【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种包装覆盖带，尤其涉及一种适于晶圆级封装的高隔离性和高抗静电性电子元件包装覆盖带。
技术介绍
1、晶圆级封装(wlcsp,wafer level chip scale package)是一种先进的封装技术，其中晶圆上的集成电路(ic)在还位于晶圆上时就完成封装，与传统封装技术不同，wlcsp技术可允许更小、更薄、成本更低的封装，且能够实现更好的电性能和热性能。然而，由于wlcsp的尺寸很小，所以覆盖带上的凹槽需要精确地匹配wlcsp的尺寸，以确保其正确放置并防止移动，并且由于wlcsp的元件尺寸缩小，其对静电更为敏感，因此抗静电层的效能也尤为重要。
2、因此，尽管现有的电子元件包装覆盖带能够将电子元件储存于其中，并保护电子元件不受诸如碰撞、摩擦或其他外部因素的物理伤害，但仍需要一种解决这些问题且适于晶圆级封装的改进的电子元件包装覆盖带。
技术实现思路
1、本技术旨在提供一种同时具有高隔离性和高抗静电性能的电子元件包装覆盖带，适于晶圆级封装的电子元件，通过在包装覆盖带所设置的结构，并配合在覆盖带的不同层中添加导电材料或抗静电剂，实现覆盖带在保护电子零组件的同时，具有预防静电干扰的双重功能。
2、根据本技术的一实施方式，本技术提供一种高隔离性电子元件包装覆盖带，包括：基材层，形成所述包装覆盖带的主要结构，具有第一表面以及与所述第一表面不相同的第二表面；第一抗静电层，其设置在所述基材层的第一表面；黏合层，其相对于所述第一抗静电层，设置在所述基材层的第二
3、在本技术的一实施方式，所述第一表面用于朝向外部环境；以及，所述第二表面用于朝向所述电子元件。
4、在本技术的另一实施方式，还包括：第二抗静电层，其设置在所述黏合层和所述隔离层之间，所述第二抗静电层具有与所述隔离层相同的横向尺寸。
5、在本技术的另一实施方式，所述第一抗静电层与所述第二抗静电层为具连续导通网目的导电高分子，或包括金属粒子或抗静电剂的基材，所述导电高分子包括：聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯以及聚乙炔的其中之一；所述金属粒子包括：银、铜、金以及镍的其中之一；以及该抗静电剂，其本身具有吸附空气中水分及发挥效果的界面活性剂，包括：磷酸酯、硅氧烷、氨基酸酯以及磺酸盐的其中之一。
6、在本技术的另一实施方式，所述隔离层可由低介电常数材料制成，并掺杂或涂覆有抗静电材料。
7、在本技术的另一实施方式，所述基材层和/或所述黏合层可掺杂或涂覆有抗静电材料。
8、在本技术的另一实施方式，所述隔离层的横向尺寸介于所述黏合层以及所述电子元件的横向尺寸之间。
9、在本技术的一实施方式，所述抗静电层、所述黏合层以及所述隔离层以所述基材层的中线为基准，在与所述基材层的垂直方向，形成堆栈结构；或者，在本技术的另一实施方式，所述抗静电层、所述黏合层以及所述隔离层不以所述基材层的中线为基准，在与所述基材层的垂直方向，形成堆栈结构。
10、在本技术的一实施方式，所述电子元件包括集成电路芯片、mems元件、光学元件、射频元件、功率半导体以及发光二极管的至少其中之一。
11、在本技术的另一实施方式，还包括：第二抗静电层和第三抗静电层，所述第二抗静电层通过所述黏合层设置在所述基材层的所述第二表面，该三抗静电层位于靠近所述电子元件的位置，所述隔离层设置在所述第二抗静电层以及所述第三抗静电层之间，其中，所述第一抗静电层以及所述第二抗静电层具有相同的长度；且所述第一抗静电层与所述第二抗静电层的长度大于所述第三抗静电层的长度。
12、进一步的应用领域将从本文提供的描述中变得显而易见。应当理解，描述和具体示例仅旨在用于说明的目的，而不旨在限制本公开的范围。
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1.一种高隔离性高抗静电性的电子元件包装覆盖带，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高隔离性高抗静电性的电子元件包装覆盖带，其特征在于，所述第一表面用于朝向外部环境；以及，所述第二表面用于朝向所述电子元件。
3.根据权利要求2所述的高隔离性高抗静电性的电子元件包装覆盖带，其特征在于，还包括：第二抗静电层，其设置在所述黏合层和所述隔离层之间，所述第二抗静电层具有与所述隔离层相同的横向尺寸。
4.根据权利要求3所述的高隔离性高抗静电性的电子元件包装覆盖带，其特征在于，所述第一抗静电层与所述第二抗静电层为具连续导通网目的导电高分子，或包括金属粒子或抗静电剂的基材，所述导电高分子包括：聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯以及聚乙炔的其中之一；所述金属粒子包括：银、铜、金以及镍的其中之一；以及所述抗静电剂，其本身具有吸附空气中水分及发挥效果的界面活性剂，包括：磷酸酯、硅氧烷、氨基酸酯以及磺酸盐的其中之一。
5.根据权利要求2所述的高隔离性高抗静电性的电子元件包装覆盖带，其特征在于，所述隔离层可由低介电常数材料制成，并掺杂或涂覆有抗静电材料。
...【技术特征摘要】
1.一种高隔离性高抗静电性的电子元件包装覆盖带，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高隔离性高抗静电性的电子元件包装覆盖带，其特征在于，所述第一表面用于朝向外部环境；以及，所述第二表面用于朝向所述电子元件。
3.根据权利要求2所述的高隔离性高抗静电性的电子元件包装覆盖带，其特征在于，还包括：第二抗静电层，其设置在所述黏合层和所述隔离层之间，所述第二抗静电层具有与所述隔离层相同的横向尺寸。
4.根据权利要求3所述的高隔离性高抗静电性的电子元件包装覆盖带，其特征在于，所述第一抗静电层与所述第二抗静电层为具连续导通网目的导电高分子，或包括金属粒子或抗静电剂的基材，所述导电高分子包括：聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯以及聚乙炔的其中之一；所述金属粒子包括：银、铜、金以及镍的其中之一；以及所述抗静电剂，其本身具有吸附空气中水分及发挥效果的界面活性剂，包括：磷酸酯、硅氧烷、氨基酸酯以及磺酸盐的其中之一。
5.根据权利要求2所述的高隔离性高抗静电性的电子元件包装覆盖带，其特征在于，所述隔离层可由低介电常数材料制成，并掺杂或涂覆有抗静电材料。
6.根据权利要求2所述的高隔离性高抗静电性的电子元件包装覆盖带，其特征在于，所述基材层和/或所述黏合...
【专利技术属性】
技术研发人员：张媛甄，
申请(专利权)人：玮锋科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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