IGBT的阻焊结构制造技术

技术编号:41898867 阅读:8 留言:0更新日期:2024-07-05 14:06
本技术公开了一种IGBT的阻焊结构,其属于电子技术领域。IGBT的阻焊结构,包括:主板,主板上具有多个焊接区域,焊接区域内焊接有DBC基板;IGBT的阻焊结构还包括:防溢槽,设置在主板的表面,且防溢槽围绕焊接区域设置;印刷层,设于主板上方;阻焊剂层,设置于印刷层上,且阻焊剂层层对应设置在防溢槽上方。本技术的有益效果在于提供了一种能够限制焊锡流动来降低产品次品率的阻焊结构。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子,具体而言,涉及一种igbt的阻焊结构。


技术介绍

1、随着各个地区经济的飞速发展和科技的进步,igbt模块是由igbt(绝缘栅双极型晶体管芯片)与fwd(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,封装后的igbt模块直接应用于变频器、ups不间断电源等设备上。

2、授权公告号为cn209056480u的中国技术专利公开了一种应用于igbt功率模块封装的陶瓷覆铜板装置,包含散热底板、dbc板、连桥、igbt芯片和fwd芯片、铝线,所述散热底板的上方设置有dbc板,且dbc板的内侧安置有dbc板第一区域,所述dbc板第二区域固定于dbc板的内部,且dbc板的内侧设置有dbc板第三区域,所述连桥固定于dbc板第三区域的内部,所述dbc板的内部设置有阻焊框,且dbc板的内侧设置有dbc板第四区域。该应用于igbt功率模块封装的dbc板装置有igbt芯片,且dbc板第三区域与igbt芯片、fwd芯片的连接方式为焊接。

3、将igbt芯片封装成模块过程中,一般使用陶瓷覆铜板(dbc板)实现绝缘、导热、焊接、导电等性能,dbc是由陶瓷基材、键合粘接层及导电层而构成。

4、然而,在dbc和底板的焊接封装工序中,偶尔会出现焊锡未及时凝固导致焊锡外流,使得相邻dbc板之间的短路,从而提高了产品的次品率。


技术实现思路

1、本技术的目的在于:提供了一种igbt的阻焊结构。本技术可以限制未及时凝固的焊锡外流导致相邻dbc板之间的短路,降低了产品的次品率。

2、本技术的内容部分用于以简要的形式介绍构思,这些构思将在后面的具体实施方式部分被详细描述。本申请的内容部分并不旨在标识要求保护的技术方案的关键特征或必要特征,也不旨在用于限制所要求的保护的技术方案的范围。

3、为了解决以上
技术介绍
部分提到的技术问题,本申请的一些实施例提供了一种igbt的阻焊结构,包括:

4、主板,主板上具有多个焊接区域,焊接区域内焊接有dbc基板;

5、igbt的阻焊结构还包括:

6、防溢槽,设置在主板的表面,且防溢槽围绕焊接区域设置;

7、印刷层,设于主板上方;

8、阻焊剂层,设置于印刷层上,且阻焊剂层对应设置在防溢槽上方。

9、进一步地,防溢槽首尾相连呈框状,形成防溢框槽。

10、进一步地,dbc基板位于阻焊剂层的上方。

11、进一步地,dbc基板位于防溢框槽的框内。

12、进一步地,阻焊剂层位于dbc基板的两侧边相交形成的角的下方。

13、进一步地,dbc基板包括:

14、第一焊接层,焊接于主板上;

15、绝缘层,设于第一焊接层上;

16、第二焊接层,设于绝缘层上;

17、其中,绝缘层位于第一焊接层与第二焊接层之间。

18、进一步地,第二焊接层在主板上的投影面的轮廓位于绝缘层在主板上的投影面的轮廓内。

19、进一步地,第一焊接层在主板上的投影面的轮廓位于绝缘层在主板上的投影面的轮廓内。

20、进一步地,第一焊接层在主板上的投影面的轮廓与绝缘层在主板上的投影面的轮廓重叠。

21、进一步地,主板上开设有穿孔,以使将主板固定至设备上;

22、主板的角上设有加固块,用于提高主板的强度;

23、其中,穿孔至少部分位于加固块上。

24、与现有技术相比,本技术具有以下有益效果:

25、1、通过防溢框槽的设置,使得芯片、电路板在焊接至主板上时所形成的焊锡在防溢框槽内流动而不会流动至防溢框槽以外的区域接触到相邻的dbc基板,使得相邻的dbc基板之间互相导电后短路,有效的降低了产品的次品率。

26、2、通过dbc基板内绝缘层的设置,有效地将芯片与模块的散热基座隔离开来,保护芯片,延长芯片使用寿命。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IGBT的阻焊结构,包括主板(101),主板(101)上具有多个焊接区域,焊接区域内焊接有DBC基板(104);

2.根据权利要求1所述的IGBT的阻焊结构,其特征在于:

3.根据权利要求2所述的IGBT的阻焊结构,其特征在于:

4.根据权利要求3所述的IGBT的阻焊结构,其特征在于:

5.根据权利要求2所述的IGBT的阻焊结构,其特征在于:

6.根据权利要求3所述的IGBT的阻焊结构,其特征在于:

7.根据权利要求6所述的IGBT的阻焊结构,其特征在于:

8.根据权利要求6所述的IGBT的阻焊结构,其特征在于:

9.根据权利要求6所述的IGBT的阻焊结构,其特征在于:

10.根据权利要求9所述的IGBT的阻焊结构,其特征在于:

【技术特征摘要】

1.一种igbt的阻焊结构,包括主板(101),主板(101)上具有多个焊接区域,焊接区域内焊接有dbc基板(104);

2.根据权利要求1所述的igbt的阻焊结构,其特征在于:

3.根据权利要求2所述的igbt的阻焊结构,其特征在于:

4.根据权利要求3所述的igbt的阻焊结构,其特征在于:

5.根据权利要求2所述的igbt...

【专利技术属性】
技术研发人员:章恒镖
申请(专利权)人:杭州骉昇科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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