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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
技术介绍
1、近年,例如在半导体器件的制造工序中,硅晶圆、化合物半导体晶圆等半导体基板的大口径化和薄型化取得进展。大口径且薄的半导体基板可能会在搬送时、研磨处理时产生翘曲、裂纹。因此,进行以下处理:在对半导体基板粘贴支承基板来进行加强之后进行搬送、研磨处理,之后,将支承基板从半导体基板剥离(参照专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1:日本特开2014-60381号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本公开提供一种能够使剥离处理高效化的技术。
3、用于解决问题的方案
4、本公开的一个方式的基板处理装置具备处理单元、测定单元以及控制部。处理单元一边保持在一对基板彼此之间形成有能量吸收层的重叠基板中的一个基板,一边对所述能量吸收层施加热能和光能中的至少一方来将另一个基板剥离。测定单元测定所述处理单元中的所述另一个基板的位移。控制部控制各部。另外,所述控制部基于所述另一个基板的位移来判定所述另一个基板是否被剥离了。
5、专利技术的效果
6、根据本公开,能够使剥离处理高效化。
【技术保护点】
1.一种基板处理装置,具备:
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其中,
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的基板处理装置,其中,
6.根据权利要求1~4中的任一项所述的基板处理装置,其中,
7.一种基板处理方法,包括:
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板处理装置,具备:
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的基板...
【专利技术属性】
技术研发人员:田村武,本田胜,北山殖也,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:
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