【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种成像透镜，例如，涉及一种用于使光在cmos图像传感器的受光部成像的成像透镜。
技术介绍
1、cmos(complementary metal oxide semiconductor：互补金属氧化物半导体)图像传感器的结构大致分为表面照射型和背面照射型。就表面照射型的cmos图像传感器而言，在硅片加工光电二极管，向上方布置布线层、滤色器、微透镜。近年来，伴随着微细化，布线数增加，而使到达cmos光电二极管的光束被遮光的问题变得明显。
2、此外，布线层的厚度也增加，因此，cmos元件的光电二极管成为布置在深的井底的结构，光电二极管只能利用与垂线呈小的角度的光束。而且，也具有以下缺点：前述的在面积上被遮光而反射、散射的光束和后述的在井壁反射、散射的光束会作为杂光(flare)光束而到达光电二极管，而使图像的对比度降低。
3、另一方面，就背面照射型的cmos图像传感器而言，在制有布线层的硅片之上贴合制有光电二极管层的硅片，下刮硅片直至光电二极管层在表面显露的极限为止，加工形成滤色器和微透镜。背面照射型将光电二极管层布置在布线层之前，因此能消除上述的表面型的缺点。虽然背面照射型的cmos图像传感器的加工需要较高的技术，但正在进行从表面照射型的cmos图像传感器向背面照射型的cmos图像传感器的置换。
4、而且，在布线层嵌入逻辑电路，以至连图像处理器功能都具备，也会被称为层叠型cmos图像传感器。
5、为了使用这样的cmos图像传感器来得到高的画质的图像，需要与微细的cmos
6、层叠型cmos图像传感器用作数码相机、智能手机(＝便携电话)、监视相机、车载相机等的涉及多方面的图像输入单元。为了提高图像分辨率，正在进行cmos元件的微细化，以至35mm全尺寸/数码相机的cmos元件为3.5μmx3.5μm，工业用的1英寸至1/3英寸的相机的cmos元件为1.4μmx1.4μm。
7、在便携电话的智能手机相机中，也产品化有cmos图像传感器，该cmos图像传感器是将0.8μmx0.8μm的cmos元件四个＝r(红)+g(绿)x2+b(蓝)分组在一个微透镜而成的。成像透镜中，微透镜开口＝1.6μmx1.6μm成为必要分辨率。
8、在表面型cmos中，按aps－h尺寸(29.2x20.2mm)开发了2.2μmx2.2μm元件用于工业。关于能与这样的cmos元件对应的成像透镜，例如，提出一种如专利文献1所记载的那样的成像透镜。对于专利文献1所记载的成像透镜，通过实际地试制的成像透镜确认到高的光学性能。
9、现有技术文献
10、专利文献
11、专利文献1：日本专利第6725740号
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、然而，在专利文献1所记载的成像透镜中，为了对焦而采用了成像侧的透镜组移动的浮动机构，因此结构复杂，操纵也不能说是容易的。
3、而且，在工业用的1英寸至1/3英寸的具备cmos图像传感器的相机的成像面整个面中，cmos元件(cmos图像传感器的一个像素)的大小为1.4μmx1.4μm。就能得到清晰的图像的参考值而言，示出一般要以mtf值为20％以上的对比度进行成像，但对于1.4μmx1.4μm的像素，还未实现以mtf值为20％以上的对比度进行成像的透镜。专利文献1所记载的成像透镜也是由于成像侧的透镜组移动而无法将成像侧的透镜组始终配置在成像面的附近，无法在任意的拍摄距离都得到mtf值为20％以上的对比度。
4、因此，本专利技术的目的是解决上述的问题，其目的在于提供一种具有与微细的图像传感器的元件对应的分辨率并且能用简单的结构进行对焦的成像透镜。
5、用于解决问题的方案
6、为了解决上述问题，本专利技术的一个方案的成像透镜由隔着光阑而在前后具有多个透镜的前组成像透镜和凸凹伽利略系统构成，所述凸凹伽利略系统由前组侧的凸透镜和成像面侧的凹透镜构成，在所述成像透镜中，通过将所述凸凹伽利略系统固定在成像面的附近，并送出所述前组成像透镜来进行对焦。
7、专利技术效果
8、如上所述，根据本专利技术，能提供一种具有与微细的图像传感器的元件对应的分辨率并且能用简单的结构进行对焦的成像透镜。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种成像透镜，其特征在于，
2.一种成像透镜，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的成像透镜，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的成像透镜，其特征在于，
5.根据权利要求3或4所述的成像透镜，其特征在于，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的成像透镜，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种成像透镜，其特征在于，
2.一种成像透镜，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的成像透镜，其特征在于，
4.根据权利要求...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。