【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及半导体技术，尤其涉及半导体装置。
技术介绍
1、半导体装置用于各种电子应用产品，例如：个人计算机、手机、数字相机以及其他电子设备。半导体装置的制造一般通过在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层以及半导体材料层，并使用光刻工艺对各种材料层进行图案化以在其上形成电路元件和部件。
2、半导体产业通过不断缩小最小特征尺寸来持续提高各种电子元件(例如：晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的积集密度，以允许更多元件可被整合到给定的区域中。然而，随着最小特征尺寸的缩小，出现了应解决的其他问题。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提出一种半导体装置，以解决上述至少一个问题。
2、本公开实施例提供一种半导体装置，包括：在基板上的鳍片，鳍片包括中心结构和横向围绕中心结构的外部半导体衬层。
3、根据本公开其中的一个实施方式，该鳍片具有一上末端部和一下部，该下部位于该上末端部与该基板之间，且该装置还包括一绝缘层，该绝缘层横向围绕该鳍片的该下部。
4、根据本公开其中的一个实施方式，该绝缘层为氧化硅。
5、根据本公开其中的一个实施方式，该鳍片的该中心结构包括一第一段和一第二段，其中该第一段和该第二段由不同的材料所形成。
6、根据本公开其中的一个实施方式，该鳍片的该中心结构包括由硅所形成的一第一段；该鳍片的该中心结构包括由硅锗所形成的一第二段；以及该第二段位于该第一段的上方。
7、根据本公开其中的一个实施方式，
8、根据本公开其中的一个实施方式，该中心结构具有定义在一第一侧壁和一第二侧壁之间的一横向上的一中心厚度；该外部半导体衬层包括与该第一侧壁相邻的一第一段和与该第二侧壁相邻的一第二段；该第一段在该横向上具有一第一厚度；该第二段在该横向上具有一第二厚度；该外部半导体衬层的一外厚度等于该第一厚度和该第二厚度的加总；以及该中心厚度与该外厚度之比为1:1至10:1。
9、根据本公开其中的一个实施方式，该中心厚度与该外厚度之比为3:1至8:1。
10、根据本公开其中的一个实施方式，该鳍片具有一所需临界尺寸；以及该所需临界尺寸度等于该中心厚度、该第一厚度、和该第二厚度的加总。
11、根据本公开其中的一个实施方式，该鳍片具有两个侧壁，多个所述侧壁包括一紧密侧壁和一开放侧壁；该第一侧壁为该紧密侧壁；该第二侧壁为该开放侧壁；以及该紧密侧壁邻近一邻近的鳍片。
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1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该鳍片具有一上末端部和一下部，该下部位于该上末端部与该基板之间，且该装置还包括一绝缘层，该绝缘层横向围绕该鳍片的该下部。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在该绝缘层与该鳍片的该下部之间还包括一第二层。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该鳍片的该中心结构包括一第一段和一第二段，其中该第一段和该第二段由不同的材料所形成。
5.如权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该鳍片与邻近的鳍片之间的一间隙在一横向上小于2纳米。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该中心厚度与该外厚度之比为3:1至8:1。
9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
10.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该鳍片具有一上末端部和一下部，该下部位于该上末端部与该基板之间，且该装置还包括一绝缘层，该绝缘层横向围绕该鳍片的该下部。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在该绝缘层与该鳍片的该下部之间还包括一第二层。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该鳍片的该中心结构包括一第一段和一第二段，其中该第一段和该第二段由不同的材料所形成。...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕濬洋，陈资宪，王立廷，张惠政，杨育佳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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