【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，尤其涉及一种ipd带通滤波器及其拓扑结构。
技术介绍
1、随着移动通信技术发展地越来越迅速，人们对各类数据的服务质量有了更高的需求，也对各类电子产品的体积和重量有了更高的要求。滤波器作为射频前端重要的无源器件，其实现的工艺种类也较为丰富。同轴腔体滤波器、波导滤波器、微带滤波器等都有各自较好的性能和优势，但是传统的基于传输线结构的滤波器在整个系统中占据很大的板面积，很难达到小型化的设计要求。传输线结构的谐振单元尺寸与频率有关，当频率过低时分布式元件的尺寸过大，所以选择更有尺寸优势的集总元件结构是必然的。
2、ipd(intergrated passive device)技术十分有利于射频集成，可以很好的解决无源器件体积大的问题。为了满足系统小型化、低成本的设计目标，ipd技术被广泛地应用到无源器件的设计中。很多无源器件例如滤波器、耦合器、功分器以及巴伦等都可以利用ipd技术进行设计。ipd技术的兼容性很好，可以提高微波电路系统的集成度，还可以作为元件基板进行系统封装。为此亟需一种基于ipd技术设计的带通滤波器拓扑结构。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种ipd带通滤波器及其拓扑结构，以满足移动通信技术中滤波器的小型化、高性能需求。
2、本专利技术的一个技术方案如下：一种ipd带通滤波器的拓扑结构，包括：切比雪夫滤波器、lc谐振单元和ct交叉耦合单元，所述切比雪夫滤波器分别连接lc谐振单元和ct交叉耦合单元；
3、所述切比雪
4、进一步地，所述切比雪夫滤波器为三阶拓扑结构。
5、进一步地，所述切比雪夫滤波器包括：第四电感l4、第五电感l5、第六电感l6、第五电容c5、第四电容c4和第六电容c6；
6、所述第四电感l4的一端连接lc谐振单元、第五电感l5的一端和第五电容c5的一端，所述第四电感l4的另一端连接第四电容c4的一端，所述第四电容c4的另一端连接第六电感l6的一端和第六电容c6的一端，所述第五电感l5的另一端、第五电容c5的另一端、第六电感l6的另一端和第六电容c6的另一端均连接ct交叉耦合单元。
7、进一步地，所述ct交叉耦合单元包括：第一电感l1、第一电容c1、第二电感l2和第二电容c2，所述第一电感l1的一端连接所述第五电感l5的另一端和第五电容c5的另一端，所述第一电感l1的另一端连接第一电容c1的一端，所述第一电容c1的另一端连接信号地，所述第二电感l2的一端连接第六电感l6的另一端和第六电容c6的另一端，所述第二电感l2的另一端连接第二电容c2的一端，所述第二电容c2的另一端连接信号地。
8、进一步地，lc谐振单元包括第三电感l3和第三电容c3，所述第三电感l3的一端与所述第三电容c3的一端连接，所述第三电容c3的另一端连接信号地。
9、进一步地，所述第三电感l3的另一端连接隔离电容c7。
10、本专利技术的另一个技术方案如下：一种ipd带通滤波器，包括上述任一所述的ipd带通滤波器的拓扑结构，ipd带通滤波器的拓扑结构刻蚀在基底板上。
11、进一步地，所述基底板的材料为高阻硅。
12、进一步地，所述切比雪夫滤波器、lc谐振单元和ct交叉耦合单元中的电感均为平面螺旋电感。
13、进一步地，所述切比雪夫滤波器、lc谐振单元和ct交叉耦合单元中的电容均为平行板电容结构。
14、本专利技术的有益效果：本专利技术提供了一种滤波器的ct交叉耦合结构，此结构中单个电感或者电容都能独立提供一个传输零点，在满足带外衰减的情况下又大大减小了滤波器尺寸，实现小型化的目的。本专利技术基于ipd技术进行设计，采用平面螺旋电感和平行板电容，使得结构更加紧凑，大大提高了滤波器的性能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种IPD带通滤波器的拓扑结构，其特征在于，包括：切比雪夫滤波器（1）、LC谐振单元（2）和CT交叉耦合单元（3），所述切比雪夫滤波器（1）分别连接LC谐振单元（2）和CT交叉耦合单元（3）；
2.如权利要求1所述的IPD带通滤波器的拓扑结构，其特征在于，所述切比雪夫滤波器（1）为三阶拓扑结构。
3.如权利要求2所述的IPD带通滤波器的拓扑结构，其特征在于，所述切比雪夫滤波器（1）包括：第四电感L4、第五电感L5、第六电感L6、第五电容C5、第四电容C4和第六电容C6；
4.如权利要求3所述的IPD带通滤波器的拓扑结构，其特征在于，所述CT交叉耦合单元（3）包括：第一电感L1、第一电容C1、第二电感L2和第二电容C2，所述第一电感L1的一端连接所述第五电感L5的另一端和第五电容C5的另一端，所述第一电感L1的另一端连接第一电容C1的一端，所述第一电容C1的另一端连接信号地，所述第二电感L2的一端连接第六电感L6的另一端和第六电容C6的另一端，所述第二电感L2的另一端连接第二电容C2的一端，所述第二电容C2的另一端连接信号地。
5
6.如权利要求4所述的IPD带通滤波器的拓扑结构，其特征在于，所述第三电感L3的另一端连接隔离电容C7。
7.一种IPD带通滤波器，其特征在于，包括权利要求1-6任一所述的IPD带通滤波器的拓扑结构，所述IPD带通滤波器的拓扑结构刻蚀在基底板上。
8.如权利要求7所述的IPD带通滤波器，其特征在于，所述基底板的材料为高阻硅。
9.如权利要求7所述的IPD带通滤波器，其特征在于，所述切比雪夫滤波器（1）、LC谐振单元（2）和CT交叉耦合单元（3）中的电感均为平面螺旋电感。
10.如权利要求7所述的IPD带通滤波器，其特征在于，所述切比雪夫滤波器（1）、LC谐振单元（2）和CT交叉耦合单元（3）中的电容均为平行板电容结构。
...【技术特征摘要】
1.一种ipd带通滤波器的拓扑结构，其特征在于，包括：切比雪夫滤波器（1）、lc谐振单元（2）和ct交叉耦合单元（3），所述切比雪夫滤波器（1）分别连接lc谐振单元（2）和ct交叉耦合单元（3）；
2.如权利要求1所述的ipd带通滤波器的拓扑结构，其特征在于，所述切比雪夫滤波器（1）为三阶拓扑结构。
3.如权利要求2所述的ipd带通滤波器的拓扑结构，其特征在于，所述切比雪夫滤波器（1）包括：第四电感l4、第五电感l5、第六电感l6、第五电容c5、第四电容c4和第六电容c6；
4.如权利要求3所述的ipd带通滤波器的拓扑结构，其特征在于，所述ct交叉耦合单元（3）包括：第一电感l1、第一电容c1、第二电感l2和第二电容c2，所述第一电感l1的一端连接所述第五电感l5的另一端和第五电容c5的另一端，所述第一电感l1的另一端连接第一电容c1的一端，所述第一电容c1的另一端连接信号地，所述第二电感l2的一端连接第六电感l6的另一端和第六电容c6的另一端，所述第二电感l2的另一端连接第二电容c2的一端...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦倩倩，姚昕，王波，王剑峰，周立彦，
申请(专利权)人：无锡中微高科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。