【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于将目标材料供应到光刻设备的设备的阀系统。本专利技术还涉及一种包括此类阀系统的用于将目标材料供应到光刻设备的设备、包括此类设备的燃料发射器、包括此类燃料发射器的辐射源、以及包括此类辐射源的光刻设备。本专利技术进一步涉及一种用于使用阀系统来调节固体或液体目标材料的流量的方法。
技术介绍
1、光刻设备是被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(ic)。例如，光刻设备可以将图案形成装置(例如，掩模)处的图案投影到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
2、为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可以形成于衬底上的特征的最小尺寸。相较于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有在4至20nm的范围内的波长(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小特征。
3、euv辐射用于光刻过程中以在衬底或硅晶片中产生极小特征。用于产生euv辐射的方法包括但不限于在等离子体状态下利用在euv范围中的发射谱线转换具有例如氙、锂或锡的元素的材料。在一种经常被称为激光产生等离子体(“lpp”)的此类方法中，可以通过利用经放大的光束照射例如呈液滴、板、带、串流或簇的材料的形式的目标材料来产生所需的等离子体。对于该过程，通常在密封容器(例如真空腔室)中产生等离子体，并且使用各种类型的量测设备来监测等离子体。
4、在用于供应呈液滴形式的锡目标材料的当前技术设备中，使用经加压至大约200至7
5、为了调节液体锡流，使用所谓的冻结阀。冻结阀可以实施于管段中，其中，温度可以被控制为高于锡的熔化温度以允许液体流动，或低于熔化温度以使液体锡在管段中凝固且防止锡的任何进一步流动。冻结阀的一个缺点是：冷却或加热在管段中包括目标材料的管段花费相当长的时间。另一个缺点可能是：由于目标材料在液化及凝固期间的膨胀或收缩，液化及凝固会造成目标材料的体积改变。这些体积改变可能导致不期望的压力改变。又一个缺点可能是：在相对较高压力下，固体锡可能不期望地经由冻结阀挤出。
技术实现思路
1、考虑到以上内容，本专利技术的目标是使用阀来快速且准确地调节液体目标材料的流量。
2、根据本专利技术的实施例，提供一种用于将目标材料供应到辐射源的设备的阀系统，所述目标材料具有高于室温的熔化温度且处于至少200巴的压力下，其中，所述阀系统包括：
3、-腔室，所述腔室具有圆形横截面，
4、-圆形阀体，所述圆形阀体布置于所述腔室中并且匹配所述腔室的所述圆形横截面，
5、其中，所述腔室包括第一端口和第二端口，其中，所述阀体能够围绕旋转轴线在与所述圆形横截面的平面平行的平面中在打开位置与关闭位置之间旋转；在所述打开位置处，所述阀体中的通道在所述第一端口与所述第二端口之间提供流动路径；在所述关闭位置处，所述阀体中的所述通道至少与所述第一端口断开连接。
6、根据本专利技术的另一个实施例，提供一种用于将目标材料供应到辐射源的设备，所述设备包括：储集器系统，所述储集器系统包括被配置成连接到喷嘴供应系统的储集器；以及加压系统，所述加压系统对所述储集器中的目标材料加压，其中，所述目标材料具有高于室温的熔化温度，其中，所述加压系统被配置成将至少200巴的压力提供到所述目标材料，并且其中，所述设备还包括根据本专利技术的用于调节来自或流向所述储集器的目标材料的流量的阀系统。
7、根据本专利技术的另一个实施例，提供一种燃料发射器，所述燃料发射器包括根据本专利技术的设备以及喷嘴供应系统。
8、根据本专利技术的又一个实施例，提供一种包括根据本专利技术的燃料发射器的用于光刻工具的辐射源。
9、根据本专利技术的另一个实施例，提供一种光刻设备，所述光刻设备包括根据本专利技术的辐射源。
10、根据本专利技术的另一个实施例，提供一种用于使用根据本专利技术的阀系统来调节固体或液体目标材料的流量的方法，所述目标材料具有高于室温的熔化温度且处于至少200巴的压力下，所述方法包括以下步骤：
11、a)将所述阀体从所述打开位置移动到所述关闭位置，以及
12、b)将所述阀体从所述关闭位置移动到所述打开位置。
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1.一种用于将目标材料供应到辐射源的设备的阀系统，所述目标材料处于至少200巴的压力下，其中，所述阀系统包括：
2.根据权利要求1所述的阀系统，其中，所述阀体是能够在所述腔室中在平行于所述旋转轴线的方向上移动从而在所述阀体与所述第二端口之间提供可变的储集器容积的柱塞或活塞、或者是所述柱塞或活塞的一部分。
3.根据权利要求1所述的阀系统，其中，所述腔室和所述阀体被配置为使得在所述阀体的所述关闭位置，所述阀体中的所述通道与所述第二端口断开连接。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的阀系统，其中，所述腔室和所述阀体包括以下材料中的一种或更多种：聚酰亚胺、聚四氟乙烯、钨、钽、钼。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的阀系统，还包括与所述第一端口或所述第二端口连通的冻结阀，所述冻结阀包括温度控制系统，所述温度控制系统用于分别将所述冻结阀中的目标材料加热至高于所述目标材料的熔化温度的温度或将所述冻结阀中的目标材料冷却至低于所述目标材料的熔化温度的温度。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的阀系统，其中，所述腔室包括第三端口，并且其中
7.根据权利要求6所述的阀系统，其中，所述腔室和所述阀体被配置为使得在所述阀体的所述关闭位置处，所述阀体中的所述通道与所述第三端口断开连接。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的阀系统，其中，所述阀系统被配置成用于处于至少300巴、优选地高于700巴、更优选地至少900巴、甚至更优选地至少1100巴、并且最优选地至少1300巴的压力下的目标材料。
9.一种用于将目标材料供应到辐射源的设备，所述设备包括：储集器系统，所述储集器系统包括被配置成连接到喷嘴供应系统的储集器；以及加压系统，所述加压系统对所述储集器中的目标材料加压，其中，所述目标材料具有高于室温的熔化温度，其中，所述加压系统被配置成将至少200巴的压力提供到所述目标材料，并且其中，所述设备还包括根据权利要求1至8中任一项所述的、用于调节来自或流向所述储集器的目标材料的流量的阀系统。
10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述阀系统是根据权利要求1至3中任一项所述的阀系统，并且进一步被配置成当所述通道包含固体目标材料时使所述阀体旋转，并且其中，所述阀系统布置在其中所述温度低于所述目标材料的所述熔化温度的位置处。
11.根据权利要求10所述的设备，其中，所述加压系统被配置成对所述储集器中的固体目标材料加压，其中，所述设备还包括加热系统，所述加热系统布置于所述储集器与所述喷嘴供应系统之间以在所述固体目标材料在所述储集器中被加压之后使所述固体目标材料液化，并且其中，所述阀系统布置于所述储集器与所述加热系统之间。
12.根据权利要求9所述的设备，其中，所述设备包括根据权利要求1至3中任一项所述的阀，所述阀进一步被配置成当所述通道包含液体目标材料时使所述阀体旋转，其中，所述阀系统布置在其中所述温度高于所述目标材料的所述熔化温度的位置处。
13.根据权利要求9或12所述的设备，其中，所述加压系统被配置成对所述储集器中的液体目标材料加压，其中，所述阀系统是根据权利要求1至3中任一项所述的阀系统，所述阀系统进一步被配置成当所述通道包含液体目标材料时使所述阀体旋转，其中，所述设备还包括：装填系统，所述装填系统被配置成接收包括所述目标材料的固体物质；以及输送系统，所述输送系统从所述装填系统延伸到所述储集器系统，其中，所述输送系统被配置成在所述装填系统与所述储集器系统之间提供流动路径，并且其中，所述阀系统布置于由所述输送系统提供的所述流动路径中以控制来自所述装填系统的目标材料的流量。
14.一种燃料发射器，包括根据权利要求9至13中任一项所述的设备，所述燃料发射器还包括喷嘴供应系统。
15.一种用于光刻工具的辐射源，所述辐射源包括根据权利要求14所述的燃料发射器。
16.一种光刻设备，包括根据权利要求15所述的辐射源。
17.一种用于使用根据权利要求1至8中任一项所述的阀系统来调节固体或液体目标材料的流量的方法，所述目标材料具有高于室温的熔化温度且处于至少200巴的压力下，所述方法包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于将目标材料供应到辐射源的设备的阀系统，所述目标材料处于至少200巴的压力下，其中，所述阀系统包括：
2.根据权利要求1所述的阀系统，其中，所述阀体是能够在所述腔室中在平行于所述旋转轴线的方向上移动从而在所述阀体与所述第二端口之间提供可变的储集器容积的柱塞或活塞、或者是所述柱塞或活塞的一部分。
3.根据权利要求1所述的阀系统，其中，所述腔室和所述阀体被配置为使得在所述阀体的所述关闭位置，所述阀体中的所述通道与所述第二端口断开连接。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的阀系统，其中，所述腔室和所述阀体包括以下材料中的一种或更多种：聚酰亚胺、聚四氟乙烯、钨、钽、钼。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的阀系统，还包括与所述第一端口或所述第二端口连通的冻结阀，所述冻结阀包括温度控制系统，所述温度控制系统用于分别将所述冻结阀中的目标材料加热至高于所述目标材料的熔化温度的温度或将所述冻结阀中的目标材料冷却至低于所述目标材料的熔化温度的温度。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的阀系统，其中，所述腔室包括第三端口，并且其中，所述阀体具有其中所述第三端口连接到所述阀体中的所述通道的打开位置。
7.根据权利要求6所述的阀系统，其中，所述腔室和所述阀体被配置为使得在所述阀体的所述关闭位置处，所述阀体中的所述通道与所述第三端口断开连接。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的阀系统，其中，所述阀系统被配置成用于处于至少300巴、优选地高于700巴、更优选地至少900巴、甚至更优选地至少1100巴、并且最优选地至少1300巴的压力下的目标材料。
9.一种用于将目标材料供应到辐射源的设备，所述设备包括：储集器系统，所述储集器系统包括被配置成连接到喷嘴供应系统的储集器；以及加压系统，所述加压系统对所述储集器中的目标材料加压，其中，所述目标材料具有高于室温的熔化温度，其中，所述加压系统被配置成将至少200巴的压力提供到所述目标材料，并且其中，所述设备还包括根据权利要求1至8中任一项所述的、用于调节来自或流向所述储集器的目标材料的...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·H·W·雅各布斯，D·J·M·狄莱克斯，W·P·范德伦特，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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