发光二极管封装结构制造技术

本发明专利技术涉及一种发光二极管封装结构，尤指一种设置有保险丝的发光二极管封装结构。本发明专利技术的发光二极管封装结构，包含有导线架、设置于导线架上的发光二极管芯片、设置于导线架上并与导线架电性连接的保险丝以及封装胶体，其中保险丝以串联方式与发光二极管芯片电性连接，可以有效避免发光二极管芯片与其所连接的电路系统具有过高的电流通过，以保护发光二极管封装机构安全稳定的工作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管封装结构，尤指一种设置有保险丝的发光二极管封装 结构。
技术介绍
由于发光二极管(LED)具有寿命长、体积小、高耐震性、发热度小及耗电量低等优 点，因此发光二极管不仅已被广泛地应用于家电制品、各式仪器的指示灯或光源等小型电 子产品，甚至各种携带式或数组式的大型电子产品中，例如汽车、通讯产业、交通灯以及户 外多媒体彩色广告牌等，皆可发现发光二极管的应用。一般而言，发光二极管芯片为电流驱动，因此提供发光二极管芯片的电源必须具 有稳定电流，以驱使发光二极管芯片能具有稳定的发光。以往使用发光二极管芯片仅需提 供小电流即可达到所需的光强度，然而发光二极管的应用已渐渐朝向高亮度与高功率的方 向发展，并且一般发光二极管的应用往往不会仅使用单一发光二极管芯片，而是将许多发 光二极管芯片以串联或并联方式电性连接在电路系统中，利用电路系统来控制发光二极 管，因此，相较于以往，电路系统需提供较高的电流来驱动发光二极管芯片。但当提高驱动 电流时，发光二极管芯片造成短路的机率也较高。特别是，由于一般电源为电压源，且各发 光二极管的电阻值不尽相同，容易使电流忽高忽低，因此当系统的电流过高时，发光二极管 芯片容易损坏，甚至造成燃烧的意外，因而造成所连接的电路系统也受到损坏。所以为了避 免因发光二极管的输入电流提高，而造成发光二极管芯片损坏且影响所连接的电路系统， 改善发光二极管封装结构的电路防护实为业界极需努力的目标之一。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种发光二极管封装结构，以保护发光二极管芯片与其 所连接的电路系统避免受损。为达上述目的，本专利技术提供一种发光二极管封装结构，其包含有导线架、设置于所 述导线架上的发光二极管芯片、设置于所述导线架上并与所述导线架电性连接的保险丝以 及封装胶体。所述保险丝以串联方式与所述发光二极管芯片电性连接，所述封装胶体包覆 所述发光二极管芯片、所述保险丝及至少部分所述导线架。本专利技术提供一种具有保险丝的发光二极管封装结构，并且以串联方式电性连接保 险丝与发光二极管芯片，可以有效避免发光二极管芯片与其所连接的电路系统具有过高的 电流通过，以保护发光二极管封装机构安全稳定的工作。附图说明图1为本专利技术第一个实施例中的发光二极管封装结构的剖面示意图；图2为本专利技术第一个实施例中的发光二极管封装结构的俯视图；图3为芯片保险丝的俯视图4为自复式保险丝的剖面结构示意图；图5为本专利技术第二个实施例中的发光二极管封装结构的俯视图。图6为本专利技术第三个实施例中的发光二极管封装结构的俯视图。附图标记说明50发光二极I 封装结构52导线架54发光二极I 芯片54Α正极54B负极56保险丝56A第一电极56Β第二电极58第一引脚60第二引脚62承载部64金属导线66封装胶体70芯片保险丝72基板74Α第一电极74B第二电极76低熔点金属导电垫80自复式保险丝82导电高分子层84电极100发光二极管封装结构150发光二极I 封装结构具体实施例方式请参考图1与图2，图1为本专利技术的第一个实施例中的发光二极管封装结构的剖 面示意图，图2为本专利技术的第一个实施例中的发光二极管封装结构的俯视图。如图1与图 2所示，发光二极管封装结构50包含有导线架52、发光二极管芯片54以及保险丝56，所述 导线架52具有第一引脚58、第二引脚60以及连接于所述第一引脚58上的承载部62。所 述发光二极管芯片54具有正极54A与负极54B，并且都设置于所述导线架52的承载部62 上。另外，在本实施例中，所述保险丝56设置于所述导线架52的第二引脚60上，所述保险 丝56的第一电极56A电性连接发光二极管芯片54的正极54A，而保险丝56的第二电极56B 电性连接导线架52的第二引脚60。此外，如图2所示，所述发光二极管封装结构50另包含有复数条金属导线64，可用 于电性连接所述保险丝56、所述发光二极管芯片54以及所述导线架52。所述金属导线64 的材料可为金(Au)，但不限于此。在本实施例中，所述金属导线64可利用焊线接合(wire bonding)方式电性连接所述发光二极管芯片54的正极54A与保险丝56的第一电极56A、 电性连接保险丝56的第二电极56B与导线架52的第二引脚60，以及电性连接所述发光二 极管芯片54的负极54B与导线架52的第一引脚58，使所述发光二极管芯片54与所述保险 丝56以串联方式电性连接于所述导线架52的第一引脚58与第二引脚60之间。但本专利技术 并不限于上述的电路连接方式，图2的所述发光二极管芯片54的正极54A与负极54B的位 置可互相调换，因此本专利技术亦可利用所述金属导线64电性连接所述发光二极管芯片54的 负极54B与保险丝56的第一电极、电性连接所述保险丝56的第二电极与导线架52的第一 引脚58，以及电性连接所述发光二极管芯片54的正极54A与导线架52的第二引脚60。如图1所示，所述发光二极管封装结构50另包含有封装胶体66，所述封装胶体66 包覆部分导线架52的第一引脚58与第二引脚60、所述导线架52的承载部62、所述发光二极管芯片54、所述保险丝56以及所述金属导线64，可有效保护所述发光二极管芯片54与 所述保险丝56，并且保护所述金属导线64与所述发光二极管芯片54、所述保险丝56以及 所述导线架52的电性连结，以避免所述发光二极管封装结构50无法运作，但本专利技术并不限 于此封装形式，所述封装胶体66亦可仅包覆部分导线架，且围绕所述发光二极管芯片54、 保险丝56以及金属导线64，以保护所述封装胶体所围绕的组件避免受外界触碰而损伤。所 述封装胶体66的材料可为环氧树脂、硅树脂或聚酰胺等材质所构成。值得注意的是，所述保险丝56以串联方式与所述发光二极管芯片54电性连接，当 电路系统提供过高电流时，可借助通过的电流超过所述保险丝56的额定电流值，使所述保 险丝56内部的电路被熔断，而发挥保护作用，以避免所述发光二极管芯片54因过高的电流 通过而造成损坏或燃烧。在本实施例中，所述保险丝56优选地为芯片保险丝，但并不以此 为限。请参考图3，图3为芯片保险丝的俯视结构示意图。如图3所示，芯片保险丝70包 含有基板72、第一电极74A、第二电极74B以及设置于基板72上的低熔点金属导线垫76， 其中第一电极74A与第二电极74B设置于基板72上，且所述第一电极74A与所述第二电极 74B由所述低熔点金属导线垫76电性连接在一起。所述基板72的材料优选地为硅，但不以 此为限。此外，由于所述低熔点金属导线垫76具有低熔点，且电路系统提供的电流通过所 述低熔点金属导线垫76会产生一定温度，当此温度达到低熔点时，所述低熔点金属导线垫 76会熔解而产生断路。并且，所述低熔点金属导线垫76的宽度可依照所需负荷的电流大小 来加以调整。不过本专利技术的保险丝并不仅限于芯片保险丝，而另可为自复式保险丝。请参 考第4图，第4图为自复式保险丝之剖面结构示意图。如图4所示，自复式保险丝80包含有导电高分子层82以及二个设置于导电高分 子层82两侧的电极84，当电流超过所述自复式保险丝80所能承受的负载电流时，所述自复 式保险丝80的温度会上升，使得所述导电高分子层82内部的高分子产生断链，而由导体转 为绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：导线架；发光二极管芯片，设置于所述导线架上；保险丝，设置于所述导线架上并与所述导线架电性连接，且所述保险丝以串联方式与所述发光二极管芯片电性连接；以及封装胶体，包覆所述发光二极管芯片、所述保险丝及至少部分所述导线架。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：翁思渊，
申请(专利权)人：亿光电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]