【技术实现步骤摘要】
本技术属于控制电路领域，具体涉及一种半导体开关控制电路。
技术介绍
1、现有的用于加热的控制电路，往往控制模式单一，难以根据供电电压主动进行加热模式的转换，占据诸多控制信号通道，或者控制模式复杂不能精简电路结构，效率低、能耗高，难以适应越来越复杂的加热供电场景。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种半导体开关控制电路，以解决现有技术中存在的技术问题。
2、一种半导体开关控制电路，其特征在于，具备微控制芯片、半导体开关组件、两个或以上的加热单元；微控制芯片与半导体开关组件电连接，通过控制半导体开关组件的通断来控制两个或以上的加热单元与加热单元供电的通断，以此改变两个或以上的加热单元的加热工作状态。
3、进一步，半导体开关组件包括与加热单元数量相对应的半导体开关，一个半导体开关控制一个加热单元与加热单元供电的通断。
4、进一步，半导体开关包括场效应管，场效应管栅极接收微控制芯片的脉冲宽度调制信号，微控制芯片发送脉冲宽度调制信号以控制场效应管的通断。
5、进一步，场效应管栅极与源极间连接第一电阻，场效应管漏极与源极间串联连接第二电阻和第一电容，加热单元供电通过第二电容接地。
6、进一步，半导体开关组件包括模拟开关芯片，模拟开关芯片一端接加热单元供电，另两端分别接第一加热单元和第二加热单元；模拟开关芯片受微控制芯片控制，当微控制芯片发出高电平信号，模拟开关芯片使得加热单元供电与第一加热单元连通；当微控制芯片发出低电平信号，模
7、进一步，半导体开关组件包括第三场效应管和第四场效应管，第三场效应管和第四场效应管的栅极接收微控制芯片的控制信号，当微控制芯片的控制信号为高电平时，第三场效应管导通，第四场效应管断开，加热单元供电与第一加热单元连通；当微控制芯片的控制信号为低电平时，第三场效应管断开，第四场效应管导通，加热单元供电与第二加热单元连通。
8、进一步，第一加热单元通过第五场效应管接地，第二加热单元通过第六场效应管接地；第五场效应管和第六场效应管的栅极接收微控制芯片的控制信号，当微控制芯片的控制信号为高电平时，第五场效应管导通，第六场效应管断开，第一加热单元接地；当微控制芯片的控制信号为低电平时，第五场效应管断开，第六场效应管导通，第二加热单元接地。
9、进一步，第五场效应管栅极和源极之间串接电阻；第六场效应管栅极和源极之间串接电阻。
10、进一步，加热单元上设置有温度采集单元，温度采集单元将加热单元的当前温度数据传输给微控制芯片。
11、进一步，半导体开关控制电路包括数码管档位显示单元。
12、本申请的半导体开关控制电路，可用于诸多加热场景，包括但不限于：暖手袋、保温壶、加热器、电热毯、热水器等，可根据供电电压主动进行加热模式的转换，节省了控制通道，精简电路结构，拥有较高的电路稳定性和控制精度，效率高、能耗低。
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1.一种半导体开关控制电路，其特征在于，具备微控制芯片、半导体开关组件、两个或以上的加热单元；所述微控制芯片与所述半导体开关组件电连接，通过控制所述半导体开关组件的通断来控制所述两个或以上的加热单元与加热单元供电的通断，以此改变所述两个或以上的加热单元的加热工作状态。
2.如权利要求1所述的半导体开关控制电路，其特征在于，所述半导体开关组件包括与所述加热单元数量相对应的半导体开关，一个所述半导体开关控制一个所述加热单元与所述加热单元供电的通断。
3.如权利要求2所述的半导体开关控制电路，其特征在于，所述半导体开关包括场效应管，所述场效应管栅极接收所述微控制芯片的脉冲宽度调制信号，所述微控制芯片发送所述脉冲宽度调制信号以控制所述场效应管的通断。
4.如权利要求3所述的半导体开关控制电路，其特征在于，所述场效应管栅极与源极间连接第一电阻，所述场效应管漏极与源极间串联连接第二电阻和第一电容，所述加热单元供电通过第二电容接地。
5.如权利要求1所述的半导体开关控制电路，其特征在于，所述半导体开关组件包括模拟开关芯片，所述模拟开关芯片一端接所
6.如权利要求1所述的半导体开关控制电路，其特征在于，所述半导体开关组件包括第三场效应管和第四场效应管，所述第三场效应管和第四场效应管的栅极接收所述微控制芯片的控制信号，当所述微控制芯片的控制信号为高电平时，所述第三场效应管导通，所述第四场效应管断开，所述加热单元供电与第一加热单元连通；当所述微控制芯片的控制信号为低电平时，所述第三场效应管断开，所述第四场效应管导通，所述加热单元供电与第二加热单元连通。
7.如权利要求6所述的半导体开关控制电路，其特征在于，所述第一加热单元通过第五场效应管接地，所述第二加热单元通过第六场效应管接地；所述第五场效应管和第六场效应管的栅极接收所述微控制芯片的控制信号，当所述微控制芯片的控制信号为高电平时，所述第五场效应管导通，所述第六场效应管断开，所述第一加热单元接地；当所述微控制芯片的控制信号为低电平时，所述第五场效应管断开，所述第六场效应管导通，所述第二加热单元接地。
8.如权利要求7所述的半导体开关控制电路，其特征在于，所述第五场效应管栅极和源极之间串接电阻；所述第六场效应管栅极和源极之间串接电阻。
9.如权利要求1-8任一项所述的半导体开关控制电路，其特征在于，所述加热单元上设置有温度采集单元，所述温度采集单元将加热单元的当前温度数据传输给所述微控制芯片。
10.如权利要求1-8任一项所述的半导体开关控制电路，其特征在于，所述半导体开关控制电路包括数码管档位显示单元。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体开关控制电路，其特征在于，具备微控制芯片、半导体开关组件、两个或以上的加热单元；所述微控制芯片与所述半导体开关组件电连接，通过控制所述半导体开关组件的通断来控制所述两个或以上的加热单元与加热单元供电的通断，以此改变所述两个或以上的加热单元的加热工作状态。
2.如权利要求1所述的半导体开关控制电路，其特征在于，所述半导体开关组件包括与所述加热单元数量相对应的半导体开关，一个所述半导体开关控制一个所述加热单元与所述加热单元供电的通断。
3.如权利要求2所述的半导体开关控制电路，其特征在于，所述半导体开关包括场效应管，所述场效应管栅极接收所述微控制芯片的脉冲宽度调制信号，所述微控制芯片发送所述脉冲宽度调制信号以控制所述场效应管的通断。
4.如权利要求3所述的半导体开关控制电路，其特征在于，所述场效应管栅极与源极间连接第一电阻，所述场效应管漏极与源极间串联连接第二电阻和第一电容，所述加热单元供电通过第二电容接地。
5.如权利要求1所述的半导体开关控制电路，其特征在于，所述半导体开关组件包括模拟开关芯片，所述模拟开关芯片一端接所述加热单元供电，另两端分别接第一加热单元和第二加热单元；所述模拟开关芯片受所述微控制芯片控制，当所述微控制芯片发出高电平信号，所述模拟开关芯片使得所述加热单元供电与所述第一加热单元连通；当所述微控制芯片发出低电平信号，所述模拟开关芯片使得所述加热单元供电与所述第二加热单元连通。
...【专利技术属性】
技术研发人员：张尚军，彭锦程，高海峻，
申请(专利权)人：深圳市几素科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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