【技术实现步骤摘要】
(关联申请的相互参照)本申请基于2018年3月14日向日本申请的日本特愿2018－47159号和2018年4月27日向日本申请的日本特愿2018－87711号主张优先权，并将它们的内容引用到本说明书中。本专利技术涉及基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质。
技术介绍
1、近年来，在半导体器件的制造工序中，针对在表面形成有多个电子电路等器件的半导体晶圆(以下，称为晶圆)，进行磨削该晶圆的背面来使晶圆薄化的处理。而且，在对该薄化了的晶圆直接进行输送、进行后续的处理时，有可能在晶圆发生翘曲、破裂。因此，为了加强晶圆，例如进行将晶圆粘贴于支承基板的处理。
2、然而，通常晶圆的周缘部被进行倒角加工，但在如上述那样对晶圆进行磨削处理时，晶圆的周缘部成为锐利地尖的形状(所谓的刀刃形状)。于是，有可能在晶圆的周缘部产生碎裂，使晶圆受到损伤。因此，在磨削处理前预先进行去除晶圆的周缘部的、所谓的边缘修整。
3、例如在专利文献1中，作为进行边缘修整的装置，公开有纵轴型的端面磨削装置。在使用该端面磨削装置对晶圆的周缘部进行磨削的情况下，首先，使粘贴有支承基板的晶圆固定于工作台，并使工作台绕与铅垂轴线平行的轴线旋转。而且，在使旋转轴旋转而对作为磨削工具的砂轮施加旋转之后，使旋转轴沿铅垂方向移动，从而使砂轮的磨削面与晶圆抵接，而对晶圆的周缘部进行磨削。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开平9－216152号公报
技术实现思路
<...【技术保护点】
1.一种基板处理系统，用于对第1基板和第2基板接合而成的层叠基板进行处理，具有：
2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
3.根据权利要求1或2所述的基板处理系统，其中，
4.一种基板处理方法，用于处理基板，包括以下工序：
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，
6.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，
7.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，
8.根据权利要求5～7中的任一项所述的基板处理方法，其中，
9.一种可读取的计算机存储介质，该计算机存储介质存储有程序，该程序在控制基板处理系统的控制部的计算机上运行以由该基板处理系统执行基板处理方法，其中，
【技术特征摘要】
1.一种基板处理系统，用于对第1基板和第2基板接合而成的层叠基板进行处理，具有：
2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
3.根据权利要求1或2所述的基板处理系统，其中，
4.一种基板处理方法，用于处理基板，包括以下工序：
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，
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【专利技术属性】
技术研发人员：田之上隼斗，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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