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使用具有尖牙设计的预成形掩模的选择性EMI屏蔽制造技术

技术编号:41926763 阅读:13 留言:0更新日期:2024-07-05 14:24
一种半导体器件具有半导体封装,该半导体封装包括包含接点栅格阵列的基板。组件设置在基板之上。在组件之上沉积封装物。接点栅格阵列保持在封装物之外。尖牙金属掩模设置在接点栅格阵列之上。在半导体封装之上形成屏蔽层。在形成屏蔽层之后去除尖牙金属掩模。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及半导体制造,并且更具体地涉及使用预成形掩模来形成选择性电磁干扰(emi)屏蔽的半导体器件和方法。


技术介绍

1、半导体器件通常在现代电子产品中找到。半导体器件执行各种各样的功能,例如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子设备、将太阳光转换成电以及为电视显示器创建可视图像。半导体器件在通信、功率转换、网络、计算机、娱乐和消费者产品的领域中找到。半导体器件也在军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中找到。

2、半导体器件通常易受电磁干扰(emi)、射频干扰(rfi)、谐波失真或其他器件间干扰的影响,例如电容、电感或导电耦合,也称为串扰,其可能干扰它们的操作。高速模拟电路(例如射频(rf)滤波器)或数字电路也产生干扰。

3、导电层通常形成在半导体封装之上以屏蔽封装内的电子零件免受emi和其他干扰的影响。屏蔽层在信号可能碰到封装内的半导体管芯和分立组件之前吸收emi,否则emi可能导致器件的故障。屏蔽层也形成在具有被预期成产生emi的组件的封装之上以保护附近的器件。

4、半导体封装屏蔽的现有技术方法存在的一个问题是在封装之上形成屏蔽层完全覆盖了封装的顶部。许多半导体封装需要具有暴露的插座或端子的开口区域,其允许连接到相邻的半导体器件,或者需要在屏蔽层之外具有一些组件以执行它们的适当功能。遗憾的是,传统的屏蔽完全覆盖了封装,并且将使任何暴露的端子、插座或其他暴露的组件短路。带掩模已经用于形成部分屏蔽的封装。然而,带掩模具有在溅射之后层压掩模然后剥离掩模的复杂工艺要求。因此,需要具有选择性地形成的emi屏蔽的半导体器件。


技术实现思路

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【技术保护点】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述屏蔽层直接形成在尖牙金属掩模和封装物之间的基板上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,第一尖牙和第二尖牙两者在平面图中包括矩形形状。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,第一尖牙和第二尖牙两者在平面图中包括梯形形状。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,第一尖牙和第二尖牙的形状被配置成产生屏蔽层的近似直的边界线。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括载体,其中半导体封装和尖牙金属掩模两者直接设置在所述载体上。

7.一种半导体器件,包括:

8.根据权利要求7所述的半导体器件,其中,尖牙金属掩模包括一对尖牙,其中在尖牙金属掩模的每一侧处形成一个尖牙。

9.根据权利要求8所述的半导体器件,其中,尖牙金属掩模还包括在每个尖牙和尖牙金属掩模的前表面之间的弯曲过渡部分。

10.根据权利要求8所述的半导体器件,其中,所述尖牙包括变圆的表面。

11.根据权利要求8所述的半导体器件,其中,所述尖牙的形状被配置成产生屏蔽层的近似直的边界线。

12.一种制造半导体器件的方法,包括:

13.根据权利要求12所述的方法,其中,尖牙掩模还包括在每个尖牙和尖牙掩模的前表面之间的弯曲过渡部分。

14.根据权利要求12所述的方法,其中,所述尖牙包括变圆的表面。

15.根据权利要求12所述的方法,其中,所述尖牙在平面图中包括三角形形状。

...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述屏蔽层直接形成在尖牙金属掩模和封装物之间的基板上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,第一尖牙和第二尖牙两者在平面图中包括矩形形状。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,第一尖牙和第二尖牙两者在平面图中包括梯形形状。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,第一尖牙和第二尖牙的形状被配置成产生屏蔽层的近似直的边界线。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括载体,其中半导体封装和尖牙金属掩模两者直接设置在所述载体上。

7.一种半导体器件,包括:

8.根据权利要求7所述的半导体器件,其中,尖牙金属掩模包括一对尖牙,...

【专利技术属性】
技术研发人员:C·O·金K·H·朴J·H·郑O·关J·W·李Y·J·张
申请(专利权)人:星科金朋私人有限公司
类型:发明
国别省市:

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