【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及蚀刻领域，尤其涉及一种蚀刻组合物及其用途。
技术介绍
1、随着超高密度集成电路的尺寸不断缩小以及对于速度和功能的越来越严苛的要求，在栅氧化物厚度的缩放和沟道区上的栅电极的静电控制的问题上，传统的平面mosfet面临日益严峻的挑战，通过将栅电极包绕在鳍形沟道的三个侧面，finfet表现出相对于传统平面mosfet设计改进的控制。gaa fet类似于finfet，但是具有对沟道进行更高静电控制的潜力，因为栅电极完全围绕沟道，在gaa fet中，沟道区基本上是纳米线，纳米线沟道通常具有纳米级的厚度并且其长度不受限制，纳米线沟道通常水平地悬置于gaa fet的源漏区之间并且锚定于其上，可以利用完全相容的cmos技术在衬底硅上制造gaa fet，在gaa fet中形成沟道区的典型制造方法包括外延生长夹在衬底顶部上的沟道层的叠层，牺牲层(sige)和沟道层(si)由两种不同的材料组成，使得选择性蚀刻可以去除牺牲层(sige)，在gaa fet的构建中，sige作为牺牲层被溶液刻蚀，与此同时，溶液与其接触的层需要有兼容性，因此需要蚀刻溶液在刻蚀sige时对于其他材料有较高的选择性，常见的一些溶液可以去除sige，但对于其他接触层(氮化物和氧化物层等)兼容性不甚理想。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种用于选择性去除硅锗的蚀刻组合物，同时可以调整其蚀刻选择比，并避免对氧化硅和氮化硅等的刻蚀，操作窗口较大，在半导体蚀刻工艺中具有良好的应用前景。
2、具体的，本专利技术一
3、优选的，所述氧化剂选自过氧化氢、硝酸铁，高碘酸、碘酸、硝酸、氯酸铵、碘酸铵、过硼酸铵、高氯酸铵、高碘酸铵、过硫酸铵、过氧乙酸、过氧苯甲酸、1,4-苯醌、氯苯醌、n-甲基吗啉n-氧化物中的一种或多种。
4、优选的，所述氧化剂的质量百分比含量为0.1wt％-50wt％。
5、优选的，所述含氟化合物选自氢氟酸，氟化铵、氟化氢铵、三甲基氟化铵、氟硼酸、氟硼酸铵、氟硅酸、氟硅酸铵中的一种或多种。
6、优选的，所述含氟化合物的质量百分比含量为0.01wt％-10wt％。
7、优选的，所述ph调节剂选自甲酸、乙酸、丙酸、乙二酸、丙二酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸、琥珀酸、苯甲酸、苯甲磺酸、磷酸、焦磷酸、多聚磷酸、硫酸中的一种或多种。
8、优选的，所述ph调节剂的质量百分比含量为1wt％-70wt％。
9、优选的，所述含氨基硅氧烷化合物选自n-甲基-3-氨丙基三甲氧基硅烷、二(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)胺、3-氨丙基三甲氧基硅烷、n-三甲氧基甲硅烷基丙基-n,n,n-三甲基氯化铵、(n,n-二甲基-3-氨丙基)三甲氧基硅烷中的一种或多种；
10、所述铵盐选自聚二甲基二烯丙基氯化铵、聚季铵盐-7、十二烷基二甲基苄基氯化铵、西曲氯铵、苯扎氯铵、十二烷基三甲基氯化铵、辛基三甲基氯化铵中的一种或多种。
11、优选的，所述含胺基或铵根化合物的质量百分比含量为0.01％-10wt％。
12、本专利技术的另一方面，提供一种将以上任一所述的蚀刻组合物用于湿法蚀刻硅锗的用途。
13、采用本专利技术的蚀刻组合物，能够有效刻蚀硅锗基材料，同时避免对氧化硅和氮化硅等的刻蚀，操作窗口较大，在半导体蚀刻工艺中具有良好的应用前景。
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1.一种蚀刻组合物，其特征在于，包括
2.将如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，
3.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，
4.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，
5.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，
6.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，
7.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，
8.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，
9.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，
10.一种将权利要求1-9中任一所述的蚀刻组合物用于湿法蚀刻硅锗的用途。
【技术特征摘要】
1.一种蚀刻组合物，其特征在于，包括
2.将如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，
3.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，
4.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，
5.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，
6.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：张文贝，刘兵，彭洪修，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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