【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容涉及用于集成电路的终端电阻(on-die termination，odt)。
技术介绍
1、半导体制造技术的进步以及计算机辅助设计工具的进步已经导致集成电路和电子系统的设计和生产在其功能和操作频率方面具有相应的大幅增加。进而，在存储器系统或子系统中需要高速数据传输操作以支持集成电路和电子系统的操作。这些高速数据传输操作使得信号完整性在电子产品设计中成为越来越重要的考虑因素。
2、信号完整性工程的一个方面涉及减少由阻抗不连续性(即阻抗失配)引起的信号反射，特别是对于电子产品的高频操作而言。
技术实现思路
1、本公开内容的各种实施方式改善了具有共同耦接到数据通道的两个或更多个非易失性存储器管芯的非易失性存储器系统或子系统中的信号完整性。此类实施方式使得目标非易失性存储器管芯和非目标非易失性存储器管芯能够同时参与终止数据通道，其中目标管芯和非目标管芯各自提供不同的端接电阻。
2、根据本公开内容的一方面，一种配置存储器系统中的多个存储器管芯中的每个存储器管芯中的终端电阻电路的方法，所述存储器系统包括具有共同耦接的一个或多个焊盘的多个存储器管芯，所述方法包括：由所述多个存储器管芯中的每个存储器管芯确定该存储器管芯是操作的目标还是非目标；由所述多个存储器管芯中的确定其为目标的每个存储器管芯设置第一终端电阻配置值，由所述多个存储器管芯中的确定其为非目标的每个存储器管芯设置第二终端电阻配置值，由每个目标存储器管芯至少部分地基于所述第一终端电阻配置值来配置其对应的终
3、在说明性方法的一些实施方式中，确定包括从存储器控制器(例如，但不限于非易失性存储器控制器)接收一个或多个信号。
4、在说明性方法的一些实施方式中，多个存储器管芯包括闪存管芯。
5、在说明性方法的一些实施方式中，多个存储器管芯包括相变存储器管芯。
6、在说明性方法的一些实施方式中，多个存储器管芯包括其上具有闪存单元和相变存储器单元两者的管芯。
7、在说明性方法的一些实施方式中，第一阻抗和第二阻抗与非易失性双数据速率3(nv-ddr3)规范兼容。
8、在说明性方法的一些实施方式中，第一阻抗和第二阻抗彼此不同。
9、根据本公开内容的另一方面，一种存储器设备包括终端电阻电路，所述终端电阻电路被配置为响应于终端电阻配置值而提供多个端接阻抗中的一个端接阻抗，其中，终端电阻配置值至少部分地基于存储器设备是否是目标和非目标之一。在一些实施方式中，存储器设备是非易失性存储器设备。
10、说明性存储器设备的一些实施方式还包括存储在第一存储器区域中的第一终端电阻配置值和存储在第二存储器区域中的第二终端电阻配置值。
11、在说明性存储器设备的一些实施方式中，第一存储器区域是非易失性的，并且第二存储器区域是非易失性的。
12、在说明性存储器设备的一些实施方式中，第一存储器区域是第一寄存器，并且第二存储器区域是第二寄存器。
13、在说明性存储器设备的一些实施方式中，终端电阻电路被配置为至少部分地响应于存储器设备是目标而提供第一端接阻抗配置，并且终端电阻电路被配置为至少部分地响应于存储器设备是非目标而提供第二端接阻抗配置，其中，第一端接阻抗配置和第二端接阻抗配置彼此不同。在一些实施方式中，存储器设备可以是非易失性存储器设备。
14、在说明性存储器设备的一些实施方式中，存储器设备是闪存设备。
15、在说明性非易失性存储器设备的一些实施方式中，存储器设备是相变存储器设备。
16、根据本公开内容的另一方面，一种系统包括：第一存储器管芯，其具有耦接到设置在第一存储器管芯上的第一终端电阻(odt)电路的第一输入/输出(i/o)焊盘，第二存储器管芯，其具有耦接到设置在第二存储器管芯上的第二odt电路的第二i/o焊盘，其中，第一i/o焊盘和第二i/o焊盘彼此耦接，存储器控制器管芯，其具有第三i/o焊盘，第三i/o焊盘耦接到第一i/o焊盘和第二i/o焊盘，第一odt配置电路，其设置在所述第一存储器管芯上，所述第一odt配置电路被配置为响应于所述第一i/o焊盘是操作的目标而将所述第一odt电路设置为提供第一阻抗值，并且响应于所述第一i/o焊盘是操作的非目标而将所述第一odt电路设置为第二阻抗值，以及第二odt配置电路，其设置在所述第二存储器管芯上，所述第二odt配置电路被配置为响应于所述第二i/o焊盘是所述操作的目标而将所述第二odt电路设置为提供所述第一阻抗值，并且响应于所述第二i/o焊盘是所述操作的非目标而将所述第二odt电路设置为所述第二阻抗值。在一些实施方式中，第一存储器管芯和第二存储器管芯各自是非易失性存储器管芯。
17、在说明性系统的一些实施方式中，第一阻抗值和第二阻抗值彼此不同。
18、在说明性系统的一些实施方式中，第一odt配置电路还被配置为响应于存储在第一存储器管芯上的odt配置数据，设置第一odt电路以提供第一阻抗值或第二阻抗值。
19、在说明性系统的一些实施方式中，第二odt配置电路还被配置为响应于存储在第二存储器管芯上的odt配置数据，设置第二odt电路以提供第一阻抗值或第二阻抗值。
20、在说明性系统的一些实施方式中，第一存储器管芯和第二存储器管芯各自包括闪存。
21、在说明性系统的一些实施方式中，第一存储器管芯和第二存储器管芯各自包括相变存储器。
22、提及这些说明性实施方式不是为了限制或限定本公开内容，而是为了提供示例以帮助理解本公开内容。在具体实施方式中讨论了另外的实施方式，并且在那里提供了进一步的描述。
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1.一种配置终端电阻电路的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个存储器管芯是非易失性存储器管芯，并且确定包括从非易失性存储器控制器接收一个或多个信号。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个存储器管芯包括闪存管芯。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述多个存储器管芯包括相变存储器管芯。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述多个存储器管芯包括其上具有闪存单元和相变存储器单元两者的管芯。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一阻抗和所述第二阻抗与非易失性双数据速率3(NV-DDR3)规范兼容。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一阻抗和所述第二阻抗彼此不同。
8.一种存储器设备，包括：
9.根据权利要求8所述的存储器设备，还包括存储在第一存储器区域中的第一终端电阻配置值和存储在第二存储器区域中的第二终端电阻配置值。
10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中，所述第一存储器区域是非易失性的，并且所述第二存储器区域是非易
11.根据权利要求9所述的存储器设备，其中，所述第一存储器区域是第一寄存器，并且所述第二存储器区域是第二寄存器。
12.根据权利要求9所述的存储器设备，其中，所述终端电阻电路被配置为至少部分地响应于所述存储器设备是目标而提供第一端接阻抗配置，并且所述终端电阻电路被配置为至少部分地响应于所述存储器设备是非目标而提供第二端接阻抗配置；以及
13.根据权利要求12所述的存储器设备，其中，所述存储器设备包括闪存设备。
14.根据权利要求12所述的存储器设备，其中，所述存储器设备包括相变存储器设备。
15.一种系统，包括：
16.根据权利要求15所述的系统，其中，所述第一阻抗值和所述第二阻抗值彼此不同。
17.根据权利要求16所述的系统，其中，所述第一ODT配置电路还被配置为响应于存储在所述第一非易失性存储器管芯上的ODT配置数据，设置所述第一ODT电路以提供所述第一阻抗值或所述第二阻抗值。
18.根据权利要求17所述的系统，其中，所述第二ODT配置电路还被配置为响应于存储在所述第二非易失性存储器管芯上的所述ODT配置数据，设置所述第二ODT电路以提供所述第一阻抗值或所述第二阻抗值。
19.根据权利要求15所述的系统，其中，所述第一非易失性存储器管芯和所述第二非易失性存储器管芯各自包括闪存。
20.根据权利要求15所述的系统，其中，所述第一非易失性存储器管芯和所述第二非易失性存储器管芯各自包括相变存储器。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种配置终端电阻电路的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个存储器管芯是非易失性存储器管芯，并且确定包括从非易失性存储器控制器接收一个或多个信号。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个存储器管芯包括闪存管芯。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述多个存储器管芯包括相变存储器管芯。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述多个存储器管芯包括其上具有闪存单元和相变存储器单元两者的管芯。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一阻抗和所述第二阻抗与非易失性双数据速率3(nv-ddr3)规范兼容。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一阻抗和所述第二阻抗彼此不同。
8.一种存储器设备，包括：
9.根据权利要求8所述的存储器设备，还包括存储在第一存储器区域中的第一终端电阻配置值和存储在第二存储器区域中的第二终端电阻配置值。
10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中，所述第一存储器区域是非易失性的，并且所述第二存储器区域是非易失性的。
11.根据权利要求9所述的存储器设备，其中，所述第一存储器区域是第一寄存器，并且所述第二存储器区域是第二寄存器。
12.根据权利要求9所述的存...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏德波，张黄鹏，宋金泽，梅笑冬，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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