【技术实现步骤摘要】
本申请涉及近传感器端神经网络，具体而言，涉及一种神经形态mems压阻式传感器矩阵及芯片、终端。
技术介绍
1、压力传感器阵列多被用于测量多点静态或动态压力信号，如便携电子设备中对于脉搏的测量，机械手中作为电子皮肤感受工作时压力等信息。传统压力传感器矩阵多为分立式压力传感器，不但含有极多的引出金属线增加了电路连接复杂度，在信号输出层面也为原始信号输出。在需要大规模大密度应用要求的环境下，此种老式压力传感器矩阵存在局限性，如金属信号线数量过多导致无法引出，或者便携设备的处理能力有限从而降低了设备的反应速度。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中存在的技术问题，本申请的主要目的在于，提供一种神经形态mems压阻式传感器矩阵，实现了压力矩阵信号的预处理，从而降低后端信号处理的负担且减少了信号输入输出金属线的密度，提高了计算密度与计算性能。为实现上述技术目的，本申请采用如下技术方案：
2、根据本申请的一个方面，提供了一种神经形态mems压阻式传感器矩阵，所述神经形态mems压阻式传感器矩阵应用于芯片上，所述芯片装配有芯片衬底，所述神经形态mems压阻式传感器矩阵包括：供电焊盘组、输出焊盘组、压力传感器单元组，其中所述供电焊盘组包括多个供电焊盘，所述输出焊盘组包括多个输出焊盘，所述压力传感器单元组包括多个压力传感器单元，其中所述压力传感器单元之间通过所述供电焊盘和所述输出焊盘连接。
3、根据本申请的一实施方式，所述压力传感器单元包括轻掺杂硅压阻与重掺硅连接线，所述轻掺杂
4、根据本申请的一实施方式，所述轻掺硅压阻的浓度包括1e13cm-2-5e15cm-2，重掺硅连接线的浓度包括5e15cm-2-1e16cm-2
5、根据本申请的一实施方式，所述压力传感器单元间距包括100um-600um。
6、根据本申请的一实施方式，所述芯片衬底为单晶硅晶向晶圆，所述单晶硅晶向晶圆上附有硅压力敏感膜。
7、根据本申请的一实施方式，所述硅压力敏感膜为矩形，所述硅压力敏感膜的边长尺寸包括400um-1000um，厚度包括2um-15um。
8、根据本申请的一实施方式，所述输出焊盘为直径为100um-600um的圆形金属焊盘，所述供电焊盘为边长为100um-600um的正方形金属焊盘。
9、根据本申请的另一方面，提供一种芯片，包括所述的神经形态mems压阻式传感器矩阵。
10、根据本申请的另一方面，提供一种终端，搭载所述的芯片。
11、由上述技术方案可知，本申请的一种神经形态mems压阻式传感器矩阵及芯片、终端的优点和积极效果在于：
12、通过将压力传感器单元组连接成神经形态mems压阻式传感器矩阵，可实现压力矩阵信号的预处理，从而降低后端信号处理的负担且减少了信号输入输出金属线的密度，提高了计算密度与计算性能。
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1.一种神经形态MEMS压阻式传感器矩阵，其特征在于，所述神经形态MEMS压阻式传感器矩阵应用于芯片上，所述芯片装配有芯片衬底，所述神经形态MEMS压阻式传感器矩阵包括：供电焊盘组、输出焊盘组、压力传感器单元组，其中所述供电焊盘组包括多个供电焊盘，所述输出焊盘组包括多个输出焊盘，所述压力传感器单元组包括多个压力传感器单元，其中所述压力传感器单元之间通过所述供电焊盘和所述输出焊盘连接。
2.根据权利要求1所述的一种神经形态MEMS压阻式传感器矩阵，其特征在于，所述压力传感器单元包括轻掺杂硅压阻与重掺硅连接线，所述轻掺杂硅压阻通过所述重掺硅连接线连接，所述输出焊盘同时连接所述神经形态MEMS压阻式传感器矩阵内部的多个相邻所述压力传感器单元的轻掺杂硅压阻，所述供电焊盘与所述神经形态MEMS压阻式传感器矩阵边缘的一个所述压力传感器单元的轻掺杂硅压阻连接。
3.根据权利要求2所述的一种神经形态MEMS压阻式传感器矩阵，其特征在于，所述轻掺杂硅压阻的浓度包括1E13cm-2-5E15cm-2，重掺硅连接线的浓度包括5E15cm-2-1E16cm-2。
4.
5.根据权利要求1所述的一种神经形态MEMS压阻式传感器矩阵，其特征在于，所述芯片衬底为单晶硅晶向晶圆，所述单晶硅晶向晶圆上附有硅压力敏感膜。
6.根据权利要求5所述的一种神经形态MEMS压阻式传感器矩阵，其特征在于，所述硅压力敏感膜为矩形，所述硅压力敏感膜的边长尺寸包括400um-1000um，厚度包括2um-15um。
7.根据权利要求1所述的一种神经形态MEMS压阻式传感器矩阵，其特征在于，所述输出焊盘为直径为100um-600um的圆形金属焊盘，所述供电焊盘为边长为100um-600um的正方形金属焊盘。
8.一种芯片，其特征在于，所述芯片部署有如权利要求1-7中任一权利要求所述的神经形态MEMS压阻式传感器矩阵。
9.一种终端，其特征在于，所述终端搭载有如权利要求8所述的芯片。
...【技术特征摘要】
1.一种神经形态mems压阻式传感器矩阵，其特征在于，所述神经形态mems压阻式传感器矩阵应用于芯片上，所述芯片装配有芯片衬底，所述神经形态mems压阻式传感器矩阵包括：供电焊盘组、输出焊盘组、压力传感器单元组，其中所述供电焊盘组包括多个供电焊盘，所述输出焊盘组包括多个输出焊盘，所述压力传感器单元组包括多个压力传感器单元，其中所述压力传感器单元之间通过所述供电焊盘和所述输出焊盘连接。
2.根据权利要求1所述的一种神经形态mems压阻式传感器矩阵，其特征在于，所述压力传感器单元包括轻掺杂硅压阻与重掺硅连接线，所述轻掺杂硅压阻通过所述重掺硅连接线连接，所述输出焊盘同时连接所述神经形态mems压阻式传感器矩阵内部的多个相邻所述压力传感器单元的轻掺杂硅压阻，所述供电焊盘与所述神经形态mems压阻式传感器矩阵边缘的一个所述压力传感器单元的轻掺杂硅压阻连接。
3.根据权利要求2所述的一种神经形态mems压阻式传感器矩阵，其特征在于，所述轻掺杂硅压阻的浓度包括1e13cm-2-5e15cm-2，重掺硅连接线的浓度...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘国鑫，陈涛，印青，张光华，
申请(专利权)人：苏州锐光科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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