂覆的互连上并且从所述密封剂暴露。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一衬底通过所述石墨烯涂覆的互连电耦合到所述第二衬底。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:凹部,在所述半导体管芯上形成在所述第二衬底中。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:电气部件,附着到所述第二衬底与所述半导体管芯相对。

5.根据权利要求4所述的半导体器件,其中所述电气部件包括第二半导体管芯和第二石墨烯涂覆的互连。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:密封剂,沉积在所述第一衬底和第二衬底之间。

7.一种半导体器件,包括:

8.根据权利要求7所述的半导体器件,还包括:焊料,设置在所述衬底和所述石墨烯涂覆的互连...

【专利技术属性】
技术研发人员:申容武李喜秀明恩喜
申请(专利权)人:星科金朋私人有限公司
类型:发明
国别省市:

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