【技术实现步骤摘要】
本技术涉及cvd镀膜设备，具体为一种cvd晶舟的抽气装置。
技术介绍
1、cvd是化学气相沉积的简称，是利用气态物质在一定温度条件下，通过化学反应，在金属或非金属材料表面生成固态沉积物的一种气相沉积固体薄膜的技术。目前晶舟内半导体镀膜多采用由两种或两种以上的气态原材料，导入一个气态反应室里进行反应。
2、在中国专利cn213037840u中公开了一种cvd镀膜设备的真空室抽气装置，包括镀膜机、真空机，所述镀膜机背面固定安装有集气室，且集气室的左右两侧固定安装有硬质分散管，所述集气室外部的一端螺纹套接有螺纹端盖，且螺纹端盖的背面固定安装有螺纹端盖。该cvd镀膜设备的真空室抽气装置，在真空机对镀膜机内部进行抽真空时，镀室内蒸发的镀料或溅射靶溅出的原子、离子分散均匀，进一步提高了镀膜的效果。
3、该装置通过在镀膜机外部加装硬质分散管，使镀膜机可以多点排气，提高镀膜机内部气流分布的均匀。但仅通过分散管道排气，当两种或两种以上气体混合时，气体仍然需要在集气室内自然混合，混合的均匀效果不够好，影响沉积效果。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种cvd晶舟的抽气装置，以解决
技术介绍
中提到的现有技术中cvd镀膜采用多管道排气的方式，其对于不同气体混合效果不够好的问题。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种cvd晶舟的抽气装置，包括抽气室，所述抽气室的顶部贯穿有进气管，所述进气管设置有两个，所述抽气室的内腔通过螺丝固定有隔板，所述隔板与抽气室的顶
3、优选的，所述抽气室的顶部安装有气泵，所述气泵接入回流管与抽气室之间，所述回流管与出气管内均安装有单向阀。
4、优选的，所述隔板、封闭板和均流板的上表面均开设有均流孔，若干所述均流孔呈圆周阵列设置。
5、优选的，所述升降机构包括气缸和导向杆，所述气缸通过螺丝固定在抽气室的顶部，所述气缸的伸缩端贯穿抽气室且与均流板固定连接，所述导向杆焊接在隔板的上表面，所述导向杆贯穿均流板且与均流板滑动连接。
6、优选的，所述驱动机构包括驱动电机和驱动齿轮，所述封闭板的下表面固定有齿环，所述驱动齿轮与齿环啮合，所述驱动电机的输出端通过转轴与驱动齿轮固定连接。
7、优选的，所述抽气室的内壁焊接有支撑板，所述驱动电机通过螺丝固定在支撑板的上表面。
8、优选的，所述晶舟本体包括顶板、底板和支柱，所述支柱的两端分别与顶板和底板焊接，所述顶板和底板之间通过螺丝固定有内置架。
9、与现有技术相比，本技术的有益效果是：
10、本技术通过设置均流板、气缸和回流管，使两种气体通入混合室后，快速启动气缸，使均流板上下移动加速混合气体的混合均匀性，混合后的气体再通过启动驱动电机，使封闭板转动，封闭板的均流孔与隔板的均流孔对齐，使混合气体排入抽气室底部，与晶舟内的半导体、金属加工件接触，进行沉积镀膜，该装置能够在两个气体通入抽气室后，快速辅助混合再排入沉积腔内进行沉积，能够提高沉积的均匀性。
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1.一种CVD晶舟的抽气装置，其特征在于：包括抽气室(1)，所述抽气室(1)的顶部贯穿有进气管(2)，所述进气管(2)设置有两个，所述抽气室(1)的内腔通过螺丝固定有隔板(3)，所述隔板(3)与抽气室(1)的顶部之间形成混合室(4)，所述混合室(4)的一侧连通有回流管(5)，所述回流管(5)的一端与混合室(4)的顶部连接，所述混合室(4)内设置有均流板(6)以及驱动均流板(6)上下移动的升降机构(7)，所述隔板(3)的底部转动连接有封闭板(8)，所述混合室(4)内安装有驱动封闭板(8)转动的驱动机构(9)，所述隔板(3)与抽气室(1)的底部之间设置有沉积腔(10)，所述沉积腔(10)内放置有晶舟本体(11)，所述沉积腔(10)的底部连接有出气管(12)。
2.根据权利要求1所述的一种CVD晶舟的抽气装置，其特征在于：所述抽气室(1)的顶部安装有气泵(13)，所述气泵(13)接入回流管(5)与抽气室(1)之间，所述回流管(5)与出气管(12)内均安装有单向阀(14)。
3.根据权利要求2所述的一种CVD晶舟的抽气装置，其特征在于：所述隔板(3)、封闭板(8)
4.根据权利要求3所述的一种CVD晶舟的抽气装置，其特征在于：所述升降机构(7)包括气缸(701)和导向杆(702)，所述气缸(701)通过螺丝固定在抽气室(1)的顶部，所述气缸(701)的伸缩端贯穿抽气室(1)且与均流板(6)固定连接，所述导向杆(702)焊接在隔板(3)的上表面，所述导向杆(702)贯穿均流板(6)且与均流板(6)滑动连接。
5.根据权利要求4所述的一种CVD晶舟的抽气装置，其特征在于：所述驱动机构(9)包括驱动电机(901)和驱动齿轮(902)，所述封闭板(8)的下表面固定有齿环(903)，所述驱动齿轮(902)与齿环(903)啮合，所述驱动电机(901)的输出端通过转轴与驱动齿轮(902)固定连接。
6.根据权利要求5所述的一种CVD晶舟的抽气装置，其特征在于：所述抽气室(1)的内壁焊接有支撑板(904)，所述驱动电机(901)通过螺丝固定在支撑板(904)的上表面。
7.根据权利要求6所述的一种CVD晶舟的抽气装置，其特征在于：所述晶舟本体(11)包括顶板(1101)、底板(1102)和支柱(1103)，所述支柱(1103)的两端分别与顶板(1101)和底板(1102)焊接，所述顶板(1101)和底板(1102)之间通过螺丝固定有内置架(1104)。
...【技术特征摘要】
1.一种cvd晶舟的抽气装置，其特征在于：包括抽气室(1)，所述抽气室(1)的顶部贯穿有进气管(2)，所述进气管(2)设置有两个，所述抽气室(1)的内腔通过螺丝固定有隔板(3)，所述隔板(3)与抽气室(1)的顶部之间形成混合室(4)，所述混合室(4)的一侧连通有回流管(5)，所述回流管(5)的一端与混合室(4)的顶部连接，所述混合室(4)内设置有均流板(6)以及驱动均流板(6)上下移动的升降机构(7)，所述隔板(3)的底部转动连接有封闭板(8)，所述混合室(4)内安装有驱动封闭板(8)转动的驱动机构(9)，所述隔板(3)与抽气室(1)的底部之间设置有沉积腔(10)，所述沉积腔(10)内放置有晶舟本体(11)，所述沉积腔(10)的底部连接有出气管(12)。
2.根据权利要求1所述的一种cvd晶舟的抽气装置，其特征在于：所述抽气室(1)的顶部安装有气泵(13)，所述气泵(13)接入回流管(5)与抽气室(1)之间，所述回流管(5)与出气管(12)内均安装有单向阀(14)。
3.根据权利要求2所述的一种cvd晶舟的抽气装置，其特征在于：所述隔板(3)、封闭板(8)和均流板(6)的上表面均开设有均流孔(15)，若干所述均流孔(15)呈圆周阵列设置。
4.根据权利要求3...
【专利技术属性】
技术研发人员：尚海波，孙启伟，汪祖一，邝杰，
申请(专利权)人：上海合晶硅材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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