【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于动态反偏测试的，具体涉及一种碳化硅功率器件的动态反偏测试方法及测试电路。
技术介绍
1、对功率器件，均按相关标准进行常规检测，其中包括htrb、h3trb和htgs。这些试验对于技术的发布是必不可少的。但这些试验条件不足以确保sic功率器件的所有应用在长期内保持可靠。对于基于sic的功率器件进行的可靠性试验，高运行温度或模压化合物可能对器件在应力作用下的长期稳定性产生额外的影响。因此，需要进行许多超越标准条件(如jedec或aec指南)的应力试验。特别要提到的是，动态应力试验很重要，因为它们可能触发在遵循标准的静态试验中观察不到的失效机制。动态反偏是一个被强烈推荐的针对sic功率器件的应力试验，其预期的失效模式是芯片内部结构因高dv/dt而快速充电导致的老化。
2、关于动态反偏(drb)试验，可参考的信息有限，在已有的公开文献中，也仅给出了试验的相关条件，如标准aqg324中指出，drb的执行有两种方案，主动模式施加dv/dt应力，及被动模式施加dv/dt应力。前者通过本体栅极控制通断实现，后者采用辅助开关器件控制通断实现。
3、公开文献未给出上述试验的实现方法，也无相关拓扑结构。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于克服现有技术的缺点与不足，提供一种碳化硅功率器件的动态反偏测试方法及测试电路，弥补现有动态反偏测试技术中的空缺。
2、为了达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、本专利技术的一个方面，提供了一
4、作为优选的技术方案，所述下桥采样电阻的阻值为100欧姆以内。
5、作为优选的技术方案，还通过被动模式实现动态反偏测试，包括若干路互相并联的半桥拓扑电路以及直流电源；每路半桥拓扑电路均包括：依次串联的上桥采样电阻及上桥被测样品；上桥辅助碳化硅功率器件；依次串联的下桥被测样品及下桥采样电阻；下桥辅助碳化硅功率器件；
6、被动模式的脉冲时序、施加方法与主动模式相同。
7、本专利技术的另一个方面，还提供了一种碳化硅功率器件的动态反偏测试方法，应用于上述的一种碳化硅功率器件的动态反偏测试电路，包括以下步骤：
8、布置测试电路方案，其中待测样品依次通过采样电阻、差分微伏/毫伏放大器、隔离采集模块连接至上位机；
9、上位机通过控制模块控制驱动模块提供栅极驱动输入，其开关频率及占空比根据试验条件设置；
10、按一定间隔时间监测静态漏电流，具体为：
11、1)当试验进行到设置的漏电流监测时间后，系统将脉冲pulse1与pulse2都至低电位；
12、2)保持100ms后，在时间点tm-start处，pulse1至高电位，pulse2维持低电位，此时上桥待测样品开通，电压应力施加在下桥待测样品ds上，维持足够的时间δt1＝100ms，pulse1重新回到低电位；
13、3)保持一定时间δt2＝10ms后，pulse2至高电位，pulse1维持低电位，此时下桥待测样品开通，电压应力施加在上桥样品ds上，维持一定时间δt3＝δt1＝100ms，pulse2重新回到低电位；
14、4)保持100ms后，在时间点tstart处，pulse1与pulse2恢复至动态工况下输出；
15、采集待测样品对应的采样电阻上的电压波形，将数据传输至上位机进行分析处理。
16、作为优选的技术方案，所述一种碳化硅功率器件的动态反偏测试电路及控制模块、采集模块之间进行电气隔离处理。
17、作为优选的技术方案，所述被测样品放置在温度控制平台上，其他器件不与温度控制平台接触，并进行隔热处理。
18、本专利技术与现有技术相比，具有如下优点和有益效果：
19、(1)本方案采用半桥的拓扑形式实现主动及被动模式下动态反偏，使负载电流为0，这种结构既能满足试验条件，又降低了能耗。
20、(2)drb试验中，被测样品工作在高速开关模式下，甚者频率高达100khz，在如此高频下，采集矩形波形，即使是高带宽的运放模块也是无法满足需求。本专利技术提出一种按一定间隔时间监测静态漏电流来反映样品的老化情况的方法，克服了上述缺陷。
21、(3)本专利技术填补市场上动态反偏测试技术的空白，使动态反偏试验能真正市场化。
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1.一种碳化硅功率器件的动态反偏测试电路，其特征在于，通过主动模式实现动态反偏测试，包括若干路互相并联的半桥拓扑电路以及直流电源；每路半桥拓扑电路均包括依次串联的上桥被测样品、下桥被测样品以及下桥采样电阻，每个被测样品均配置一个栅极驱动输入；每路半桥拓扑电路的上桥被测样品共用一路栅极驱动输入信号，下桥被测样品共用一路栅极驱动输入信号；这两个栅极驱动输入信号频率相同，极性相反，均设置有死区时间。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅功率器件的动态反偏测试电路，其特征在于，所述下桥采样电阻的阻值为100欧姆以内。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅功率器件的动态反偏测试电路，其特征在于，还通过被动模式实现动态反偏测试，包括若干路互相并联的半桥拓扑电路以及直流电源；每路半桥拓扑电路均包括：依次串联的上桥采样电阻及上桥被测样品；上桥辅助碳化硅功率器件；依次串联的下桥被测样品及下桥采样电阻；下桥辅助碳化硅功率器件；
4.一种碳化硅功率器件的动态反偏测试方法，其特征在于，应用于权利要求1-3中任一项所述的一种碳化硅功率器件的动态反偏测试电路，包括以下步骤：<...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅功率器件的动态反偏测试电路，其特征在于，通过主动模式实现动态反偏测试，包括若干路互相并联的半桥拓扑电路以及直流电源；每路半桥拓扑电路均包括依次串联的上桥被测样品、下桥被测样品以及下桥采样电阻，每个被测样品均配置一个栅极驱动输入；每路半桥拓扑电路的上桥被测样品共用一路栅极驱动输入信号，下桥被测样品共用一路栅极驱动输入信号；这两个栅极驱动输入信号频率相同，极性相反，均设置有死区时间。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅功率器件的动态反偏测试电路，其特征在于，所述下桥采样电阻的阻值为100欧姆以内。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅功率器件的动态反偏测试电路，其特征在于，还通过被动模式实现动态反偏测试，包括若干路互相并联的半...
【专利技术属性】
技术研发人员：江雪晨，明志茂，杨静，陆裕东，毛景雄，岳龙，
申请(专利权)人：广电计量检测成都有限公司，
类型：发明
国别省市：
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