【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及mos管关断损耗，尤其涉及一种mos管关断损耗的计算方法、装置、设备及介质。
技术介绍
1、近年来，高频化开关电源应用越来越广泛，针对高频开关电源，通常使用的开关管是mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)，简称mos管，其开关动作速度快，开关损耗低的特点使其可以广泛应用在高频开关电源中。mos管的开关损耗是由于在mos管开通或关断过程中，电压和电流的变化不是瞬时的，而是需要一段时间，在这段时间内，mos管的电流和电压有一个交叠区，从而产生损耗。
2、在实际测量时，mos管的关断阶段，当门极电压下降，漏源极间所加电压开始上升，在漏极源极间所加电压上升的期间，漏源极间流过电流已经下降了一些，但是大多数论文及书籍中描述这一期间漏源极间流过电流仍保持不变，因此计算的关断损耗会因为这一期间漏源极间流过电流而产生误差。
3、如何精确的找出这一期间漏源极间流过电流的大小和找出这一期间持续的时间从而精确的计算mos管的关断损耗是本领域技术人员需要解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种mos管关断损耗的计算方法、装置、设备及介质，解决了现有技术中mos管关断损耗计算不精确的技术问题。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种mos管关断损耗的计算方法，包括：
3、构建漏源电流与第一时段的第一关系式、所述漏源电流与栅源电压的第二关系式
4、根据所述第一关系式、所述第二关系式、所述第三关系式以及源极寄生电感电压，确定所述第一时段关于第二电压值的第一曲线以及所述漏源电流关于所述第二电压值的第二曲线，所述第二电压值为门极阈值电压与源极寄生电感电压的和；
5、构建所述第二电压值与栅源电压的第四关系式；
6、根据所述第四关系式确定所述栅源电压关于所述第二电压值的第三曲线；
7、根据所述第二电压值的取值范围确定所述第二电压值的第四曲线；
8、将所述第一曲线、所述第二曲线、所述第三曲线以及所述第四曲线放在同一坐标系中，确定所述第三曲线和所述第四曲线的交点，并根据所述交点的横坐标确定所述第一曲线和所述第二曲线对应的纵坐标的值，所述第一曲线和所述第二曲线对应的纵坐标的值分别为所述第一时段的对应值和所述mos管的第一电流值，所述第一电流值为所述漏源电流从第二电流值开始下降所述第一时段后的电流值，所述第二电流值为所述mos管关管起始时刻的电流值；
9、根据所述第一电流值、所述第一时段以及所述第二电压值确定所述mos管在所述第一时段的关断损耗。
10、第二方面，本专利技术实施例还提供了一种mos管关断损耗的计算装置，包括：
11、关系式构建模块，用于构建漏源电流与第一时段的第一关系式、所述漏源电流与栅源电压的第二关系式以及所述栅源电压与所述第一时段的第三关系式，所述第一时段为漏源电压开始增大至第一电压值所需的时间，所述第一电压值为vin+vdiode_f，其中，vin为所述mos管的输入电压，vdiode)f为所述mos管体二极管的正向导通压降；
12、曲线确定模块，用于根据所述第一关系式、所述第二关系式、所述第三关系式以及源极寄生电感电压，确定所述第一时段关于第二电压值的第一曲线以及所述漏源电流关于所述第二电压值的第二曲线，所述第二电压值为门极阈值电压与源极寄生电感电压的和；
13、所述关系式构建模块还用于构建所述第二电压值与栅源电压的第四关系式；
14、所述曲线确定模块还用于根据所述第四关系式确定所述栅源电压关于所述第二电压值的第三曲线；根据所述第二电压值的取值范围确定所述第二电压值的第四曲线；
15、第一电流值及第一时段确定模块，用于将所述第一曲线、所述第二曲线、所述第三曲线以及所述第四曲线放在同一坐标系中，确定所述第三曲线和所述第四曲线的交点，并根据所述交点的横坐标确定所述第一曲线和所述第二曲线对应的纵坐标的值，所述第一曲线和所述第二曲线对应的纵坐标的值分别为所述第一时段的对应值和所述mos管的第一电流值，所述第一电流值为所述漏源电流从第二电流值开始下降所述第一时段后的电流值，所述第二电流值为所述mos管关管起始时刻的电流值；
16、关断损耗确定模块，用于根据所述第一电流值、所述第一时段以及所述第二电压值确定所述mos管在所述第一时段的关断损耗。
17、第三方面，本专利技术实施例还提供了一种mos管关断损耗的计算设备，所述mos管关断损耗的计算设备包括：
18、至少一个处理器；以及
19、与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
20、所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被至少一个处理器执行，以使至少一个处理器能够执行如第一方面的mos管关断损耗的计算方法。
21、第四方面，本专利技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机指令，计算机指令用于使处理器执行时实现如第一方面的mos管关断损耗的计算方法。
22、本专利技术实施例提供了一种mos管关断损耗的计算方法、装置、设备及介质，该方法包括：构建漏源电流与第一时段的第一关系式、漏源电流与栅源电压的第二关系式以及栅源电压与第一时段的第三关系式，第一时段为漏源电压开始增大至第一电压值所需的时间，第一电压值为vin+vdiode_f，其中，vin为mos管的输入电压，vdiode_f为mos管体二极管的正向导通压降；根据第一关系式、第二关系式、第三关系式以及源极寄生电感电压，确定第一时段关于第二电压值的第一曲线以及漏源电流关于第二电压值的第二曲线，第二电压值为门极阈值电压与源极寄生电感电压的和；构建第二电压值与栅源电压的第四关系式；根据第四关系式确定栅源电压关于第二电压值的第三曲线；根据第二电压值的取值范围确定第二电压值的第四曲线；将第一曲线、第二曲线、第三曲线以及第四曲线放在同一坐标系中，确定第三曲线和第四曲线的交点，并根据交点的横坐标确定第一曲线和第二曲线对应的纵坐标的值，第一曲线和第二曲线对应的纵坐标的值分别为mos管的第一电流值和第一时段，第一电流值为漏源电流从第二电流值开始下降第一时段后的电流值，第二电流值为mos管关管起始时刻的电流值；根据第一电流值、第一时段以及第二电压值确定mos管在第一时段的关断损耗。本专利技术实施例根据源极寄生电感电压的取值范围，采用数组与图型结合的方式求得第一时段和第一电流值，可以精确的求得mos管关断损耗。
23、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种MOS管关断损耗的计算方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的MOS管关断损耗的计算方法，其特征在于，构建漏源电流与第一时段的第一关系式、所述漏源电流与栅源电压的第二关系式以及所述栅源电压与所述第一时段的第三关系式包括：
3.根据权利要求2所述的MOS管关断损耗的计算方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的MOS管关断损耗的计算方法，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的MOS管关断损耗的计算方法，其特征在于，根据所述栅漏寄生电容在所述第一时段内的始末状态和所述第二函数关系式，确定所述栅漏寄生电容在所述第一时段内积累的第二电荷量包括：
6.根据权利要求1所述的MOS管关断损耗的计算方法，其特征在于：根据所述第一关系式、所述第二关系式、所述第三关系式以及源极寄生电感电压，确定所述第一时段关于所述第二电压值的第一曲线以及所述漏源电流关于所述第二电压值的第二曲线：
7.根据权利要求1所述的MOS管关断损耗的计算方法，其特征在于：所述第二电压值的取值范围为0-Vcc,其中，Vcc为电源电压。p>
8.一种MOS管关断损耗的计算装置，其特征在于，包括：
9.一种MOS管关断损耗的计算设备，其特征在于，所述MOS管关断损耗的计算设备包括：
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现权利要求1-7中任一项所述的MOS管关断损耗的计算方法。
...【技术特征摘要】
1.一种mos管关断损耗的计算方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的mos管关断损耗的计算方法，其特征在于，构建漏源电流与第一时段的第一关系式、所述漏源电流与栅源电压的第二关系式以及所述栅源电压与所述第一时段的第三关系式包括：
3.根据权利要求2所述的mos管关断损耗的计算方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的mos管关断损耗的计算方法，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的mos管关断损耗的计算方法，其特征在于，根据所述栅漏寄生电容在所述第一时段内的始末状态和所述第二函数关系式，确定所述栅漏寄生电容在所述第一时段内积累的第二电荷量包括：
6.根据权利要求1所述的mos管关断损耗的计算方...
【专利技术属性】
技术研发人员：倪阳，陈文杰，秦晨，
申请(专利权)人：上海金脉电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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