【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示器件制造，尤其涉及一种掩膜装置以及薄膜沉积设备。
技术介绍
1、目前，在薄膜沉积的过程中，通过将掩膜本体设置在待沉积件上，以通过掩膜本体上的非沉积区域对待沉积件的非镀膜区域进行掩膜，并通过掩膜本体上的沉积区域供气体沉积于待沉积件的镀膜区域上；但由于气体的流动性强，导致气体容易从掩膜本体与待沉积件的连接缝隙中进入，并沉积于待沉积件的非镀膜区域上，导致阴影效应的产生。
技术实现思路
1、本申请至少一实施例提供一种掩膜装置以及薄膜沉积设备，用于解决
技术介绍
中薄膜沉积时出现阴影效应的问题。
2、为了解决上述技术问题，本申请至少一实施例提供一种掩膜装置，采用了如下所述的技术方案：
3、一种掩膜装置，包括掩膜本体；
4、所述掩膜本体具有非沉积区域以及镂空的沉积区域；
5、所述非沉积区域用于与待沉积件的非镀膜区域对应，且所述非沉积区域具有第一气流通道，所述第一气流通道用于与所述待沉积件的所述非镀膜区域连通。
6、进一步的，所述掩膜本体包括沉积隔板、以及间隔设置的第一掩膜板和第二掩膜板；
7、所述沉积隔板设于所述非沉积区域和所述沉积区域之间；
8、所述第一掩膜板和所述第二掩膜板均设于所述非沉积区域，所述沉积隔板还设于所述第一掩膜板和所述第二掩膜板之间；所述第一气流通道由所述第一掩膜板、所述第二掩膜板以及所述沉积隔板围合形成；
9、所述第二掩膜板开设有与所述第一气流通道连通的孔道，所述孔道用
10、进一步的，所述孔道位于所述第二掩膜板靠近所述沉积区域的一端；或，
11、所述孔道位于所述第二掩膜板的中部。
12、进一步的，所述掩膜装置还包括支撑件；
13、所述支撑件设于所述第一气流通道内，且所述支撑件的两端分别与所述第一掩膜板和所述第二掩膜板抵接。
14、进一步的，所述支撑件的数量为一个，所述支撑件的纵向截面积小于所述第一气流通道的纵向截面积；或，
15、所述支撑件的数量为至少两个，相邻的两个所述支撑件间隔设置。
16、进一步的，所述支撑件的数量为至少两个，相邻的两个所述支撑件之间的间隔距离为1毫米至9毫米。
17、进一步的，所述支撑件的纵向高度为50微米至200微米。
18、进一步的，所述掩膜装置还包括掩膜框架；
19、所述第一掩膜板和所述第二掩膜板均与所述掩膜框架连接，且所述掩膜框架开设有与所述第一气流通道连通的至少一条第二气流通道。
20、进一步的，所述第二气流通道为纵向通道；或，
21、所述第二气流通道为导流通道，所述导流通道用于将所述第一气流通道内的气体导流进入所述导流通道内
22、为了解决上述技术问题，本申请至少一实施例还提供一种薄膜沉积设备，采用了如下所述的技术方案：
23、一种薄膜沉积设备，包括：
24、沉积腔室；
25、载台，所述载台设于所述沉积腔室，且所述载台用于承载待沉积件；
26、如上所述的掩膜装置，所述掩膜装置设于所述载台，且所述掩膜装置用于对所述载台上的待沉积件进行掩膜；
27、气压调节装置，所述气压调节装置的输出端与所述第一气流通道连通，以用于调节所述第一气流通道内的气压。
28、进一步的，所述薄膜沉积设备还包括位置调节装置；
29、所述位置调节装置包括位置导引件以及驱动件；
30、所述位置导引件的一端与所述掩膜本体连接；
31、所述驱动件的输出端与所述位置导引件的另一端连接，用于通过所述位置导引件调节所述掩膜本体的位置。
32、进一步的，所述位置导引件开设有第三气流通道，所述第三气流通道的一端与所述第一气流通道连通；
33、所述气压调节装置的输出端与所述第三气流通道的另一端连通，，以通过所述第三气流通道调节所述第一气流通道内的气压。
34、与现有技术相比，本申请实施例主要有以下有益效果：在薄膜沉积的反应气体沉积过程中，通过在非沉积区域中设置第一气流通道，使流入掩膜本体的非沉积区域与待沉积件的非镀膜区域之间的气体，会从第一气流通道排出，从而实现防止气体沉积于待沉积件的非镀膜区域上，进而避免阴影现象的产生。
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1.一种掩膜装置，其特征在于，包括掩膜本体；
2.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，所述掩膜本体包括沉积隔板、以及间隔设置的第一掩膜板和第二掩膜板；
3.根据权利要求2所述的掩膜装置，其特征在于，所述孔道位于所述第二掩膜板靠近所述沉积区域的一端；或，
4.根据权利要求2所述的掩膜装置，其特征在于，所述掩膜装置还包括支撑件；
5.根据权利要求4所述的掩膜装置，其特征在于，所述支撑件的数量为一个，所述支撑件的纵向截面积小于所述第一气流通道的纵向截面积；或，
6.根据权利要求2至5中任一项所述的掩膜装置，其特征在于，所述掩膜装置还包括掩膜框架；
7.根据权利要求6所述的掩膜装置，其特征在于，所述第二气流通道为纵向通道；或，
8.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积设备还包括位置调节装置；
10.根据权利要求9所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述位置导引件开设有第三气流通道，所述第三气流通道的一端与所述第一气流
...【技术特征摘要】
1.一种掩膜装置，其特征在于，包括掩膜本体；
2.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，所述掩膜本体包括沉积隔板、以及间隔设置的第一掩膜板和第二掩膜板；
3.根据权利要求2所述的掩膜装置，其特征在于，所述孔道位于所述第二掩膜板靠近所述沉积区域的一端；或，
4.根据权利要求2所述的掩膜装置，其特征在于，所述掩膜装置还包括支撑件；
5.根据权利要求4所述的掩膜装置，其特征在于，所述支撑件的数量为一个，所述支撑件的纵向截面积小于所述第一气流通道的纵向截...
【专利技术属性】
技术研发人员：李松举，孙贤文，付东，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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