一种半导体处理设备的耐腐蚀性涂层制造技术

本技术公开了一种半导体处理设备的耐腐蚀性涂层，包括基层，所述基层的上表面固定连接有顶板，所述基层的下表面固定连接有底板，所述基层包括抗反射层，所述抗反射层的材料为氧化硅涂层，所述抗反射层的下表面固定连接有抗氧化层。该半导体处理设备的耐腐蚀性涂层，通过抗反射层、抗氧化层和耐热层的设置，使用过程中，通过氧化硅涂料的抗反射层涂抹在基层表面，使基层具有减少光学器件表面的反射，提高光学器件的传输效率的效果，通过聚酰亚胺的抗氧化层的使用，使基层具有保护器件表面免受污染、氧化和机械损伤的作用，通过氮化硅材料的耐热层具有良好的耐热性，使处理腔室的基板能够承受更高的温度，减少变形的现象。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体处理设备，特别涉及一种半导体处理设备的耐腐蚀性涂层。

技术介绍

1、在基板处理腔室(例如半导体处理腔室)中的基板(例如半导体晶片)处理期间，如在制造集成电路与显示器，基板通常暴露于赋能气体(energizedgases)，例如是能够在基板上蚀刻或沉积材料的赋能气体，赋能气体亦可被提供以清洁基板处理腔室的表面，当前，腔室部件由例如是硬质阳极处理(hardanodizing)工艺或等离子体电解氧化处理(peo)被处理，造成在腔室部件上多孔氧化铝层的形成，阳极处理通常是在铝表面上产生相对多孔氧化铝的整体化涂层的电解氧化处理，然而，通常阳极处理工艺造成多孔层，其允许卤化物成分最终到达且与腔室部件的铝表面反应。

2、目前的半导体处理设备抗反射性不够好和抗氧化性不足，导致光学器件表面的反射，影响光学器件的传输效率，由于基板在受赋能气体的影响，抗氧化不足时容易导致基板受到腐蚀，并且目前的基板耐腐蚀性不够好，导致基板容易受到腐蚀现象，因此设计一种半导体处理设备的耐腐蚀性涂层很有必要。

技术实现思路

1、本技术的主要目的在于提供一种半导体处理设备的耐腐蚀性涂层，可以有效解决
技术介绍
中的问题。

2、为实现上述目的，本技术采取的技术方案为：

3、一种半导体处理设备的耐腐蚀性涂层，包括基层，所述基层的上表面固定连接有顶板，所述基层的下表面固定连接有底板，所述基层包括抗反射层，所述抗反射层的材料为氧化硅涂层，所述抗反射层的下表面固定连接有抗氧化层，所述抗氧化层的材料为聚酰亚胺；所述抗氧化层的下表面固定连接有耐热层，所述耐热层的材料为氮化硅。

4、为了使得具有耐酸性好的作用，作为本技术一种半导体处理设备的耐腐蚀性涂层，所述耐热层的下表面固定连接有耐酸层，所述耐酸层的材料为聚四氟乙烯。

5、为了使得具有耐碱性好的效果，作为本技术一种半导体处理设备的耐腐蚀性涂层，所述耐酸层的下表面固定连接有耐碱层，所述耐碱层的材料为氧化铝。

6、为了使得具有耐磨的作用，作为本技术一种半导体处理设备的耐腐蚀性涂层，所述耐碱层的下表面固定连接有耐磨层，所述耐磨层的材料为钼二硫化物。

7、为了使得具有方便定位的功能，作为本技术一种半导体处理设备的耐腐蚀性涂层，所述顶板的上表面开设有定位孔，所述定位孔的一端贯穿顶板的上表面并延伸至底板的下表面。

8、与现有技术相比，本技术具有如下有益效果：

9、1.本技术中，通过抗反射层、抗氧化层和耐热层的设置，使用过程中，通过氧化硅涂料的抗反射层涂抹在基层表面，使基层具有减少光学器件表面的反射，提高光学器件的传输效率的效果，通过聚酰亚胺的抗氧化层的使用，使基层具有保护器件表面免受污染、氧化和机械损伤的作用，通过氮化硅材料的耐热层具有良好的耐热性，使处理腔室的基板能够承受更高的温度，减少变形的现象。

10、2.本技术中，通过耐酸层、耐碱层和耐磨层的设置，使用过程中，通过聚四氟乙烯的耐酸层具有出色的耐腐蚀性和化学稳定性，能够抵抗酸溶剂等腐蚀性介质的侵蚀，利用氧化铝材料的耐碱层，使基板产生良好的耐碱性，在受到碱性溶液的冲刷后，能减少被腐蚀现象，通过钼二硫化物的耐磨层，具有低摩擦系数和良好的耐磨性，能够减少摩擦和磨损，以降低能量损耗。

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【技术保护点】

1.一种半导体处理设备的耐腐蚀性涂层，包括基层(1)，其特征在于：所述基层(1)的上表面固定连接有顶板(2)，所述基层(1)的下表面固定连接有底板(3)，所述基层(1)包括抗反射层(101)，所述抗反射层(101)的材料为氧化硅涂层，所述抗反射层(101)的下表面固定连接有抗氧化层(102)，所述抗氧化层(102)的材料为聚酰亚胺；所述抗氧化层(102)的下表面固定连接有耐热层(103)，所述耐热层(103)的材料为氮化硅。

2.根据权利要求1所述的一种半导体处理设备的耐腐蚀性涂层，其特征在于：所述耐热层(103)的下表面固定连接有耐酸层(104)，所述耐酸层(104)的材料为聚四氟乙烯。

3.根据权利要求2所述的一种半导体处理设备的耐腐蚀性涂层，其特征在于：所述耐酸层(104)的下表面固定连接有耐碱层(105)，所述耐碱层(105)的材料为氧化铝。

4.根据权利要求3所述的一种半导体处理设备的耐腐蚀性涂层，其特征在于：所述耐碱层(105)的下表面固定连接有耐磨层(106)，所述耐磨层(106)的材料为钼二硫化物。

5.根据权利要求1所述的一种半导体处理设备的耐腐蚀性涂层，其特征在于：所述顶板(2)的上表面开设有定位孔(4)，所述定位孔(4)的一端贯穿顶板(2)的上表面并延伸至底板(3)的下表面。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体处理设备的耐腐蚀性涂层，包括基层(1)，其特征在于：所述基层(1)的上表面固定连接有顶板(2)，所述基层(1)的下表面固定连接有底板(3)，所述基层(1)包括抗反射层(101)，所述抗反射层(101)的材料为氧化硅涂层，所述抗反射层(101)的下表面固定连接有抗氧化层(102)，所述抗氧化层(102)的材料为聚酰亚胺；所述抗氧化层(102)的下表面固定连接有耐热层(103)，所述耐热层(103)的材料为氮化硅。

2.根据权利要求1所述的一种半导体处理设备的耐腐蚀性涂层，其特征在于：所述耐热层(103)的下表面固定连接有耐酸层(104)，所述耐酸层(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱钦川，
申请(专利权)人：帝京半导体科技南通有限公司，
类型：新型
国别省市：