【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种薄膜及其制备方法、发光器件及其制备方法、显示装置。
技术介绍
1、目前制备纳米或微米等微小尺寸的无机颗粒通常有很多方法，而溶胶-凝胶法由于工艺简单且成本低廉而广泛使用，但通过此法制备的无机颗粒的表面存在较多缺陷，比如氧空位缺陷等，从而影响无机颗粒的性能。而为了减少甚至消除这些缺陷，通常可以对制备得到的无机颗粒的表面进行配体交换，以通过目标配体对无机颗粒的表面进行修改，提高无机颗粒的性能。
2、但如何提高配体的交换效率，如何促进目标配体连接至无机颗粒的表面以减少缺陷，提高无机颗粒的性能，成为无机颗粒应用的一大关键问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种薄膜及其制备方法、发光器件及其制备方法、显示装置，旨在改善配体交换效率，提高无机颗粒的性能。
2、本申请实施例是这样实现的，提供一种薄膜的制备方法，包括：提供第一膜层，所述第一膜层包括无机颗粒，所述无机颗粒上连接有第一配体；在第一预设时间段将所述第一膜层置于第一气氛中进行第一处理，在第二预设时间段对所述第一膜层施加紫外光照射进行第二处理，得到薄膜；其中，所述第一气氛中包含目标配体。
3、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一气氛由所述目标配体的气体组成；和/或所述第一气氛中，所述目标配体的蒸气压为1～10atm；和/或所述紫外光照射处理的功率为1～5000mw；和/或所述第一预设时间段为5～3600s；和/或所述第二预设时间段为5～3600s；和/或所述第二预设
4、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一预设时间段与所述第二预设时间段重合的时间为第三预设时间，所述第三预设时间大于0s且小于等于3600s；和/或所述第二处理结束之后，间隔第四时间开始进行所述第一处理，所述第四时间大于0且小于等于60s。
5、可选的，在本申请的一些实施例中，所述无机颗粒包括金属氧化物、掺杂金属氧化物、ii-vi族半导体材料、iii-v族半导体材料及i-iii-vi族半导体材料中的至少一种，所述金属氧化物选自zno、bao、tio2、sno2中的至少一种；所述掺杂金属氧化物中的金属氧化物选自zno、tio2、sno2中的至少一种，掺杂元素选自al、mg、li、in、ga、co、mn中的至少一种，所述ii-vi族半导体材料选自zns、znse、cds中的至少一种；所述iii-v族半导体材料选自inp、gap中的至少一种；所述i-iii-vi族半导体材料选自cuins、cugas中的至少一种；和/或所述无机颗粒包括lif，lif/yb、mgp，mgf2，al2o3、ga2o3、zno、cs2co3、rb2co3、rbbr中的一种；和/或所述无机颗粒包括所述量子点选自单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins、cuinse及agins中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中的至少一种；所述钙钛矿型半导体材料选自掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为amx3，其中a为cs+离子，m为二价金属阳离子，选自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一种，x为卤素阴离子，选自cl-、br-、i-中的至少一种；所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为bmx3，其中b为有机胺阳离子，选自ch3(ch2)n-2nh3+或[nh3(ch2)nnh3]2+，其中n≥2，m为二价金属阳离子，选自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一种，x为卤素阴离子，选自cl-、br-、i-中的至少一种；和/或所述无机颗粒包括掺杂或非掺杂的nio、v2o5、cro3、cuo、cus、moo3、mos2、mose2、wo3、ws2、wse2以及cuscn中的一种或多种；和/或所述卤素配体包括氟、氯、溴、碘中的一种或多种；和/或所述胺基类配体包括乙胺、1-辛胺、1,2-丙二胺、1,4-丁二胺，9-十八烯胺、苯胺、对苯二胺、邻苯二胺中的一种或多种；和/或所述巯基类配体包括乙硫醇、辛硫醇、巯基乙胺、3-巯基-1-丙胺中的一种或多种；和/或所述羧基类配体包括丙酸、丁酸、(z)-9-十八烯酸、巯基乙酸中的一种或多种；和/或所述吡啶类配体包括吡啶、甲基吡啶中的一种或多种。
6、可选的，在本申请的一些实施例中，所述提供第一膜层，包括：提供无机颗粒和第一溶剂，混合得到无机颗粒溶液；提供基板，在所述基板上设置所述无机颗粒溶液，形成所述第一膜层。
7、可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述基板上设置所述无机颗粒溶液之后，还包括：干燥处理，以形成固态的所本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述提供第一膜层，包括：
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上设置所述无机颗粒溶液之后，还包括：干燥处理，以形成固态的所述第一膜层；
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一溶剂包括醇类溶剂中的一种或多种；和/或
8.一种薄膜，其特征在于，由权利要求1-7任一项所述的薄膜的制备方法制备得到。
9.一种发光器件，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的发光器件，其特征在于，
11.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的发光器件的制备方法，其特征在于，
13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求9-10任意一项所述的发光器件。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述提供第一膜层，包括：
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上设置所述无机颗粒溶液之后，还包括：干燥处理，以形成固态的所述第一膜层；
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷卉，侯文军，
申请(专利权)人：广东聚华新型显示研究院，
类型：发明
国别省市：
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