【技术实现步骤摘要】
本文所述的本专利技术构思的实施方式涉及基板处理方法和基板处理装置。
技术介绍
1、传统上，半导体工艺中使用的基板处理装置包括液体处理室，该液体处理室对基板执行液体处理(例如，光致抗蚀剂液体涂覆、抗反射层涂覆、显影液体涂覆等)。
2、韩国专利注册公开第10-0386712号(于2001年8月20日公开)包含一种基板显影处理方法的实施方式。参考上述公开，传统的基板显影处理方法包括将显影液涂覆在基板上以形成液膜的涂覆工序、使基板上的薄膜与显影液的液膜反应的搅炼工序(puddleprocess)、以及在基板上供应漂洗液的漂洗工序。
3、同时，传统上，在上述工序期间，出于烟气去除等目的，对基板所定位的处理空间进行连续排出，因此，出现了一个问题，其中在搅炼工序期间基板的前表面没有被润湿，并且局部出现了空的空间(＝其上没有发生显影)。
技术实现思路
1、本专利技术构思的实施方式提供了一种基板处理方法，在该方法中，在搅炼工序期间，在基板的前表面之中不会产生未进行显影的部分。
2、本专利技术构思的技术目的不限于上述技术目的，根据以下描述，其他未提及的技术目的对本领域技术人员将变得显而易见。
3、本专利技术构思提供了一种基板处理方法。该基板处理方法包括：将基板定位在处理空间中；通过向旋转的基板供应处理液，在所述基板上形成处理液的液膜；和搅炼，所述搅炼包括停止所述供应所述处理液并使所述基板上的薄膜与所述基板上的所述液膜反应，并且其中在所述搅炼期间在所述处理
4、在一个实施方式中，所述搅炼期间在所述处理空间中提供的所述排出压力为零。
5、在一个实施方式中，所述基板处理方法还包括：漂洗，所述漂洗包括向已经进行了所述搅炼的所述基板供应漂洗液，并且其中在所述漂洗期间在所述处理空间中提供的排出压力高于在所述搅炼期间在所述处理空间中提供的所述排出压力。
6、在一个实施方式中，在所述形成所述液膜中向所述旋转的基板供应所述处理液包括在将供应位置从所述基板的边缘区域改变到中心区域的同时向所述基板供应所述处理液。
7、在一个实施方式中，将所述形成所述液膜和所述搅炼重复n(n≥2)次。
8、在一个实施方式中，n在2≤n≤5的范围内。
9、在一个实施方式中，所述处理液被提供作为显影液。
10、在一个实施方式中，所述漂洗液以纯水的形式提供。
11、在一个实施方式中，所述基板处理方法还包括：对已经进行了所述漂洗的所述基板进行干燥。
12、在一个实施方式中，在所述形成所述液膜时，所述基板以约30rpm或更低的速度旋转。
13、在一个实施方式中，在所述搅炼时，所述基板以约30rpm或更低的速度旋转或不旋转。
14、本专利技术构思提供了一种基板处理装置。基板处理装置包括：壳体；杯状体，所述杯状体布置在所述壳体内并提供处理空间；支撑板，所述支撑板布置在所述处理空间内并支撑和旋转所述基板；第一喷嘴，所述第一喷嘴用于向被安装在所述支撑板上的基板喷射处理液；排出管，所述排出管用于所述杯状体的内部向外排放；泵，所述泵联接至所述排出管；阀，所述阀用于打开和关闭所述排出管；和控制器，所述控制器被配置为控制所述支撑板、所述第一喷嘴、所述泵和所述阀，并且其中所述控制器进行控制以使得当被供应至所述基板的所述处理液的液体层与所述基板的薄膜反应时在所述处理空间中提供的排出压力低于当向所述基板供应所述处理液时在所述处理空间中提供的排出压力。
15、在一个实施方式中，当被供应至所述基板的所述处理液的所述液体层与所述基板的薄膜反应时，控制器将在所述处理空间中提供的所述排出压力控制为零。
16、在一个实施方式中，所述处理液被提供作为显影液。
17、在一个实施方式中，所述基板处理装置还包括第二喷嘴，所述第二喷嘴向被安装在所述支撑板上的所述基板喷射漂洗液。
18、在一个实施方式中，所述漂洗液是纯水。
19、在一个实施方式中，所述基板处理装置还包括液体排放管，所述液体排放管用于从所述杯状体的内部排放液体。
20、本专利技术构思提供了一种基板处理方法。所述基板处理方法包括将基板定位在处理空间中；通过向旋转的基板供应显影液，在所述基板上形成显影液的液膜；和搅炼，所述搅炼包括停止所述供应所述显影液并使所述基板上的薄膜与所述显影液的液膜反应，并且其中在所述搅炼期间在所述处理空间中提供的排出压力低于在所述形成所述液膜期间在所述处理空间中提供的排出压力，并且将所述形成所述液膜和所述搅炼重复三次。
21、在一个实施方式中，在所述搅炼期间在所述处理空间中提供的所述排出压力为零。
22、在一个实施方式中，所述基板处理装置还包括：漂洗，包括向已经进行了所述搅炼的所述基板供应漂洗液，并且其中在所述漂洗期间在所述处理空间中提供的排出压力高于在所述搅炼期间在所述处理空间中提供的所述排出压力。
23、根据本专利技术构思的一个实施方式，解决了在基板上的液膜形成工序之后，在搅炼工序期间对基板的边缘局部不进行显影的问题。
24、本专利技术构思的效果不限于上述效果，根据以下描述，其他未提及的效果对本领域技术人员变得显而易见。
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1.一种基板处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中在所述搅炼期间在所述处理空间中提供的所述排出压力为零。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，还包括：
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中在所述形成所述液膜中向所述旋转的基板供应所述处理液包括：在将供应位置从所述基板的边缘区域改变为中心区域的同时向所述基板供应所述处理液。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中将所述形成所述液膜和所述搅炼重复N次，N≥2。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中N在2≤N≤5的范围内。
7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中所述处理液被提供作为显影液。
8.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中所述漂洗液以纯水的形式提供。
9.根据权利要求3所述的基板处理方法，还包括：
10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中在所述形成所述液膜时，所述基板以约30rpm或更低的速度旋转。
11.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中在所述搅炼时，所述
12.一种基板处理装置，包括：
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中当被供应至所述基板的所述处理液的所述液体层与所述基板的薄膜反应时，所述控制器将在所述处理空间中提供的所述排出压力控制为零。
14.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中所述处理液被提供作为显影液。
15.根据权利要求12所述的基板处理装置，还包括第二喷嘴，所述第二喷嘴向被安装在所述支撑板上的所述基板喷射漂洗液。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中所述漂洗液是纯水。
17.根据权利要求12所述的基板处理装置，还包括液体排放管，所述液体排放管用于从所述杯状体的内部排放液体。
18.一种基板处理方法，包括：
19.根据权利要求18所述的基板处理方法，其中在所述搅炼期间在所述处理空间中提供的所述排出压力为零。
20.根据权利要求18所述的基板处理装置，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中在所述搅炼期间在所述处理空间中提供的所述排出压力为零。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，还包括：
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中在所述形成所述液膜中向所述旋转的基板供应所述处理液包括：在将供应位置从所述基板的边缘区域改变为中心区域的同时向所述基板供应所述处理液。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中将所述形成所述液膜和所述搅炼重复n次，n≥2。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中n在2≤n≤5的范围内。
7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中所述处理液被提供作为显影液。
8.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中所述漂洗液以纯水的形式提供。
9.根据权利要求3所述的基板处理方法，还包括：
10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中在所述形成所述液膜时，所述基板以约30rpm或更低的速度旋转。
11.根据权利要求...
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