【技术实现步骤摘要】
本技术属于碳化硅废水，具体涉及一种半导体碳化硅废水处理系统。
技术介绍
1、碳化硅是具有广阔发展潜力的第三代新型半导体材料，碳化硅晶片和外延衬底在通信、汽车、电网、航空、航天、石油开采以及国防等各个领域有着广阔的应用前景。随着碳化硅产业的发展，随之而来的就是相对应的碳化硅废水的达标排放和回收利用等问题。碳化硅生产过程中会产生研磨废水、抛光废水、清洗废水、冷却废水、纯水生产废水、废气处理废水等，废水组分相对较复杂，含有氟化物、cod、氨氮、全盐量和悬浮物等等，不同工艺段排放废水的水质差异较大。因此，亟待于开发一种经济性好、成本较低的碳化硅废水处理工艺，可以较好地实现碳化硅废水的达标排放和回收利用。
技术实现思路
1、本专利技术针对碳化硅生产废水组分复杂、水质差异较大的技术问题，提供一种半导体碳化硅废水处理系统，以冷却废水及洁净清洗废水为原水，经反应、絮凝、沉淀和生物膜处理，一部分处理水排放至市政管网，另一部分处理水通过反渗透回用装置对废水进行深度处理，实现碳化硅废水的回收再利用，保护环境，减少污染。
2、为实现上述目的，本技术采用以下技术方案：
3、一种半导体碳化硅废水处理系统，包括依次相连通的调节池、第一反应池、第二反应池、混合池、絮凝池、沉淀池、浸没式膜过滤池、中间水池、反渗透回用装置和产水池；
4、所述调节池入水口通过管道分别与冷却废水的输送管、洁净清洗废水的排水管、反渗透回用装置的浓水出口相连；调节池和第一反应池之间设置原水提升泵；所述第一
5、在一个技术方案中，所述沉淀池的污泥出口通过管道连接至污泥处理系统。
6、在一个技术方案中，所述中间水池的出水口至市政管网之间的管道上设置有第一调节阀。
7、在一个技术方案中，所述中间水池与反渗透回用装置之间设置反渗透回用装置提升泵。
8、在一个技术方案中，所述中间水池与反渗透回用装置提升泵之间的管道上设置有第二调节阀。
9、在一个技术方案中，所述调节池、中间水池和产水池中均设置有液位计。
10、相比现有技术，本技术的有益效果在于：
11、本技术提出的半导体碳化硅废水处理系统，以碳化硅生产中产生的冷却废水和洁净清洗废水为原水，经反应、絮凝、沉淀和生物膜处理，一部分处理水排放至市政管网，另一部分处理水通过反渗透回用装置对废水进行深度处理，实现碳化硅废水的回收再利用，保护环境，减少污染。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体碳化硅废水处理系统，其特征在于，包括依次相连通的调节池（1）、第一反应池（2）、第二反应池（3）、混合池（4）、絮凝池（5）、沉淀池（6）、浸没式膜过滤池（7）、中间水池（8）、反渗透回用装置（9）和产水池（10）；
2.根据权利要求1所述的一种半导体碳化硅废水处理系统，其特征在于，所述沉淀池（6）的污泥出口通过管道连接至污泥处理系统。
3.根据权利要求1所述的一种半导体碳化硅废水处理系统，其特征在于，所述中间水池（8）的出水口至市政管网之间的管道上设置有第一调节阀。
4.根据权利要求1所述的一种半导体碳化硅废水处理系统，其特征在于，所述中间水池（8）与反渗透回用装置（9）之间设置反渗透回用装置提升泵（12）。
5.根据权利要求4所述的一种半导体碳化硅废水处理系统，其特征在于，所述中间水池（8）与反渗透回用装置提升泵（12）之间的管道上设置有第二调节阀。
6.根据权利要求1所述的一种半导体碳化硅废水处理系统，其特征在于，所述调节池（1）、中间水池（8）和产水池（10）中均设置有液位计。
【技术特征摘要】
1.一种半导体碳化硅废水处理系统，其特征在于，包括依次相连通的调节池（1）、第一反应池（2）、第二反应池（3）、混合池（4）、絮凝池（5）、沉淀池（6）、浸没式膜过滤池（7）、中间水池（8）、反渗透回用装置（9）和产水池（10）；
2.根据权利要求1所述的一种半导体碳化硅废水处理系统，其特征在于，所述沉淀池（6）的污泥出口通过管道连接至污泥处理系统。
3.根据权利要求1所述的一种半导体碳化硅废水处理系统，其特征在于，所述中间水池（8）的出水口至市政管网之间的...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵玉柱，韩璐，成雄剑，耿珍珠，
申请(专利权)人：中国电子工程设计院股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。