System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 电感耦合型天线单元和等离子体处理装置制造方法及图纸_技高网

电感耦合型天线单元和等离子体处理装置制造方法及图纸

技术编号:41881917 阅读:4 留言:0更新日期:2024-07-02 00:36
本发明专利技术提供电感耦合型天线单元和等离子体处理装置。电感耦合型天线单元(200)保持气密地安装于设置在真空腔(11)的壁面(111)的开口部(112),电感耦合型天线单元(200)具有:盖体(21),保持气密地覆盖开口部(112);天线导体(22),设置于盖体(21);以及加热器(24),设置在盖体(21)的内侧面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电感耦合型天线单元和具备该天线单元的等离子体处理装置。


技术介绍

1、作为以往的等离子体处理装置,如专利文献1所示,有如下结构的等离子体处理装置:一边在真空腔内输送基板,一边向天线供给高频电而在真空腔内产生等离子体。

2、在上述的结构中,为了保证在基板生成的覆膜的性能等,需要将基板的处理面加热到期望的温度范围并保持,仅由等离子体进行加热是不充分的,因此,以往在基板的处理面的背面侧设置加热器而可以进行加热。

3、但是,应加热的是基板的处理面,如果是上述那样从处理面的背面侧加热的结构,则因为不能直接加热处理面,所以将基板表面加热到期望的温度范围并保持该温度需要必要以上的时间。

4、专利文献1:日本特开2019-117773号公报


技术实现思路

1、因此,本专利技术为了解决上述问题点而完成,其主要课题在于提供一种用于将基板的表面温度快速加热到期望的温度范围并保持的响应性优良的电感耦合型天线单元。

2、即,本专利技术的电感耦合型天线单元保持气密地安装于设置在真空腔的壁面的开口部,所述电感耦合型天线单元的特征在于,包括:盖体,保持气密地覆盖所述开口部;天线导体,设置于所述盖体;以及加热器,相对于在所述真空腔内输送的被处理物设置于所述天线导体侧。

3、按照如此构成的电感耦合型天线单元,由于加热器相对于被处理物设置于天线导体侧,所以能够直接加热基板的处理面,能够快速且响应性良好地加热到期望的温度范围。

4、优选所述加热器设置于使用等离子体屏蔽板从等离子体生成区域隔出的加热器收容空间。

5、如果是这样的结构,则能够将加热器配置在被处理物的附近,并能够防止加热器的污染。

6、此外,作为另一实施方式,能够列举所述加热器设置在所述盖体的内侧面的方式。

7、即使是这样的配置,由于加热器设置在与天线导体相同侧,所以也能够直接加热基板的处理面,能够快速且响应性良好地加热到期望的温度范围。

8、作为更具体的实施方式,能够列举如下方式。所述盖体具有:金属法兰,沿着所述开口部设置;以及绝缘体板,支撑于所述金属法兰,所述加热器收容于形成在所述绝缘体板的凹部。

9、作为本专利技术的电感耦合型天线单元,优选具有封堵所述凹部的石英板。

10、如果是这样的结构,则能够用盖体防止加热器的污染,由于盖体例如能够由氧等离子体等简单地清洗,所以维护性良好。

11、优选在与所述天线导体的长边方向正交的断面中,在所述天线导体的两侧设置有所述加热器。

12、如果是这样的结构,则能够效率良好且均匀地加热基板的处理面,基板表面的温度控制变得容易。

13、优选所述加热器是红外线灯。

14、如果像这样使用红外线灯,则由于热射线输出的控制和响应性优良,所以与使用镍铬丝作为加热器的情况相比,响应快且控制性良好。

15、作为本专利技术的电感耦合型天线单元,优选还包括反射板,所述反射板设置于所述凹部,将来自所述加热器的热向所述真空腔内反射。

16、如此,能够更高效地加热基板表面。

17、此外,本专利技术的等离子体处理装置的特征在于,在设置于所述真空腔的壁的一个或多个开口,安装有上述的电感耦合型天线单元。

18、如果是这样的结构,则能够使等离子体处理装置发挥与上述的电感耦合型天线单元同样的作用效果。

19、优选构成为所述电感耦合型天线单元分别设置于在所述真空腔内输送的基板的正面侧和背面侧,能够从正面和背面同时加热所述基板。

20、如果是这样的结构,则能够更高效地加热基板。

21、优选沿着基板的输送方向设置有多个所述电感耦合型天线单元,能独立地控制所述电感耦合型天线单元各自的所述加热器。

22、如果是这样的结构,则考虑到在输送中基板蓄热,能够控制各个加热器的设定温度,能够进行期望的等离子体处理。

23、优选所述加热器收容于借助等离子体屏蔽板从所述真空腔内的等离子体生成区域隔出的加热器收容空间。

24、如此,由于加热器设置于借助等离子体屏蔽板从等离子体生成区域隔出的加热器收容空间,所以能够将加热器配置在被处理物的附近,并防止加热器的污染。

25、优选还包括壳体,所述壳体包围所述真空腔内的等离子体生成区域,并且形成有朝向所述被处理物的开口,由来自所述壳体的内表面的黑体辐射加热所述被处理物。

26、如此,能够由来自壳体的内表面的黑体辐射加热被处理物,能够均匀地加热被处理物的宽广范围。

27、作为更具体的实施方式,能够列举在所述壳体的内表面形成有类金刚石膜的方式。

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【技术保护点】

1.一种电感耦合型天线单元,保持气密地安装于设置在真空腔的壁面的开口部,所述电感耦合型天线单元的特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电感耦合型天线单元,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的电感耦合型天线单元,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的电感耦合型天线单元,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的电感耦合型天线单元,其特征在于,

6.根据权利要求1所述的电感耦合型天线单元,其特征在于,

7.根据权利要求1所述的电感耦合型天线单元,其特征在于,

8.根据权利要求1所述的电感耦合型天线单元,其特征在于,

9.一种等离子体处理装置,其特征在于,

10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置,其特征在于,

11.根据权利要求9所述的等离子体处理装置,其特征在于,

12.根据权利要求9所述的等离子体处理装置,其特征在于,

13.根据权利要求9所述的等离子体处理装置,其特征在于,

14.根据权利要求13所述的等离子体处理装置,其特征在于,

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【技术特征摘要】

1.一种电感耦合型天线单元,保持气密地安装于设置在真空腔的壁面的开口部,所述电感耦合型天线单元的特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电感耦合型天线单元,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的电感耦合型天线单元,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的电感耦合型天线单元,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的电感耦合型天线单元,其特征在于,

6.根据权利要求1所述的电感耦合型天线单元,其特征在于,

7.根据权利要求1所述的电感...

【专利技术属性】
技术研发人员:铃木泰雄渡边正则
申请(专利权)人:等离子体成膜有限公司
类型:发明
国别省市:

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