具数据修正功能的闪存储存装置制造方法及图纸

一种闪存储存装置，是在对一闪存执行一复制回存程序时，进行数据修正功能，闪存具有至少一记忆单元及一记忆页缓冲区，而闪存控制器包括：一传输缓冲区、一错误修正单元、一修正信息暂存器及一微处理单元。微处理单元是在对闪存产生一复制记忆页的读取指令后，读取记忆页缓冲区的数据而暂存至传输缓冲区，进而控制错误修正单元检测及修正传输缓冲区的数据以产生一检测结果。最后依据检测结果中的一数据错误数量来产生相异的一烧录指令，以将修正后的数据烧录至记忆单元。以达到改善可靠度及存取效率的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种闪存储存装置，特别指一种在对闪存执行复制回存(CopyBack)指令与作业时，能对数据进行修正的闪存储存装置。
技术介绍
近几年来，由于NAND闪存具有成本低、读写速度快、省电及可 靠度高等优点，因而广泛地被应用在消费型电子产品作为储存媒体使用。而由于NAND型闪存在读写单位容量及抹除单位容量实际上是不 同的，因而必须透过特殊的方式(一般称为闪存文件系统(Flash File System, FFS))来分配与管理NAND型闪存的储存空间。其中，读写单 位容量是记忆页(Page)，而抹除单位容量则是记忆区块(Block)，并且记 忆区块容量较大，通常包含32或64个记忆页。另外，NAND型闪存 在更新数据时，其记忆单元必须经过抹除以后，才能写入新的数据， 如此一来，在没有同时更新一个记忆区块内的所有记忆页的数据时， 就必须将并未更新而仍旧有效的数据，从即将被抹除的记忆区块复制 到新的记忆区块。为了提高数据从NAND型闪存内的来源记忆区块(Source Memory Block)复制到目标记忆区块(Target Memory Block)的速度，NAND型闪 存提供了新的控制指令与通讯协定，让原本记录在NAND型闪存的记 忆单元的数据，先读取到NAND型闪存内的记忆页缓冲区(Page Buffer) 后，在不需将数据传送到NAND型闪存外的控制器的情况下，便可重 新传回NAND型闪存的记忆单元的其他位置。亦即，可以先执行读取 记忆页(Read Page)的指令，然后再执行写入记忆页(Write Page)的指令 (俗称烧录(Program)指令)，以直接将记忆页缓冲区内所保存的数据重新 记录到NAND型闪存的记忆单元的其他位置，而且每次可直接复制一 个记忆页的数据。而这项指令与通讯协定，即被称为复制回存(Copy Back)指令与作业。而由于NAND型闪存的记忆单元的保存数据可靠度有限，因此 NAND型闪存厂商通常会在规格书中提出建议采用的错误检查码 (Error Correction Code, ECC)的强度。例如，若建议的ECC强度为 lbit/512Byte时，即表示每512个位元组若有1个位元的数据发生错误，并且加以修正。值得注意的是，在控制器对NAND型闪存执行复制回存作业时， 由于记录在记忆单元中的数据，并未传送到NAND型闪存外，也就是 不会经由控制器来进行错误检查。因此，原本存放在NAND型闪存内 的数据若发生错误，经过该复制回存指令复制到其他位置时，错误的 数据将会直接从来源记忆页被复制到新的目标记忆页的位置，而不会 经过侦测错误与修正的程序。为了克服这项问题，现有技术提出了在完成复制回存作业后，控 制器会进一步透过读取记忆页的指令来读取已复制到新的目标记忆页 内的数据，以进行ECC的检査而确定数据的正确性。并且在侦测到数 据发生错误的时候，放弃己经完成复制的数据，并进行修正。然而此一现有技术，虽能在完成复制回存作业后，发现数据错误 并采取修正作业。但是，由于数据已经自来源记忆页复制到目标记忆 页，致使错误数据已占用了目标记忆页。因而必须再将已经复制到目 标记忆区块内的所有有效数据，重新复制到其他记忆区块，能将已存 放错误数据的目标记忆区块予以抹除。于是，在发生数据错误的情况 下，将会额外产生许多延迟的时间与修正处理作业，以致严重影响到 利用复制回存来提升数据写入与更新速度的效果及目的。而为了克服此项问题，目前业界更提出了一种新的控制器作业模 式，其是在执行复制回存指令的作业流程中，可以在将NAND型闪存 的记忆单元中的数据读取存放到NAND型闪存内的记忆页缓冲区后， 控制器可以先将记忆页缓冲区内的数据读取出来，检査其正确性，并 于发现错误时，对记忆页缓冲区内的错误数据进行修正，然后才再将 记忆页缓冲区内经过修正的数据烧录(Progmm)到记忆单元中的新的位 置。但是，上述现有作业流程虽可修正来源数据内的错误，确保复制 回存作业将正确的数据烧录到新的位置。然而，当发现错误而进行修 正时，则需由控制器透过ECC检查码侦测数据发生错误的位置，并逐 一将错误予以修正。由于发生错误的位置不一定连续，为了改变修正 错误数据的位置，必须逐一透过输入指令、数据位址与正确数据的方 式，来完成修正NAND型闪存的记忆页缓冲区内的错误数据。于是， 在错误数据较多状况下，则需要许多额外的作业时间，致使同样无法 有效达到缩短作业时间的功效。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术所要解决的技术问题在于，借助闪存控制器的 改良，以改变闪存控制器对闪存所执行的复制回存(Copy Back)指令及作业的程序。借此，可依据来源记忆页所储存的数据内容是否发生错 误，以及发生错误的数量，而选择不同的处理方式来处理。进而达到 确保闪存储存数据的可靠度以及提升闪存控制器的存取速度的目的。为了达到上述目的，本专利技术提供一种具数据修正功能的闪存储存 装置，包括 一闪存，具有至少一记忆单元及一记忆页缓冲区； 一传 输缓冲区，用以暂存对该记忆页缓冲区存取的数据； 一错误修正单元， 连接该传输缓冲区，用以依据一错误检査码来检测及修正该传输缓冲 区中的数据，并产生一检测结果；及一修正信息暂存器，连接该错误 修正单元，用以暂存该检测结果。换句话说，根据本专利技术所提出的一方案，提供一种具数据修正功 能的闪存储存装置，其在对一闪存执行一复制回存程序时，进行该数 据修正功能，其中该闪存具有至少一记忆单元及一记忆页缓冲区(Page Buffer),而该闪存控制器包括 一传输缓冲区、 一错误修正单元、一 修正信息暂存器及一微处理单元。其中，传输缓冲区是用以暂存对该 记忆页缓冲区存取的数据，错误修正单元连接传输缓冲区，用以依据 一错误检查码(ECC)来检测及修正该传输缓冲区中的数据，并产生一检 测结果。而修正信息暂存器连接错误修正单元，用以暂存该检测结果。 最后，微处理单元在对该闪存产生一复制记忆页的读取指令之后，读 取该记忆页缓冲区中的数据而暂存至该传输缓冲区，并控制该错误修 正单元及该修正信息暂存器进行运作，进而该微处理单元再依据该检 测结果中的一数据错误数量来产生相异的一烧录指令，以将该修正后 的数据烧录至该记忆单元。为了达到上述目的，根据本专利技术所提出的另一方案，提供一种闪 存控制器的数据修正方法，其应用在对一闪存执行一复制回存程序， 该闪存具有至少一记忆单元及一记忆页缓冲区，而该数据修正方法的 步骤包括首先，对该闪存产生一复制记忆页的读取指令，并读取该 记忆页缓冲区的数据至一传输缓冲区，接着进行检测及修正该传输缓 冲区的数据，并取得一检测结果。进而依据该检测结果的一数据错误 数量来产生相异的一烧录指令，以将该修正后的数据烧录至该记忆单 元。综上所述，本专利技术主要是改变闪存控制器对闪存所执行的复制回 存(Copy Back)程序。借此，能够提高闪存控制器执行复制回存程序时 的效能，省时又能确保数据复制后的正确性。此外，更重要的是本发 明能依据读取来源记忆页所保存数据内容是否发生错误，以及发生错 误的数量，选择较佳的处理方式，确实改善闪存储存数据的可靠度与 存取速度的功效。以上的概述与接下来的详细说明及附图，皆是为了能进一步说明本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具数据修正功能的闪存储存装置，其特征在于，包括：　一闪存，具有至少一记忆单元及一记忆页缓冲区；　一传输缓冲区，用以暂存对该记忆页缓冲区存取的数据；　一错误修正单元，连接该传输缓冲区，用以依据一错误检查码来检测及修正该传 输缓冲区中的数据，并产生一检测结果；及　一修正信息暂存器，连接该错误修正单元，用以暂存该检测结果。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明达，林传生，谢祥安，
申请(专利权)人：威刚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]