【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、封装电子装置的功能增加导致封装的小型化，以适应增加的迹线及裸片着陆区域密度，其中衬底线及空间持续缩小。然而，减小的截面面积可使衬底迹线例如在汽车或工业应用中在应力或场暴露期间更容易受到可靠性问题的影响。衬底迹线裂纹可发生在封装衬底的一或多个衬底层中，例如，通过在温度循环期间具有不同系数或热膨胀(cte)的组件的机械耦合引起的半导体裸片边缘的边缘或侧面处或附近的封装偏转。
技术实现思路
1、在一个方面中，一种电子装置包含多层封装衬底及裸片，其中所述多层封装衬底具有第一及第二层级。所述第二层级包含具有第一导电迹线特征的第一迹线层、接触所述第一导电迹线特征的导电第一通孔，及第一电介质层。所述第二层级包含具有第二导电迹线特征的第二迹线层，所述第二导电迹线特征具有第一及第二部分。所述第一部分具有第一厚度，并且所述第二部分具有侧面及第二厚度，其中所述第二厚度大于所述第一厚度。
2、在另一方面中，一种多层封装衬底具有第一及第二层级。所述第二层级包含具有第一导电迹线特征的第一迹线层、接触所述第一导电迹线特征的导电第一通孔，及第一电介质层。所述第二层级包含具有第二导电迹线特征的第二迹线层，所述第二导电迹线特征具有第一及第二部分。所述第一部分具有第一厚度，并且所述第二部分具有侧面及第二厚度，其中所述第二厚度大于所述第一厚度。
3、在另一方面中，一种方法包含形成在正交的第一及第二方向的第一平面中在核心电介质层的侧面上的第二层级，其中所述第二层级包含具有第一导电迹线
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1.一种电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述第四导电迹线特征具有第一部分及第二部分，所述第四导电迹线特征的所述第一部分具有沿着所述第三方向的第三厚度，所述第四导电迹线特征的所述第二部分具有所述第四导电迹线特征的所述第二侧，所述第四导电迹线特征的所述第二部分具有沿着所述第三方向的第四厚度，所述第四导电迹线特征的所述第二部分的所述侧面背对所述第三平面，并且所述第四厚度大于所述第四导电迹线特征的所述第三厚度。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其中：
5.根据权利要求3所述的电子装置，其中：
6.根据权利要求5所述的电子装置，其中所述第一层级的所述第一区在所述裸片下方。
7.根据权利要求3所述的电子装置，其中：
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
9.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第二导电迹线特征位于接近所述裸片的横向侧的所述第一层级的第一区中。
10.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一层级
11.一种多层封装衬底，其包括：
12.根据权利要求11所述的多层封装衬底，其进一步包括核心电介质层、第三层级及第四层级；其中：
13.根据权利要求12所述的多层封装衬底，其中所述第四导电迹线特征具有第一部分及第二部分，所述第四导电迹线特征的所述第一部分具有沿着所述第三方向的第三厚度，所述第四导电迹线特征的所述第二部分具有所述第四导电迹线特征的所述第二侧，所述第四导电迹线特征的所述第二部分具有沿着所述第三方向的第四厚度，所述第四导电迹线特征的所述第二部分的所述侧面背对所述第三平面，并且所述第四厚度大于所述第四导电迹线特征的所述第三厚度。
14.根据权利要求13所述的多层封装衬底，其中：
15.根据权利要求13所述的多层封装衬底，其中：
16.根据权利要求1所述的多层封装衬底，其中：
17.一种方法，其包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括：
20.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述第一层级包含：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述第四导电迹线特征具有第一部分及第二部分，所述第四导电迹线特征的所述第一部分具有沿着所述第三方向的第三厚度，所述第四导电迹线特征的所述第二部分具有所述第四导电迹线特征的所述第二侧，所述第四导电迹线特征的所述第二部分具有沿着所述第三方向的第四厚度，所述第四导电迹线特征的所述第二部分的所述侧面背对所述第三平面，并且所述第四厚度大于所述第四导电迹线特征的所述第三厚度。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其中：
5.根据权利要求3所述的电子装置，其中：
6.根据权利要求5所述的电子装置，其中所述第一层级的所述第一区在所述裸片下方。
7.根据权利要求3所述的电子装置，其中：
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中：
9.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第二导电迹线特征位于接近所述裸片的横向侧的所述第一层级的第一区中。
10.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一层级包含多个第二导电迹线特征，每个第二导电迹线特征具有相应的第一及第二部分，所述相应的第一部分具有沿...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·M·威廉森，罗春平，铃木裕，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：
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