【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种图像传感器的工艺方法，属于半导体器件。
技术介绍
1、cmos图像传感器的满阱容量是每个像素可以容纳的最大检测信号量，是指物理上多少电子可以放入像素的存储区域，并且仍然能被准确读，这受相机像素的物理结构限制。
2、cmos图像传感器上的像素单元的多少即常说的多少万像素，这些像素单元制造在硅晶圆表面的特定掺杂的外延层上，每个像素单元一般分为逻辑和感光两部分，由微透镜、光电二极管、放大晶体管、传输晶体管、总线晶体管等构成。
3、由于消费电子如手机cmos图像传感器库存过高，产线出货量大为降低，亟待车载cmos图像传感器芯片来扩充产能。而车载cmos图像传感器芯片性能指标要求较高，目前的手机芯片直接转成车载芯片良率较低，且仅能适合性能指标要求低的360环视车载芯片，无法进行大规模生产。在一定的像素尺寸和既定制程条件下，车载cmos图像传感器的感光面积是不变的，也就是说填充系数是一定的，从而在完全耗尽的状态下，满阱容量几乎是固定的，较难做出调整，除非在cmos图像传感器在结构上做大的改变，而目前所有的cmos图像传感器都是遵从标准结构。而感光区的纵深也具备一定的极限，否则容易带来相应的图像拖拽。
技术实现思路
1、针对上述现有技术缺陷，本专利技术的任务在于提供一种提高cmos图像传感器满阱容量的方法。
2、本专利技术技术方案如下：一种提高cmos图像传感器满阱容量的方法，包括将除隔离p阱外的其他区域的离子注入浓度固定，并以第一步长改变所
3、进一步地，在获得次级离子注入浓度后，在次级离子注入浓度周围的设定范围内，以第三步长改变所述隔离p阱的离子注入浓度进行仿真得到具有最佳满阱容量的隔离p阱的三级离子注入浓度，重复迭代若干次得到n级离子注入浓度作为所述隔离p阱的最终工艺浓度制造cmos图像传感器，其中n次迭代的步长小于n-1次迭代的步长。
4、进一步地，制造cmos图像传感器时对所述隔离p阱进行离子注入的各工序均采用最终工艺浓度进行。
5、进一步地，所述第一步长为1.0e+13～2.0e+13。
6、进一步地，所述第二步长为5.0e+11～1.0e+12。
7、进一步地，所述仿真是对cmos图像传感器中的单个像素单元进行。
8、进一步地，所述仿真采用tcad仿真软件进行。
9、本专利技术与现有技术相比的优点在于：
10、本专利技术通过多次对隔离p阱的离子注入浓度的仿真得到隔离p阱的最终工艺浓度，改善了感光部分介质的电学特性，改变了隔离p阱的区域介电常数，从而提升cmos图像传感器的满阱容量，最终实现同时获得高满阱容量、高量子效率、低暗电流、高性躁比、高动态范围的高性能小尺寸像素。
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1.一种提高CMOS图像传感器满阱容量的方法，其特征在于，包括将除隔离P阱外的其他区域的离子注入浓度固定，并以第一步长改变所述隔离P阱的离子注入浓度进行仿真得到具有最佳满阱容量的隔离P阱的初级离子注入浓度，在初级离子注入浓度周围的设定范围内，以第二步长改变所述隔离P阱的离子注入浓度进行仿真得到具有最佳满阱容量的隔离P阱的次级离子注入浓度，将所述次级离子注入浓度作为所述隔离P阱的最终工艺浓度制造CMOS图像传感器，其中第一步长大于第二步长。
2.根据权利要求1所述的提高CMOS图像传感器满阱容量的方法，其特征在于，在获得次级离子注入浓度后，在次级离子注入浓度周围的设定范围内，以第三步长改变所述隔离P阱的离子注入浓度进行仿真得到具有最佳满阱容量的隔离P阱的三级离子注入浓度，重复迭代若干次得到N级离子注入浓度作为所述隔离P阱的最终工艺浓度制造CMOS图像传感器，其中N次迭代的步长小于N-1次迭代的步长。
3.根据权利要求1或2所述的提高CMOS图像传感器满阱容量的方法，其特征在于，制造CMOS图像传感器时对所述隔离P阱进行离子注入的各工序均采用最终工艺浓度进行。
4.根据权利要求1所述的提高CMOS图像传感器满阱容量的方法，其特征在于，所述第一步长为1.0E+13～2.0E+13。
5.根据权利要求4所述的提高CMOS图像传感器满阱容量的方法，其特征在于，所述第二步长为5.0E+11～1.0E+12。
6.根据权利要求1或2所述的提高CMOS图像传感器满阱容量的方法，其特征在于，所述仿真是对CMOS图像传感器中的单个像素单元进行。
7.根据权利要求1或2所述的提高CMOS图像传感器满阱容量的方法，其特征在于，所述仿真采用TCAD仿真软件进行。
...【技术特征摘要】
1.一种提高cmos图像传感器满阱容量的方法，其特征在于，包括将除隔离p阱外的其他区域的离子注入浓度固定，并以第一步长改变所述隔离p阱的离子注入浓度进行仿真得到具有最佳满阱容量的隔离p阱的初级离子注入浓度，在初级离子注入浓度周围的设定范围内，以第二步长改变所述隔离p阱的离子注入浓度进行仿真得到具有最佳满阱容量的隔离p阱的次级离子注入浓度，将所述次级离子注入浓度作为所述隔离p阱的最终工艺浓度制造cmos图像传感器，其中第一步长大于第二步长。
2.根据权利要求1所述的提高cmos图像传感器满阱容量的方法，其特征在于，在获得次级离子注入浓度后，在次级离子注入浓度周围的设定范围内，以第三步长改变所述隔离p阱的离子注入浓度进行仿真得到具有最佳满阱容量的隔离p阱的三级离子注入浓度，重复迭代若干次得到n级离子注入浓度作为所述隔离p阱的最终工艺浓度制造cmos...
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