【技术实现步骤摘要】
本技术涉及光刻，具体涉及一种光刻设备。
技术介绍
1、光刻是微电子制造重要步骤，随着微电子技术的发展，光刻技术也在不断提高。
2、现有光刻设备结构复杂、操作繁琐、成本高昂，难以在普通用户中普及。并且，对于某些负性光刻胶，在验证其物性过程中，比如体积电阻和表面电阻等，要求胶膜大于10*10cm，需要将光刻胶涂到6吋或12吋晶圆上，固化后得到所需大小的胶膜，但在使用氢氟酸脱模时，胶膜较脆，容易断裂，从而无法进行测量。
3、因此，急需一种光刻的设备。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种光刻设备，以解决上述
技术介绍
中氢氟酸脱膜时，胶膜发生断裂的问题。
2、为实现上述目的，本技术采取以下技术方案：
3、本技术提供一种光刻设备，包括箱体、光源系统、光路系统、掩模组件和载物台，所述箱体的顶部设有所述光源系统，所述光源系统的下方设有所述光路系统，所述箱体的内部设有所述掩模组件，并且所述掩模组件设置在所述光路系统的下方，所述掩模组件的下方设有所述载物台。
4、所述的光刻设备，优选地，所述光路系统包括遮光板和凸透镜，所述遮光板设置在所述箱体上，所述遮光板的底部设有所述凸透镜，并且所述凸透镜设置在所述光源系统的下方，所述凸透镜的下方设有所述掩模组件。
5、所述的光刻设备，优选地，所述掩模组件包括掩模版和掩模台，所述掩模台固定在所述箱体内，并且位于所述凸透镜的下方，所述掩模台上设有开口，所述开口上能够拿取地设有所述掩模版，所述掩
6、所述的光刻设备，优选地，所述掩模版上设有图案。
7、所述的光刻设备，优选地，所述光源系统的光源波长为436nm、365nm及405nm中的任一种。
8、本技术由于采取以上技术方案，其具有以下优点：
9、光路系统根据光学原理设计，用于对光线进行准直、聚焦和引导。
10、掩模台用于放置掩模，掩模上带有图案，用于在光刻过程中对光刻胶进行曝光。
11、本技术将涂上负性胶的硅片放置到载物台上，对其进行曝光，使硅片上的光刻胶进行交联，增加胶膜的韧性，固化完后进行氢氟酸脱膜时，胶膜则不会发生断裂。
12、本技术结构简单，操作方便，成本低廉，可实现高效、高精度光刻，相较于现有技术，具有较大优势。
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1.一种光刻设备，其特征在于，包括箱体、光源系统、光路系统、掩模组件和载物台，所述箱体的顶部设有所述光源系统，所述光源系统的下方设有所述光路系统，所述箱体的内部设有所述掩模组件，并且所述掩模组件设置在所述光路系统的下方，所述掩模组件的下方设有所述载物台。
2.根据权利要求1所述的光刻设备，其特征在于，所述光路系统包括遮光板和凸透镜，所述遮光板设置在所述箱体上，所述遮光板的底部设有所述凸透镜，并且所述凸透镜设置在所述光源系统的下方，所述凸透镜的下方设有所述掩模组件。
3.根据权利要求2所述的光刻设备，其特征在于，所述掩模组件包括掩模版和掩模台，所述掩模台固定在所述箱体内，并且位于所述凸透镜的下方，所述掩模台上设有开口，所述开口上能够拿取地设有所述掩模版，所述掩模版的下方设有所述载物台。
4.根据权利要求3所述的光刻设备，其特征在于，所述掩模版上设有图案。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光刻设备，其特征在于，所述光源系统的光源波长为436nm、365nm及405nm中的任一种。
【技术特征摘要】
1.一种光刻设备，其特征在于，包括箱体、光源系统、光路系统、掩模组件和载物台，所述箱体的顶部设有所述光源系统，所述光源系统的下方设有所述光路系统，所述箱体的内部设有所述掩模组件，并且所述掩模组件设置在所述光路系统的下方，所述掩模组件的下方设有所述载物台。
2.根据权利要求1所述的光刻设备，其特征在于，所述光路系统包括遮光板和凸透镜，所述遮光板设置在所述箱体上，所述遮光板的底部设有所述凸透镜，并且所述凸透镜设置在所述光源系统的下方，所述凸透镜的下方设有所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王富荣，贾斌，范圣男，左立辉，
申请(专利权)人：明士北京新材料开发有限公司，
类型：新型
国别省市：
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