【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置。
技术介绍
1、目前广泛使用的发光器件包括有机电致发光器件(oled)和量子点电致发光器件(qled)等。传统的oled和qled器件结构主要包括阳极、空穴功能层、发光层、电子功能层及阴极。在电场的作用下，发光器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴功能层和电子功能层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
2、目前发光器件中空穴传输和注入性能往往小于电子，从而导致发光器件的发光效率等性能不佳，制约着发光器件在显示
的广泛应用。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种发光器件及其制备方法、显示装置，旨在提高发光器件的发光效率等性能。
2、本申请实施例是这样实现的，提供一种发光器件，包括相对设置的第一电极和第二电极；发光层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间；空穴功能层，设置在所述第一电极与所述发光层之间，其中，所述空穴功能层中包括无机粒子和多金属氧酸盐。
3、可选的，在本申请的一些实施例中，所述无机粒子包括过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种；其中，所述过渡金属氧化物包括nio、moo2、v2o5、cro3、wo3、cuo中的一种或多种；所述金属硫系化合物包括mos2、mose2、ws3、wse3、cus中的一种或多种；和/或，所述无机粒子的平均粒径为5～15nm；和/或，所述多金属氧酸盐包括h3
4、可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，在所述空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层两层结构时，所述空穴注入层靠近所述第一电极设置，所述空穴传输层靠近所述发光层设置，其中，所述空穴传输层包括所述无机粒子和所述多金属氧酸盐；和/或，所述发光器件还包括电子功能层，所述电子功能层设置在所述第二电极与所述发光层之间，所述电子功能层包括电子注入层和/或电子传输层，所述电子功能层包括所述电子注入层和所述电子传输层两层时，所述电子注入层靠近所述第二电极设置，所述电子传输层靠近所述发光层设置.
5、可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴传输层的厚度为20～40nm；和/或，所述空穴注入层的材料包括聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、酞菁铜、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种；其中，所述过渡金属氧化物包括nio、moo2、wo3、cuo中的一种或多种；所述金属硫系化合物包括mos2、mose2、ws3、wse3、cus中的一种或多种；和/或，所述电子传输层的材料包括掺杂或非掺杂无机纳米晶、有机材料中的一种或多种；其中，所述非掺杂无机纳米晶选自zno、tio2、sno2、al2o3、gao、ga2o3、zro2、fe2o3、cro3、wo3、cdo、cuo、moo2、zns、znse、cds、inp、gap、sno2、wo3、ta2o3、hfo3、zrsio4、batio3、bazro3、si3n4中的一种或多种；所述掺杂无机纳米晶中包括所述非掺杂无机纳米晶和掺杂元素，所述掺杂元素选自于mg、ca、li、ga、al、co、in、mn、cd、cs或cu中的一种或多种；所述有机材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇缩丁醛、噁唑类化合物、异噁唑类化合物、三唑类化合物、异噻唑类化合物、噁二唑类化合物、噻二唑类化合物、苝类化合物或铝络合物中的一种或多种；和/或，所述电子注入层的材料包括无机材料和/或有机材料，所述无机材料包括掺杂或非掺杂的氧化锌、氧化钡、氧化铝、氧化镍、氧化钛、氧化锡、氧化钽、氧化锆、氧化镍、氧化钛锂、氧化锌铝、氧化锌锰、氧化锌锡、氧化锌锂、氧化铟锡、硫化镉、硫化锌、硫化钼、硫化钨、硫化铜、锡化锌、磷化铟、磷化镓、硫化铜铟、硫化铜镓、钛酸钡中的一种或多种，掺杂的元素包括铝、镁、锂、锰、钇、镧、铜、镍、锆、铈、钆中的一种或多种；所述有机材料包括喹喔啉化合物、咪唑类化合物、三嗪类化合物，含芴类化合物、羟基喹啉化合物中的一种或多种；和/或，所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点中的一种或多种，其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的tbpe荧光材料、发绿色光的ttpa荧光材料、发橙色光的tbrb荧光材料及发红色光的dbp荧光材料中的至少一种；所述量子点选自单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins、cuinse及agins中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，
5.一种发光器件的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一电极或所述发光层上设置复合材料前驱体，形成空穴功能层，包括：
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，
11.根据权利要求5-10任一项所述的制备方法，其特征在于，
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的发光器件，或者包括权利要求5-11任一项所述的发光器件的制备方法制备得到的发光器件。
【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，
5.一种发光器件的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一电极或所述发光层上设置复合材料前驱体，形成空穴功能层，包括：
7.根据权利要求6所...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭煜林，吴龙佳，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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