【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构的制造方法，且特别是涉及一种可有效地防止光致抗蚀剂毒化(photoresist poisoning)的半导体结构的制造方法。
技术介绍
1、在目前的内连线制作工艺中，会在导电层上形成顶盖层(capping layer)，以防止导电层的材料扩散出去。顶盖层的材料通常为氮化物，且会产生含氮污染物(如，胺(amine))。在光刻制作工艺中，由于含氮污染物会扩散到光致抗蚀剂且与光致抗蚀剂产生化学反应，因此会导致光致抗蚀剂毒化。如此一来，将无法获得具有所需图案的图案化光致抗蚀剂层。因此，如何防止光致抗蚀剂毒化为目前持续努力的目标。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体结构的制造方法，其可有效地防止光致抗蚀剂毒化。
2、本专利技术提出一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。在基底上形成第一介电层。在第一介电层中形成第一导电层。在第一介电层与第一导电层上形成顶盖层。顶盖层的材料为氮化物。形成覆盖顶盖层的扩散阻挡层。扩散阻挡层的材料为富硅氧化物(silicon rich oxide，sro)。在扩散阻挡层上形成第二介电层。在第二介电层中形成开口。开口暴露出扩散阻挡层。在第二介电层上形成图案化光致抗蚀剂层。利用图案化光致抗蚀剂层作为掩模，进行图案化制作工艺，以扩张开口并且暴露出第一导电层。
3、依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体结构的制造方法中，图案化制作工艺可包括利用图案化光致抗蚀剂层作为掩模，移除部分第二介电层、部分扩散
4、依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体结构的制造方法中，扩张后的开口可包括第一开口部与第二开口部。第一开口部可位于扩散阻挡层中以及顶盖层中，且可暴露出第一导电层。第二开口部位于第一开口部上方。第二开口部的宽度可大于或等于第一开口部的宽度。
5、依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体结构的制造方法中，更可包括以下步骤。在第二介电层的顶面上与开口中形成平坦层。图案化光致抗蚀剂层可形成在平坦层上。
6、依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体结构的制造方法中，平坦层的形成方法可为旋转涂布法。
7、依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体结构的制造方法中，平坦层可包括填充层与平坦材料层。平坦层的形成方法可包括以下步骤。在第二介电层的顶面上与开口中形成填充材料层。对填充材料层进行回蚀刻制作工艺，而形成填充层。在第二介电层的顶面上与开口中形成平坦材料层。平坦材料层可连接于填充层。
8、依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体结构的制造方法中，还可包括以下步骤。利用图案化光致抗蚀剂层作为掩模，移除部分平坦层。
9、依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体结构的制造方法中，还可包括以下步骤。在暴露出第一导电层之后，移除图案化光致抗蚀剂层。
10、依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体结构的制造方法中，还可包括以下步骤。在开口中形成第二导电层。第二导电层可电连接于第一导电层。
11、依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体结构的制造方法中，第二导电层可为双镶嵌(dual damascene)结构。
12、本专利技术提出另一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。在基底上形成第一介电层。在第一介电层中形成第一导电层。在第一介电层与第一导电层上形成顶盖层。顶盖层的材料为氮化物。在顶盖层上形成第二介电层。在第二介电层中形成开口。开口暴露出顶盖层。在开口中形成扩散阻挡层。扩散阻挡层覆盖由开口所暴露出的顶盖层。在第二介电层上形成图案化光致抗蚀剂层。利用图案化光致抗蚀剂层作为掩模，进行图案化制作工艺，以扩张开口并且暴露出第一导电层。
13、依照本专利技术的另一实施例所述，在上述半导体结构的制造方法中，图案化制作工艺可包括利用图案化光致抗蚀剂层作为掩模，移除部分扩散阻挡层、部分第二介电层与部分顶盖层。
14、依照本专利技术的另一实施例所述，在上述半导体结构的制造方法中，在移除部分扩散阻挡层之后，残留的扩散阻挡层可在开口的侧壁上形成扩散阻挡间隙壁。
15、依照本专利技术的另一实施例所述，在上述半导体结构的制造方法中，扩张后的开口可包括第一开口部与第二开口部。第一开口部可位于顶盖层中，且可暴露出第一导电层。第二开口部位于第一开口部上方。第二开口部的宽度可大于或等于第一开口部的宽度。
16、依照本专利技术的另一实施例所述，在上述半导体结构的制造方法中，还可包括以下步骤。在第二介电层的顶面上方、扩散阻挡层上与开口中形成平坦层。图案化光致抗蚀剂层可形成在平坦层上。
17、依照本专利技术的另一实施例所述，在上述半导体结构的制造方法中，平坦层的形成方法可为旋转涂布法。
18、依照本专利技术的另一实施例所述，在上述半导体结构的制造方法中，平坦层可包括填充层与平坦材料层。平坦层的形成方法可包括以下步骤。在第二介电层的顶面上方、扩散阻挡层上与开口中形成填充材料层。对填充材料层进行回蚀刻制作工艺，而形成填充层。在第二介电层的顶面上方与开口中形成平坦材料层。平坦材料层可连接于填充层。
19、依照本专利技术的另一实施例所述，在上述半导体结构的制造方法中，还可包括以下步骤。利用图案化光致抗蚀剂层作为掩模，移除部分平坦层。
20、依照本专利技术的另一实施例所述，在上述半导体结构的制造方法中，还可包括以下步骤。在暴露出第一导电层之后，移除图案化光致抗蚀剂层。
21、依照本专利技术的另一实施例所述，在上述半导体结构的制造方法中，还可包括以下步骤。在开口中形成第二导电层。第二导电层可电连接于第一导电层。
22、基于上述，在本专利技术所提出的半导体结构的制造方法中，由于扩散阻挡层覆盖顶盖层，因此可通过扩散阻挡层来阻挡由顶盖层所产生的含氮污染物的扩散。因此，在用以形成图案化光致抗蚀剂层的光刻制作工艺中，可有效地防止光致抗蚀剂毒化。如此一来，可获得具有所需图案的图案化光致抗蚀剂层。
23、为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。
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1.一种半导体结构的制造方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中所述图案化制作工艺包括：
3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中扩张后的所述开口包括：
4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其中所述平坦层的形成方法包括旋转涂布法。
6.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其中所述平坦层包括填充层与平坦材料层，其中所述平坦层的形成方法包括：
7.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，还包括：
8.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括：
9.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括：
10.如权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其中所述第二导电层包括双镶嵌结构。
11.一种半导体结构的制造方法，包括：
12.如权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其中所述图案化制作工艺包括：
13.如权利要求12所述的半导体结构的制造方法，其
14.如权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其中扩张后的所述开口包括：
15.如权利要求11所述的半导体结构的制造方法，还包括：
16.如权利要求15所述的半导体结构的制造方法，其中所述平坦层的形成方法包括旋转涂布法。
17.如权利要求15所述的半导体结构的制造方法，其中所述平坦层包括填充层与平坦材料层，其中所述平坦层的形成方法包括：
18.如权利要求15所述的半导体结构的制造方法，还包括：
19.如权利要求11所述的半导体结构的制造方法，还包括：
20.如权利要求11所述的半导体结构的制造方法，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中所述图案化制作工艺包括：
3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中扩张后的所述开口包括：
4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其中所述平坦层的形成方法包括旋转涂布法。
6.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其中所述平坦层包括填充层与平坦材料层，其中所述平坦层的形成方法包括：
7.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，还包括：
8.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括：
9.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括：
10.如权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其中所述第二导电层包括双镶嵌结构。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：陈国雄，陈雅婷，陈俊达，林昌宗，李世平，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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