System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种low-E玻璃及制备方法技术_技高网

一种low-E玻璃及制备方法技术

技术编号:41904291 阅读:7 留言:0更新日期:2024-07-05 14:10
本发明专利技术提供一种low‑E玻璃,从下至上依次包括第一玻璃基层、PVB胶片层、第二玻璃基层,所述第二玻璃基层远离所述PVB胶片层的一侧面从下至上依次设置的膜层有SiNx层、第一ZnOx层、第一Ag层、第一TiOx层、ZnO层、第二Ag层、第二TiOx层、第二ZnOx层、第三Ag层、Mo层、NbO<subgt;5</subgt;。调整膜层结构,提升膜层的耐加工性,从而提升成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及low-e玻璃,尤其涉及一种low-e玻璃及制备方法。


技术介绍

1、中国申请公布号为cn114043788 a,授权公告日为2022年02月15日,其具体涉及一种汽车天窗夹层玻璃及汽车,属于汽车玻璃生产的
,解决了现有的汽车天窗在夏季容易造成车内升温过高的问题。一种汽车天窗夹层玻璃,包括外层镀膜玻璃和内层镀膜玻璃:所述外层镀膜玻璃与内层镀膜玻璃之间设置有pvb胶片;所述外层镀膜玻璃包括三银low-e膜和外层玻璃基片;所述三银low-e膜位于所述外层玻璃基片靠近所述pvb胶片的一侧;所述内层镀膜玻璃包括阳光控制膜和内层玻璃基片;所述阳光控制膜位于所述内层玻璃基片远离所述pvb胶片的一侧。该现有技术存在的缺陷是:在实际生产过程中,夹层玻璃结构,生产时常出现的情况是由于膜层的稳定性不足,导致成品出现色差,从而降低成品率。鉴于这种情况,亟待改善。


技术实现思路

1、基于此,本专利技术的目的在于提供一种low-e玻璃及制备方法,调整膜层结构,提升膜层的耐加工性,从而提升成品率。

2、本专利技术提供一种low-e玻璃,从下至上依次包括第一玻璃基层、pvb胶片层、第二玻璃基层,所述第二玻璃基层远离所述pvb胶片层的一侧面从下至上依次设置的膜层有sinx层、第一znox层、第一ag层、第一tiox层、zno层、第二ag层、第二tiox层、第二znox层、第三ag层、mo层、nbo5。

3、优选的,所述sinx层的厚度为80-90nm。

4、优选的,所述第一znox层的厚度为5-15nm;所述第二znox层的厚度为10-20nm。

5、优选的,所述第一ag层的厚度为5-8nm;所述第二ag层的厚度为4-10nm;所述第二ag层的厚度为5-10nm。

6、优选的,所述第一tiox层的厚度为20-60nm;所述第二tiox层的厚度为6-20nm。

7、优选的,所述zno层的厚度为17-20nm。

8、优选的,所述mo层的厚度为2-5nm。

9、优选的,所述nbo5的厚度为80-150nm。

10、优选的,所述第一玻璃基层远离所述pvb胶片层的一侧面设置有zr膜层;所述zr膜层的厚度为80-150nm。

11、一种low-e玻璃的制备方法,包括以下步骤:

12、1)准备两片浮法玻璃,一片作为第一玻璃基层,另一片作为第二玻璃基层;

13、2)在第二玻璃基层上磁控溅射sinx层,采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,用交流中频电源溅射半导体材料;氩气和氮气的比例为1:1.3;溅射气压为2.5~8.5×10-3mbar;

14、3)在步骤2)的基础上,磁控溅射第一znox层,采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,溅射气压为2.5~8.5×10-3mbar;

15、4)在步骤3)的基础上,磁控溅射第一ag层,采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射银靶;

16、5)在步骤4)的基础上,磁控溅射第一tiox层,采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,用交流中频电源溅射;

17、6)在步骤5)的基础上,磁控溅射zno层,采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,用交流中频电源溅射;

18、7)在步骤6)的基础上,磁控溅射第二ag层,采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射银靶;

19、8)在步骤7)的基础上,磁控溅射第二tiox层,采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,用交流中频电源溅射;

20、9)在步骤8)的基础上,磁控溅射第二znox层,采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,溅射气压为2.5~8.5×10-3mbar;

21、10)在步骤9)的基础上,磁控溅射第三ag层,采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射银靶;

22、11)在步骤10)的基础上,磁控溅射mo层,使用靶材为mo靶,采用直流电源,在纯氩气工作气体中进行溅射;

23、12)在步骤11)的基础上,磁控溅射nbo5,氩气作为保护气体,用交流中频电源溅射陶瓷靶;

24、13)在第一玻璃基层上磁控溅射zr膜层,采用直流电源,在纯氩气工作气体中进行溅射;

25、14)在所述第一玻璃基层和所述第二玻璃基层之间设置pvb胶片层,通过加热和辊压,形成low-e夹层玻璃。

26、本专利技术的有益效果为:通过设置nbo5层,提高膜层之间的结合力,膜层强度高,配合mo层的化学稳定性,提升膜层的耐加工性,降低出现色差的几率,从而直接提高成品率。

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【技术保护点】

1.一种low-E玻璃,其特征在于:从下至上依次包括第一玻璃基层(12)、PVB胶片层(11)、第二玻璃基层(10),所述第二玻璃基层(10)远离所述PVB胶片层(11)的一侧面从下至上依次设置的膜层有SiNx层(14)、第一ZnOx层(15)、第一Ag层(16)、第一TiOx层(17)、ZnO层(18)、第二Ag层(19)、第二TiOx层(20)、第二ZnOx层(21)、第三Ag层(22)、Mo层(23)、NbO5(24)。

2.根据权利要求1所述的一种low-E玻璃,其特征在于:所述SiNx层(14)的厚度为80-90nm。

3.根据权利要求1所述的一种low-E玻璃,其特征在于:所述第一ZnOx层(15)的厚度为5-15nm;所述第二ZnOx层(21)的厚度为10-20nm。

4.根据权利要求1所述的一种low-E玻璃,其特征在于:所述第一Ag层(16)的厚度为5-8nm;所述第二Ag层(19)的厚度为4-10nm;所述第二Ag层(19)的厚度为5-10nm。

5.根据权利要求1所述的一种low-E玻璃,其特征在于:所述第一TiOx层(17)的厚度为20-60nm;所述第二TiOx层(20)的厚度为6-20nm。

6.根据权利要求1所述的一种low-E玻璃,其特征在于:所述ZnO层(18)的厚度为17-20nm。

7.根据权利要求1所述的一种low-E玻璃,其特征在于:所述Mo层(23)的厚度为2-5nm。

8.根据权利要求1所述的一种low-E玻璃,其特征在于:所述NbO5(24)的厚度为80-150nm。

9.根据权利要求1-8任一项所述的一种low-E玻璃,其特征在于:所述第一玻璃基层(12)远离所述PVB胶片层(11)的一侧面设置有Zr膜层(13);所述Zr膜层(13)的厚度为80-150nm。

10.一种low-E玻璃的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

...

【技术特征摘要】

1.一种low-e玻璃,其特征在于:从下至上依次包括第一玻璃基层(12)、pvb胶片层(11)、第二玻璃基层(10),所述第二玻璃基层(10)远离所述pvb胶片层(11)的一侧面从下至上依次设置的膜层有sinx层(14)、第一znox层(15)、第一ag层(16)、第一tiox层(17)、zno层(18)、第二ag层(19)、第二tiox层(20)、第二znox层(21)、第三ag层(22)、mo层(23)、nbo5(24)。

2.根据权利要求1所述的一种low-e玻璃,其特征在于:所述sinx层(14)的厚度为80-90nm。

3.根据权利要求1所述的一种low-e玻璃,其特征在于:所述第一znox层(15)的厚度为5-15nm;所述第二znox层(21)的厚度为10-20nm。

4.根据权利要求1所述的一种low-e玻璃,其特征在于:所述第一ag层(16)的厚度为5-8nm;所述第二ag层(19)的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹耀明
申请(专利权)人:东莞市银建玻璃工程有限公司
类型:发明
国别省市:

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