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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆制造,尤其涉及一种晶圆加热装置。
技术介绍
1、晶圆加热是半导体制造过程中的关键步骤,用于确保晶圆达到所需的温度,以进行特定的工艺步骤,如电镀后进行软烘(soft bak i ng)、高温固化(h i gh temp.cur ing)等高温烘烤。
2、加热晶圆时需要将晶圆放在指定的加热设备内,而用于放置晶圆的容器与加热设备之间是存在一定距离的,故业内在对晶圆进行加热时,通常采用手动或者半自动的方式将晶圆移动一定距离后放入加热设备内。而业内通常会使用炉管式的加热设备来加热大量的晶圆,因此很多厂家为了节省搬运次数,通常会先积累一定数量的晶圆再将晶圆搬运到加热设备处,容易耽误工艺时间,影响晶圆的生产效率;同时炉管式的加热设备会消耗大量能量,造成能源的浪费。
3、因此,亟需一种可自动加热晶圆的技术。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本专利技术提出一种晶圆加热装置,以解决现有技术中如何实现晶圆的自动化加热的问题。
2、本专利技术提供一种晶圆加热装置,包括:
3、机架;
4、加热模块,设于所述机架内,所述加热模块具有热风循环组件以及加热腔室,所述加热腔室用于放置晶圆,所述热风循环组件与所述加热腔室相连通,便于向所述加热腔室内通入循环热风以加热所述加热腔室内的晶圆;
5、储存模块,设于所述机架外的一侧,所述储存模块具有可移动的晶圆容器,所述晶圆容器用于储存晶圆;<
...【技术保护点】
1.一种晶圆加热装置,其特征在于,所述装置包括:
2.根据权利要求1所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述加热腔室(21)至少有两种规格,每种规格的所述加热腔室(21)用于放置一种规格的晶圆;
3.根据权利要求2所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述加热腔室(21)的晶圆容纳量为N片,所述晶圆容器(31)的晶圆容纳量为M片;
4.根据权利要求3所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述机架(1)的一侧设有至少两个进入口(14),所述晶圆容器(31)具有开口,所述开口与一个所述进入口(14)相对;
5.根据权利要求3所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述晶圆容器(31)的数量为X个,至少一个选定的冷却腔室(41)沿第二预设线性方向排布;
6.根据权利要求1所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述热风循环组件包括排气单元、鼓风单元以及过滤单元,所述排气单元与所述加热腔室(21)相连通,以利用惰性气体排出所述加热腔室(21)内的空气;
7.根据权利要求1所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述装置还包括对中组件(6),所述对中组件(6
8.根据权利要求7所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述装置还包括静电消除组件,设于所述对中组件(6)的一侧,以中和晶圆的静电荷。
9.根据权利要求1所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述移动模块(5)包括:
10.根据权利要求1至9任一项所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述机架(1)包括:
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆加热装置,其特征在于,所述装置包括:
2.根据权利要求1所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述加热腔室(21)至少有两种规格,每种规格的所述加热腔室(21)用于放置一种规格的晶圆;
3.根据权利要求2所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述加热腔室(21)的晶圆容纳量为n片,所述晶圆容器(31)的晶圆容纳量为m片;
4.根据权利要求3所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述机架(1)的一侧设有至少两个进入口(14),所述晶圆容器(31)具有开口,所述开口与一个所述进入口(14)相对;
5.根据权利要求3所述的晶圆加热装置,其特征在于,所述晶圆容器(31)的数量为x个,至少一个选定的冷却腔室(41)沿第二预设线性方向排布;
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾麒文,洪成都,
申请(专利权)人:苏州桔云科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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