【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的技术大体上涉及可由互补金属氧化物半导体(cmos)场效应晶体管(fet)形成的功率放大器，且具体地说，涉及具有串叠偏置的fet。
技术介绍
1、在现代社会中，计算装置比比皆是，且更具体地，移动通信装置越来越普遍。这些移动通信装置的普及部分地由目前在此类装置上启用的许多功能驱动。此类装置中处理能力的提高意味着移动通信装置从纯通信工具演进为复杂移动娱乐中心，从而能够增强用户体验。随着5g蜂窝标准的出现，人们越来越关注在5g常见的毫米波大小下工作的功率放大器。特别地，虽然双极晶体管通常能够处理大电压，例如5g中的信号传输所必须的大电压，但双极工艺通常无法处理高转变频率。互补金属氧化物半导体(cmos)场效应晶体管(fet)可以处理高转变频率，但遭受相对低的击穿电压。
2、使用cmos fet制造功率放大器级的常见解决方案是通过使用串叠配置。串叠极用具有相对低的残余射频(rf)信号的电压偏置。随着cmos fet继续缩小到纳米级，这种偏置可能导致串叠fet的过应力。这种过应力又可能对栅极氧化物完整性产生负面影响。损害栅极氧化物完整性导致装置劣化和性能降级。因此，在使用cmos fet的串叠配置的功率放大器级的偏置方案中存在改进的空间。
技术实现思路
1、具体实施方式中公开的方面包含具有改善的栅极氧化物完整性的功率放大器。特别地，本公开的示例性方面提供向串叠功率放大器级提供偏置信号的动态不对称串叠偏置电路。所述偏置信号与来自所述功率放大器级的输出信号同步地摆动。通过具有此
2、在这点上，在一个方面，公开了一种功率放大器级。所述功率放大器级包括第一放大晶体管，所述第一放大晶体管包括第一栅极和第一漏极。所述功率放大器级还包括第二串叠晶体管，所述第二串叠晶体管包括第二栅极和第二漏极。所述功率放大器级还包括动态不对称偏置电路，所述动态不对称偏置电路耦合到所述第二串叠晶体管的所述第二栅极和所述第二漏极。所述动态不对称偏置电路被配置成基于所述第二漏极处的输出信号调整提供到所述第二栅极的偏置信号。
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1.一种功率放大器级，包括：
2.根据权利要求1所述的功率放大器级，其中所述偏置信号与所述输出信号同步地改变。
3.根据权利要求1所述的功率放大器级，其中所述偏置信号改变以便最小化所述第二栅极与所述第二漏极之间的电压降。
4.根据权利要求1所述的功率放大器级，还包括与所述第一放大晶体管和所述第二串叠晶体管串叠的第三晶体管。
5.根据权利要求4所述的功率放大器级，其中所述第一放大晶体管包括第一放大场效应晶体管(FET)。
6.根据权利要求5所述的功率放大器级，其中所述第一放大FET包括n型FET。
7.根据权利要求5所述的功率放大器级，其中所述第一放大FET包括p型FET。
8.根据权利要求1所述的功率放大器级，其中所述动态不对称偏置电路包括非线性分压器。
9.根据权利要求8所述的功率放大器级，其中所述非线性分压器包括可变电容器。
10.根据权利要求6所述的功率放大器级，还包括第二放大晶体管，其中所述第二放大晶体管包括第二放大FET，其中所述第二放大FET包括p型FET，其中
11.根据权利要求6所述的功率放大器级，还包括第二放大晶体管，其中所述第二放大晶体管包括第二放大FET，其中所述第二放大FET包括p型FET。
12.根据权利要求11所述的功率放大器级，其中所述功率放大器级是通过体互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺形成。
13.根据权利要求11所述的功率放大器级，其中所述第一放大FET和所述第二放大FET形成于部分耗尽的绝缘体上硅(SOI)衬底上。
14.根据权利要求11所述的功率放大器级，其中所述第一放大FET和所述第二放大FET形成于完全耗尽的绝缘体上硅(SOI)衬底上。
15.根据权利要求1所述的功率放大器级，其中所述功率放大器级包括单端功率放大器级。
16.根据权利要求1所述的功率放大器级，其中所述功率放大器级包括差分功率放大器级。
17.根据权利要求1所述的功率放大器级，其中所述功率放大器级包括正交功率放大器级。
18.根据权利要求1所述的功率放大器级，其中所述功率放大器级包括相移功率放大器级。
19.根据权利要求1所述的功率放大器级，还包括第二放大器级，其中所述动态不对称偏置电路是通过金属氧化物半导体(MOS)工艺形成，并且所述第二放大器级是通过双极工艺形成。
20.根据权利要求1所述的功率放大器级，集成到多尔蒂功率放大器中。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种功率放大器级，包括：
2.根据权利要求1所述的功率放大器级，其中所述偏置信号与所述输出信号同步地改变。
3.根据权利要求1所述的功率放大器级，其中所述偏置信号改变以便最小化所述第二栅极与所述第二漏极之间的电压降。
4.根据权利要求1所述的功率放大器级，还包括与所述第一放大晶体管和所述第二串叠晶体管串叠的第三晶体管。
5.根据权利要求4所述的功率放大器级，其中所述第一放大晶体管包括第一放大场效应晶体管(fet)。
6.根据权利要求5所述的功率放大器级，其中所述第一放大fet包括n型fet。
7.根据权利要求5所述的功率放大器级，其中所述第一放大fet包括p型fet。
8.根据权利要求1所述的功率放大器级，其中所述动态不对称偏置电路包括非线性分压器。
9.根据权利要求8所述的功率放大器级，其中所述非线性分压器包括可变电容器。
10.根据权利要求6所述的功率放大器级，还包括第二放大晶体管，其中所述第二放大晶体管包括第二放大fet，其中所述第二放大fet包括p型fet，其中所述p型fet耦合到所述动态不对称偏置电路。
11.根据权利要求6所述的功率放大器级，还包括第二放大晶体管，其中所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：B·斯科特，G·马克西姆，
申请(专利权)人：QORVO美国公司，
类型：发明
国别省市：
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