【技术实现步骤摘要】
本文件涉及计算机，尤其涉及一种基于自整流mram的数据隐藏的方法及装置。
技术介绍
1、随着人工智能、物联网、智能汽车等新兴技术飞速发展，数据的安全性问题愈发受到关注。重要数据一般都是存储于非易失存储器中的，mram作为新兴非易失存储技术之一，兼具sram的高速、dram的高密度等特点，同时具有高可靠、可持续微缩等优势，受到业内广泛关注。目前，在28nm以下，stt-emram已经替代eflash，应用于车载mcu中。
2、对于mram存储器的常规访存操作来讲，存储单元彼此独立，存储于其中的底层数据一旦被擦除或者篡改，如果没有备份，则无法恢复，相反，如果底层数据完全对外暴露，较难在硬件层面进行可逆的加密操作。
3、传统数据加密的硬件是通过在存储电路外围增加puf(物理不可克隆)电路实现的，如图1所示，puf电路是一种加密电路，仅当使用正确密钥的时候，方可访问存储器内部的重要数据，数据被存储于1t-1mtj构成的存储阵列中，一旦密钥被获取，存储器的数据将完全暴露于攻击者，不具备任何抵抗能力，如果认为擦除其中数据，在没有备份的情况下将难以恢复。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种基于自整流mram的数据隐藏的方法及装置，旨在解决现有技术中的上述问题。
2、本专利技术提供一种基于自整流mram的数据隐藏的方法，存储阵列采用由mram器件、顶金属和底金属构成的交叉阵列结构，其中，顶金属和底金属构成交叉阵列，所述mram器件设置于顶金属和底金属
3、对全部存储阵列进行数据写入，其中，将有效数据写入特定若干mram器件中；
4、当发现攻击者破译了密钥并尝试访问存储阵列中的数据时，根据所述特定若干mram器件的位置，在所述交叉阵列结构中确定特定底金属和特定顶金属，并分别施加高电平或低电平，通过各个mram器件流过的不同方向的电流，将干扰数据写入除所述特定若干mram器件外的其他mram器件中，对所述特定若干mram器件中的有效数据进行数据隐藏。
5、本专利技术提供一种基于自整流mram的数据隐藏的装置，包括：
6、存储阵列，采用由mram器件、顶金属和底金属构成的交叉阵列结构，其中，顶金属和底金属构成交叉阵列，所述mram器件设置于顶金属和底金属的交叉点；
7、输入写入模块，用于对全部存储阵列进行数据写入，其中，将有效数据写入特定若干mram器件中；
8、数据隐藏模块，用于当发现攻击者破译了密钥并尝试访问存储阵列中的数据时，根据所述特定若干mram器件的位置，在所述交叉阵列结构中确定特定底金属和特定顶金属，并分别施加高电平和低电平，通过各个mram器件流过的不同方向的电流，将干扰数据写入除所述特定若干mram器件外的其他mram器件中，对所述特定若干mram器件中的有效数据进行数据隐藏。
9、本专利技术还提供一种基于自整流mram的数据隐藏的方法，存储阵列采用由mram器件、顶金属和底金属构成的交叉阵列结构，其中，顶金属和底金属构成交叉阵列，所述mram器件设置于顶金属和底金属的交叉点，包括：
10、对全部存储阵列进行数据写入，其中，将有效数据写入每一个mram器件中；
11、当发现攻击者破译了密钥并尝试访问存储阵列中的数据时，在所述交叉阵列结构中确定特定底金属和特定顶金属，并分别施加高电平或低电平，通过各个mram器件流过的不同方向的电流，将干扰数据写入特定若干mram器件中，对所述特定若干mram器件中的有效数据进行擦除。
12、本专利技术提供一种基于自整流mram的数据隐藏的装置，包括：存储阵列，采用由mram器件、顶金属和底金属构成的交叉阵列结构，其中，顶金属和底金属构成交叉阵列，所述mram器件设置于顶金属和底金属的交叉点；
13、输入写入模块，用于对全部存储阵列进行数据写入，其中，将有效数据写入每一个mram器件中；
14、数据隐藏模块，用于当发现攻击者破译了密钥并尝试访问存储阵列中的数据时，在所述交叉阵列结构中确定特定底金属和特定顶金属，并分别施加高电平或低电平，通过各个mram器件流过的不同方向的电流，将干扰数据写入特定若干mram器件中，对所述特定若干mram器件中的有效数据进行擦除。
15、本专利技术实施例还提供一种电子设备，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现上述任一基于自整流mram的数据隐藏的方法的步骤。
16、本专利技术实施例还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有信息传递的实现程序，所述程序被处理器执行时实现上述任一基于自整流mram的数据隐藏的方法的步骤。
17、采用本专利技术实施例，解决了现有技术中存储阵列自身不具备数据恢复的问题，从而在硬件底层提高数据的安全性。
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1.一种基于自整流MRAM的数据隐藏的方法，其特征在于，存储阵列采用由MRAM器件、顶金属和底金属构成的交叉阵列结构，其中，顶金属和底金属构成交叉阵列，所述MRAM器件设置于顶金属和底金属的交叉点，所述方法具体包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述不同方向的电流具体包括：与流经的MRAM器件的写入电流方向相同的电流、以及与流经的MRAM器件的写入电流方向相反的电流。
3.一种基于自整流MRAM的数据隐藏的装置，其特征在于，包括：
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述不同方向的电流具体包括：与其MRAM器件的写入电流方向相同的电流、以及与其MRAM器件的写入电流方向相反的电流。
5.一种基于自整流MRAM的数据隐藏的方法，其特征在于，存储阵列采用由MRAM器件、顶金属和底金属构成的交叉阵列结构，其中，顶金属和底金属构成交叉阵列，所述MRAM器件设置于顶金属和底金属的交叉点，所述方法具体包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：
7.一种基于自整流MRAM的数
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置进一步包括：
9.一种电子设备，其特征在于，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至2中任一项所述的基于自整流MRAM的数据隐藏的方法的步骤，或者，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求5至6中任一项所述的基于自整流MRAM的数据隐藏的方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有信息传递的实现程序，所述程序被处理器执行时实现如权利要求1至2中任一项所述的基于自整流MRAM的数据隐藏的方法的步骤，或者，所述程序被处理器执行时实现如权利要求5至6中任一项所述的基于自整流MRAM的数据隐藏的方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种基于自整流mram的数据隐藏的方法，其特征在于，存储阵列采用由mram器件、顶金属和底金属构成的交叉阵列结构，其中，顶金属和底金属构成交叉阵列，所述mram器件设置于顶金属和底金属的交叉点，所述方法具体包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述不同方向的电流具体包括：与流经的mram器件的写入电流方向相同的电流、以及与流经的mram器件的写入电流方向相反的电流。
3.一种基于自整流mram的数据隐藏的装置，其特征在于，包括：
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述不同方向的电流具体包括：与其mram器件的写入电流方向相同的电流、以及与其mram器件的写入电流方向相反的电流。
5.一种基于自整流mram的数据隐藏的方法，其特征在于，存储阵列采用由mram器件、顶金属和底金属构成的交叉阵列结构，其中，顶金属和底金属构成交叉阵列，所述mram器件设置于顶金属和底金属的交叉点，所述方法具体包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔岩，薛源，罗军，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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