【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于oled透明显示电子材料制备，具体涉及一种特种有机发光二极管器件用电子材料及其制备方法和应用。
技术介绍
1、伴随着显示技术的日趋成熟与多场景应用，5g、超高清显示、物联网等技术快速发展，以及智慧城市、高科技消费升级需求的带动，更多新型显示技术逐渐在行业内引发一场场变革，透明显示就是其中之一。透明显示屏，包含pdlc（不工作时雾态，点亮时显示）与pnlc（不工作时透明，工作时显示）两类，这种特性使得其在商业领域，尤其是零售场景颇有潜力，甚至在家电、装饰市场也可能成为划时代的新技术。透明显示屏的主要类型有oled透明屏、led透明屏、lcd透明屏，其中透明显示效果最佳的是oled透明屏。oled透明屏装置关闭时透光率可高达85%，且通电后因其特有的“面”光源优势，拥有自发光特性，对比度高，功耗低，视角宽，像素呈现质感好等有优点，使oled透明屏在商显，交通，建筑，家居，陈列，广告等诸多领域凸显高端感、空间感、美观感。研究oled透明屏的主要导电材料——特种有机发光二极管器件用电子材料，必将迎来显示市场的诸多机遇。
2、现有技术：现有技术不工作时显示图案线条明显，表观缺陷不良导致显示效果不精细，工作时显示亮度不足，提升亮度易造成器件击穿损坏。
技术实现思路
1、为解决上述问题，本专利技术公开了一种特种有机发光二极管器件用电子材料及其制备方法。研究特种有机发光二极管器件用电子材料（im-ito膜层材料和高致密绝缘sio2膜层材料），应用自动化切割、磨边、抛光设备
2、为达到上述目的，本专利技术的技术方案如下：
3、基板——切割磨边——清洗——检验——抛光——清洗——接片——装片——镀膜（im-ito导电层）——卸片——检验——清洗——涂胶——曝光——显影——蚀刻（显示图案）——脱膜——清洗——接片——装片——镀膜（高导电层引线mam）——卸片——检验——清洗——涂胶——曝光——显影——蚀刻（引线）——脱膜——清洗——接片——装片——镀膜（绝缘层sio2）——卸片——检验。
4、具体包括以下步骤：
5、基板——选择溢流法制备的tft无碱玻璃基板；
6、切割磨边——利用坂东切割磨边机设备将tft基板进行x-y垂直分切，并对分切后的小片磨r弧边；
7、清洗——经自动碱液喷淋滚刷风干过程去除磨屑粉及表观脏污、油渍、有机微生物残留；依靠滚刷、中高压喷淋、二流体、风刀清洁镀膜玻璃，高压泵产生0.5-2mpa(5-20公斤)压力，二流体：将高压气体和高压液体混合后，通过特殊的喷嘴将气体和液体形成液滴，以超音速的速度喷出，喷射出的液滴在基板表面就会崩解产生强大的冲击力清洗，基板表面异物在冲击力、振动作用和喷射作用下被去除；
8、检验——10万lux照度强光下检验玻璃表观缺陷、磨边效果；
9、抛光——利用氧化铈氧化镧抛光粉、抛光机设备将磨边后的tft小片进行物化研磨抛光，修复tft小片表观微划伤0.01mm宽度以下，长度10mm以下，100mm*100mm范围内不超过5条，微观波纹度≤0.040um/20mm；
10、清洗——同上，经自动碱液喷淋滚刷风干过程去除表观脏污、油渍、抛光液残留，纯水阻值：＞17mώ；
11、镀膜（im-ito导电层）——利用铌靶材、硅靶材、氧化铟锡靶材，氩气、氧气工艺气体，立式磁控溅射镀膜机设备，镀制im（nbox+sio2）的复合膜层，再在im层之后镀制ito导电膜层，镀膜im-ito的消影层△b*值≤2，△tr≤1，方块电阻值120欧以下。mf区温度设置500±50℃，nbox氩气120±40sccm，nbox氧气30±20sccm，sio2氩气70±30sccm，nbox氧气80±40sccm，dc区温度设置470±50℃，氩气150±50sccm，前级真空度4.0~6.0pa，溅射区真空度1.0e-3~5.0e-2pa，nbox膜厚50±10å，sio2膜厚450±100å，ito膜厚180±80å；其中，mf区是镀制nbox+sio2的真空箱体，dc区是镀制ito的真空箱体；
12、检验——10万lux照度强光下检验玻璃表观，2000lux照度日光灯下检验玻璃膜色、消影效果；
13、清洗——同上，依靠滚刷、中高压喷淋、二流体、风刀清洁镀膜玻璃，高压泵产生0.5-2mpa(5-20公斤)压力，二流体：将高压气体和高压液体混合后，通过特殊的喷嘴将气体和液体形成液滴，以超音速的速度喷出，喷射出的液滴在基板表面就会崩解产生强大的冲击力清洗，基板表面微小颗粒在冲击力、振动作用和喷射作用下被去除；
14、涂胶——镀膜玻璃清洗后，均匀涂上感光胶，20~25℃，相对空气湿度为30~50%，最佳的旋涂转速为2000~4000rpm，经过90~100℃的高温下烘烤固化，提高光刻胶与衬底的粘附性；
15、曝光——通过曝光掩模和曝光系统，如步进式（i-线的，g-线）掩模对准式或接触式曝光系统在各自的光谱工作范围内曝光；
16、显影——使用正胶显影液或负胶显影液，溶解曝光区域或未曝光区域，显露待刻蚀的ito区，显影完成后应将衬底立即用去离子水冲洗，以避免残余的显影液继续腐蚀光刻胶；
17、坚膜——通过加温烘烤使胶膜更加牢固的粘附在ito表面，并可以增加胶层的抗刻蚀能力；
18、蚀刻（图形转移）——ito蚀刻液，常用配比（体积比）为hcl：h2o：hno3=50：50：3，酸刻时间60~120s，可将显露ito区刻蚀；
19、脱膜——剥离液，主要成分为mea（体积百分比70%，ho-ch2-nh2乙醇胺)，作用：浸润能力，与光刻胶形成微胞。图形转移后，光刻胶就不再需要了，因此需要将其去除干净，利用有机溶剂或者对光刻胶有腐蚀作用的溶液将光刻胶溶解或者腐蚀掉；
20、清洗——清洗掉有机溶剂残留、酸残留；
21、镀膜（高导电层引线mam）——在真空度0.1~10pa的环境下，在磁控溅射镀膜腔体内利用磁控溅射在已蚀刻ito图形的基板上依次镀钼、铝、钼金属层；
22、检验——10万lux照度强光下检验玻璃表观；
23、清洗——同上；
24、涂胶——同上；
25、曝光——同上；
26、显影——同上；
27、坚膜——同上；
28、蚀刻（电极引线）——同上，区别在于ito蚀刻液替换为mam蚀刻液，利用加热的磷酸，硝酸，醋酸及水的混合溶液加以进行，蚀刻反应的机理是由硝酸将铝氧化成氧化铝，接着在利用磷酸将氧化铝予以溶解去除，如此反复进行以达蚀刻的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种特种有机发光二极管器件用电子材料，其特征在于，依次包括IM-ITO阳极、高导电层、高致密绝缘SiO2层。
2.一种如权利要求1所述的特种有机发光二极管器件用电子材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种特种有机发光二极管器件用电子材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，TFT无碱玻璃基板为溢流法制备的TFT无碱玻璃基板。
4.根据权利要求2所述的一种特种有机发光二极管器件用电子材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，修复TFT小片后，表观微划伤0.01mm宽度以下，长度10mm以下，100mm*100mm范围内不超过5条，微观波纹度≤0.040um/20mm。
5.根据权利要求2所述的一种特种有机发光二极管器件用电子材料的制备方法，其特征在于，步骤（4）中，镀制IM的混合膜层为镀制NbOx+SiO2的复合膜层；消影层△b*值≤2，△Tr≤1，方块电阻值120欧以下；MF区温度设置500±50℃，NbOx氩气120±40sccm，NbOx氧气30±20sccm，SiO2氩气70±30sccm，
6.根据权利要求2所述的一种特种有机发光二极管器件用电子材料的制备方法，其特征在于，步骤（9）中，ITO蚀刻液为体积比为50：50：3的HCl、H2O、HNO3的混合液，酸刻时间60~120s。
7.根据权利要求2所述的一种特种有机发光二极管器件用电子材料的制备方法，其特征在于，步骤（10）中，剥离液为体积百分比70%的乙醇胺溶液。
8.根据权利要求2所述的一种特种有机发光二极管器件用电子材料的制备方法，其特征在于，步骤（13）中，MAM蚀刻液为体积比为15~35：35~65：10~25：5~10的磷酸、硝酸、醋酸及水的混合溶液。
9.根据权利要求2所述的一种特种有机发光二极管器件用电子材料的制备方法，其特征在于，步骤（15）中，SiO2电阻率＞100Ω·cm，SiO2介电强度＞100V；MF区温度设置450±50℃，氩气100±40sccm，氧气120±40sccm，SiO2膜厚200±50Å。
10.一种OLED透明屏，其特征在于，依次包括如权利要求2-9任一项所述制备方法制备得到的特种有机发光二极管器件用电子材料、隔离柱、空穴注入层、传输层、有机发光层、电子传输、注入层、无色金属阴极。
...【技术特征摘要】
1.一种特种有机发光二极管器件用电子材料，其特征在于，依次包括im-ito阳极、高导电层、高致密绝缘sio2层。
2.一种如权利要求1所述的特种有机发光二极管器件用电子材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种特种有机发光二极管器件用电子材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，tft无碱玻璃基板为溢流法制备的tft无碱玻璃基板。
4.根据权利要求2所述的一种特种有机发光二极管器件用电子材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，修复tft小片后，表观微划伤0.01mm宽度以下，长度10mm以下，100mm*100mm范围内不超过5条，微观波纹度≤0.040um/20mm。
5.根据权利要求2所述的一种特种有机发光二极管器件用电子材料的制备方法，其特征在于，步骤（4）中，镀制im的混合膜层为镀制nbox+sio2的复合膜层；消影层△b*值≤2，△tr≤1，方块电阻值120欧以下；mf区温度设置500±50℃，nbox氩气120±40sccm，nbox氧气30±20sccm，sio2氩气70±30sccm，nbox氧气80±40sccm，dc区温度设置470±50℃，氩气150±50sccm，前级真空度4.0~6.0pa，溅射区真空度1.0e-3~5.0e-2pa...
【专利技术属性】
技术研发人员：张继凡，江雪峰，
申请(专利权)人：安徽立光电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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