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具有用于慢平面上的最后状态的增强编程操作的非易失性存储器制造技术

技术编号:41938560 阅读:16 留言:0更新日期:2024-07-05 14:31
为了提高多平面非易失性存储器的编程速度,建议加速针对一个或多个慢平面的最后一个或多个数据状态的编程。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍

1、本公开涉及非易失性存储装置。

2、半导体存储器广泛用于各种电子设备,诸如蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、服务器、固态驱动器、非移动计算设备和其他设备。半导体存储器可以包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接到电源(例如,电池)时,非易失性存储器也允许存储和保留信息。非易失性存储器的一个示例为闪存存储器(例如,nand型闪存存储器和nor型闪存存储器)。

3、非易失性存储器的用户可将数据存储在非易失性存储器中并随后读回该数据。例如,数码相机可拍摄照片并将该照片存储在非易失性存储器中。随后,数码相机的用户可通过使该数码相机从非易失性存储器读取照片来查看该照片。当将数据存储到非易失性存储器时,性能是重要的,因为用户通常不喜欢等待存储器完成编程/写入操作。


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种非易失性存储装置,所述非易失性存储装置包括:

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

3.根据权利要求2所述的非易失性存储装置,其中:

4.根据权利要求2所述的非易失性存储装置,其中:

5.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

6.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

7.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

8.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

9.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

10.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

11.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

12.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

13.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

14.一种方法,所述方法包括:

15.根据权利要求14所述的方法,其中:

16.根据权利要求14所述的方法,其中:

17.根据权利要求14所述的方法,其中:

18.根据权利要求14所述的方法,其中:

19.根据权利要求14所述的方法,其中:

20.一种非易失性存储装置,所述非易失性存储装置包括:

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种非易失性存储装置,所述非易失性存储装置包括:

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

3.根据权利要求2所述的非易失性存储装置,其中:

4.根据权利要求2所述的非易失性存储装置,其中:

5.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

6.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

7.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

8.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

9.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中:

10.根据权利要求1所述的非易失...

【专利技术属性】
技术研发人员:王明张可李靓
申请(专利权)人:西部数据技术公司
类型:发明
国别省市:

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