【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、对光子电路和电学电路进行集成能够通过利用这些存在差异的技术中的每种技术的优越特征来提高系统效率。例如，可以使光子技术与电学技术相结合，从而提高数据传输速度和容量(例如，具有更大带宽)，同时降低成本和能耗(例如，具有限制性更低的冷却要求)。
2、然而，存在一种新兴的对异构封装解决方案的需求，这些方案允许在这些混合技术节点之间实现紧凑、直接的芯片至芯片连接。尽管分立芯片可以提供这一功能，这种分立器件可能需要额外的组装处理或者更大的基板面积，或者它们可能具有更高的每封装成本。需要实现进步以在对这些存在差异的技术的越来越密集的集成中实现光子电路和电学电路两者的益处。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种设备，包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第二表面的所述第一部分直接接合至所述第一表面。
3.根据权利要求1所述的设备，还包括与所述光子IC横向相邻并且位于所述电学IC之上的玻璃基板。
4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述非线性光学材料位于所述玻璃基板上，并且所述非线性光学材料以及所述第一金属化结构和所述第二金属化结构位于所述玻璃基板的部分与所述电学IC之间。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的设备，其中，所述非线性光学材料直接接触所述光子IC。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的设备，其中，所述非线性光学材料邻接所述玻璃基板与所述光子IC之间的基本上透明的聚合物，并且所述基本上透明的聚合物具有大致等于所述非线性光学材料或者所述光子IC的折射率的折射率。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的设备，其中，所述电学IC包括第三金属化结构和第四金属化结构，并且所述第一金属化结构与所述第三金属化结构耦合，并且所述第二金属化结构与所述第四金属化结构耦合。
8.一种设备，包括：p>
9.根据权利要求8所述的设备，其中，所述电学IC的所述第一部分直接接合至所述光子IC。
10.根据权利要求8或9所述的设备，其中，所述基板是承托部件，所述设备还包括位于所述电学IC之上并且与所述光子IC横向相邻的玻璃基板。
11.根据权利要求10所述的设备，其中，所述非线性光学材料位于所述玻璃基板上，并且所述第一金属化结构和所述第二金属化结构以及所述非线性光学材料位于所述电学IC与所述玻璃基板的部分之间。
12.根据权利要求10所述的设备，其中，基本上透明的聚合物位于所述光子IC和所述玻璃基板之间。
13.根据权利要求10所述的设备，还包括横向环绕所述电学IC的模块电介质。
14.根据权利要求13所述的设备，其中，所述模块电介质位于所述承托部件与所述光子IC之间或位于所述承托部件与所述玻璃基板之间。
15.一种方法，包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其中，耦合所述光子IC和所述电学IC包括对所述光子IC和所述电学IC进行直接接合。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，将所述可开关波导器件耦合在所述电学IC之上包括将所述第一金属化结构接合至第三金属化结构并且将所述第二金属化结构接合至第四金属化结构，其中，所述电学IC包括所述第三金属化结构和所述第四金属化结构。
18.根据权利要求15-17中任一项所述的方法，其中，形成所述可开关波导器件包括在玻璃基板上沉积所述非线性光学材料。
19.根据权利要求15-17中任一项所述的方法，其中，形成所述可开关波导器件包括在玻璃基板上沉积所述第一金属化结构和所述第二金属化结构。
20.根据权利要求15-17中任一项所述的方法，还包括在所述非线性光学材料与所述光子IC之间形成基本上透明的聚合物。
...【技术特征摘要】
1.一种设备，包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第二表面的所述第一部分直接接合至所述第一表面。
3.根据权利要求1所述的设备，还包括与所述光子ic横向相邻并且位于所述电学ic之上的玻璃基板。
4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述非线性光学材料位于所述玻璃基板上，并且所述非线性光学材料以及所述第一金属化结构和所述第二金属化结构位于所述玻璃基板的部分与所述电学ic之间。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的设备，其中，所述非线性光学材料直接接触所述光子ic。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的设备，其中，所述非线性光学材料邻接所述玻璃基板与所述光子ic之间的基本上透明的聚合物，并且所述基本上透明的聚合物具有大致等于所述非线性光学材料或者所述光子ic的折射率的折射率。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的设备，其中，所述电学ic包括第三金属化结构和第四金属化结构，并且所述第一金属化结构与所述第三金属化结构耦合，并且所述第二金属化结构与所述第四金属化结构耦合。
8.一种设备，包括：
9.根据权利要求8所述的设备，其中，所述电学ic的所述第一部分直接接合至所述光子ic。
10.根据权利要求8或9所述的设备，其中，所述基板是承托部件，所述设备还包括位于所述电学ic之上并且与所述光子ic横向相邻的玻璃基板。
11.根据权利要求10所述的设备，其中，所述非...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·纳德，B·马林，J·埃克顿，段刚，S·皮耶塔姆巴拉姆，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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