自动切换内存接口模式的闪存装置制造方法及图纸

一种自动切换内存接口模式的闪存控制器，应用于一具有多个闪存的储存装置，包括：一内存接口、一微处理单元及一接口模式控制单元。其中，微处理单元在初始设定程序时，是辨识内存接口所连接的各个闪存所支持的接口模式，进而分别设定对应的接口模式设定值于接口模式控制单元。于是当储存装置运作于一正常运作状态时，接口模式控制单元便会依据目前所致能的闪存而输出对应的接口模式设定值，使内存接口依据接口模式设定值来调整及切换接口模式。借此，以达到让储存装置充分发挥存取速度的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种闪存装置，特别是指一种在搭配不同型式的闪存 时，会自动切换内存接口模式的闪存装置。
技术介绍
请参考图1，为现有技术闪存储存装置的系统功能方块图。如图所示，闪存储存装置9包含有多个闪存91、 一控制器92及一系统接口 93。其中，闪存91是例如为NAND型闪存，而控制器92是通过系统 接口 93来连接一应用系统(图未示)，例如个人计算机、笔记型计算 机、工业用计算机、可携式多媒体播放装置、数字相机、数字摄影机 等。并且，系统接口 93可为并列式ATA接口(PATA)、串行式ATA接 口(SATA)、 CompactFlash接口 、 PCI-Express接口及USB接口等。控制器92是通过至少一 内存接口 921及922(或称为通道(Cha皿e1)) 来连接闪存91，并且每个通道可分别连接至少一闪存91。而控制器92 再针对每个内存接口 921及922来分别提供控制信号923及924以控 制每一闪存91。而图一所示者，即为一双通道的控制器92。由于NAND型闪存的接口存取速度可能由于制造厂商、容量大小 及制程等因素而会有所差异，在现有的闪存控制器的内存接口中，常 设计有可调整内存接口存取速度的设计。亦即，控制器可借由读取闪 存的制造厂商代码(Maker Code)以及闪存本身的装置代码(Device Code) 来辨识闪存的型式，并且选择合适的接口存取速度。举例来说，若控 制器的内存接口存取速度是支持70ns、 50ns、 25ns三种不同的速度(以 读取或写入触发信号宽度表示_ represented by RE# or WE# enable signal width),控制器即需先以最低的速度(70ns)来存取闪存，辨识其代 码，确定该闪存所支持的接口存取速度范围后，再调整闪存的接口电 路，以调整接口时序(timing)的方式来选择闪存可支持的范围内的最高 存取速度。借以避免因接口存取速度超过闪存可支持的范围，而导致 数据错误；或因接口存取速度过低，未能充分发挥储存装置存取效能 的现象。而除了接口时序的差异以外，为了提高内存接口的传输速度，业 界更提出了多种新规格，以及用来侦测与设定不同接口模式的标准。 例如开放式闪存接口(OpenNAND Flash Interface, ONFI)标准，就列出除了回朔兼容的基本接口模式ModeO之外的另外五种不同的接口存 取模式，亦即Mode 1~5。其中，又有两种接口其存取信号的动作模 式更支持延伸数据输出(ExtendedDataOut， EDO)的模式，以提高在高 速存取动作中，传输数据的稳定性。此外，在混合密度(Hybrid Density)的闪存储存装置中，所使用的闪存可能包含两种或两种以上不同型态的闪存。例如保存单一位数 据存储器制程技术称为单级单元制程(Single-level-cell， SLC)，而制成 的内存称为低密度内存(Low density memory);保存多位数据存储器制 程技术称为多级单元制程(Multi-level-cell， MLC)，而制成的内存则称 为高密度内存(High density memory)。此时，由于控制器是同时连接两 种以上不同型态的闪存，而控制器的内存接口虽然能调整其接口模式 或接口时序，但单一接口在同一时间，只能设定为一种模式与时序。 若同一接口同时连接两种或两种以上不同的闪存时，则控制器只能够 在侦测与辨识上述两种内存后，选择两种内存均支持的模式进行存取。 或者是在每次改变存取对象之前，进行调整内存接口的设定，先将接 口设定改变为即将存取的闪存所支持的模式。然而，上述操作不论是选择使用所有连接到同一界面的闪存都支 持的存取模式(通常是速度最慢者)，或者是在存取内存之前，频繁地改 变内存接口的设定，都不能达到充分发挥储存装置的存取效能，同时 避免数据错误的目的。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术所要解决的技术问题在于，在完成闪存的侦测、 辨识操作等初始设定程序之后，即可配合内存接口上所连接的各个闪 存所支持的不同存取接口模式，而分别进行设定相关的存取时序及标 准等设定值，进而使内存接口在之后正常运作状态下，能自动依据目 前所欲存取的闪存以及相对的设定值而进行切换内存接口的接口模 式，以达到充分发挥储存装置存取速度，以及有效避免数据错误的目 的。为了达到上述目的，本专利技术提供一种自动切换内存接口模式的闪存装置，其特征在于，包括一可连接多个闪存的闪存控制器，更包括:多个控制缓存器，用于储存各个闪存的接口模式设定值；一选择电路，用以切换输出该些接口模式设定值；及 一启动选择单元，控制该选择电路选择该些控制缓存器，以输出 接口模式设定值。为了达到上述目的，根据本专利技术所提出的一方案，提供一种自动 切换内存接口模式的闪存控制器，应用于一具有至少一闪存的储存装 置，其包括 一内存接口、 一微处理单元及一接口模式控制单元。其 中，内存接口连接该些闪存，并且提供多个启动脚位来对应启动该些 闪存，而微处理单元是控制该些启动脚位的致能运作，以通过该内存 接口来存取各个闪存。接口模式控制单元则是对应该些启动脚位来暂 存多个接口模式设定值，并接收该微处理单元的控制，以依据该些启 动脚位的致能运作来切换输出对应的接口模式设定值。其中，微处理 单元在一初始设定程序时是控制该接口模式控制单元固定切换输出一 基本接口模式设定值，以依序启动并辨识该些闪存的型式，而取得该 些闪存各自所支持的接口模式，并将代表该接口模式的接口模式设定 值设定于该接口模式控制单元。借此，当该储存装置运作于正常运作 状态时，该内存接口得以依据目前致能运作的启动脚位所对应的接口 模式设定值，而自动调整切换成该接口模式设定值所代表的接口模式， 以存取该启动的闪存。为了达到上述目的，根据本专利技术所提出的另一方案，提供一种自 动切换内存接口模式的方法，应用于一闪存控制器，该闪存控制器包 含一内存接口，以连接多个闪存，并且该内存接口提供多个启动脚位 用以分别启动该些闪存，而该方法的步骤包括首先，于一初始设定 程序下，预设切换该内存接口于一基本接口模式，进而依序致能该些 启动脚位，以辨识该些启动脚位所对应连接的闪存各自所支持的一接 口模式，并且更分别对应该些闪存的接口模式来进行设定及储存一接 口模式设定值。之后，当闪存控制器运作于一正常运作状态下时，则 依据该些启动脚位的致能运作，来切换输出对应的接口模式设定值。借此，使该内存接口得以依据目前致能运作的该启动脚位所对应 的接口模式设定值，而自动调整切换成该接口模式设定值所代表的接 口模式，以存取该启动的闪存。进而达到充分发挥储存装置存取速度， 以及有效避免数据错误的目的。 -以上概述与接下来的详细说明及附图，都是为了能进一步说明本 专利技术为达到预定目的所采取的方式、手段及技术效果。而有关本专利技术 的其它目的及优点，将在后续的说明及附图中加以阐述。附图说明图1为现有技术闪存储存装置的系统功能方块图2为本专利技术自动切换内存接口模式的闪存控制器的实施例方块图3为本专利技术的接口模式控制单元的实施例1方块图；图4为本专利技术的接口模式控制单元的实施例2方块图；及 图5为本专利技术自动切换内存接口模式的方法的实施例流程图。主要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自动切换内存接口模式的闪存装置，其特征在于，包括一可连接多个闪存的闪存控制器，更包括：　多个控制缓存器，用于储存各个闪存的接口模式设定值；　一选择电路，用以切换输出该些接口模式设定值；及　一启动选择单元，控制该选择电路 选择该些控制缓存器，以输出接口模式设定值。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明达，林传生，谢祥安，
申请(专利权)人：威刚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]