【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种由碳化硅(以下，还仅称为sic)构成的sic晶圆的制造装置。
技术介绍
1、以往，提出了如下sic晶圆的制造装置：在导入包含原料气体的反应气体的反应室中，使种子基板(晶种基板)在载置于基座的状态下一边旋转一边加热，来使作为半导体层的外延层在该种子基板的表面生长(例如参照专利文献1)。
2、具体地说，在该sic晶圆的制造装置中，具备将反应室大致划分为最初被供给反应气体的分离空间和配置种子基板的生长空间的喷头。在喷头形成有使分离空间与生长空间连通的多个贯通孔。而且，在该sic晶圆的制造装置中，使被供给到分离空间的反应气体通过多个贯通孔被供给到生长空间，由此容易将反应气体均匀地供给到种子基板上。
3、此外，反应气体构成为包含用于生长外延层的氯系气体和作为掺杂气体的氨系气体等。因此，有可能在分离空间中氯系气体与氨系气体发生反应而生成固体的氯化铵，有可能由于该氯化铵而喷头的贯通孔堵塞。
4、因而，在该sic晶圆的制造装置中，具备用于将分离空间分割为多个空间的分隔壁。而且，在该sic半导体装置中，通过将氯系气体和氨系气体供给到不同的空间，使得在分离空间不易生成固体的氯化铵。
5、专利文献1：日本特开2002-016008号公报
技术实现思路
1、然而，在这样的sic晶圆的制造装置中，由于具备壁部而喷头的结构容易变得复杂。
2、本公开鉴于上述点，目的在于提供能够谋求喷头的结构的简化的sic晶圆的制造装置。
3、
4、冷却部能够将分离空间冷却为400℃以下，供给管具有：掺杂气体用供给管，被供给反应气体中包含的氨系气体；生长气体用供给管，被供给包括反应气体中包含的硅烷系气体和氯系气体的生长气体；以及惰性气体用供给管，向分离空间中的、被供给氨系气体的部分与被供给氯系气体的部分之间供给反应气体中包含的惰性气体。
5、据此，由于通过冷却部而分离空间被冷却为400℃以下，因此能够抑制在分离空间中硅烷气体发生分解而生成固体的硅，能够抑制在喷头的贯通孔发生堵塞。另外，惰性气体用供给管被配置成向分离空间中的、被供给氨系气体的部分与被供给氯系气体的部分之间供给惰性气体。
6、因此，在分离空间中，即使不在分离空间配置分隔壁等，也能够抑制氨系气体与氯系气体发生反应，能够抑制在喷头的贯通孔发生堵塞。因而，在该sic晶圆的制造装置中，即使不配置将分离空间内分隔为多个空间的分隔壁等，也能够抑制在喷头的贯通孔发生堵塞，能够谋求喷头的结构的简化。
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1.一种碳化硅晶圆的制造装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆的制造装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆的制造装置，其特征在于，
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的碳化硅晶圆的制造装置，其特征在于，
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的碳化硅晶圆的制造装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的碳化硅晶圆的制造装置，其特征在于，
7.根据权利要求5所述的碳化硅晶圆的制造装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶圆的制造装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆的制造装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆的制造装置，其特征在于，
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的碳化硅晶圆...
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