【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路检测，特别涉及一种集成电路的漏电检测方法、系统、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、随着集成电路的发展，实现电子设备的低功耗已成为各行业的基本要求。降低功耗，其意义主要在于减少集成电路的能耗，节约能源，于此同时，也可以大幅度的提高集成电路的速度。其次，可以减少产生的热量，解决电子设备普遍存在的发热问题。并且现在大规模集成电路中数模混合电路是普遍存在的设计，为了降低功耗会有不同高低的电压存在，那么高低压转换工程中一般需要增加转换电路，如果漏掉了转换电路，那么从高压向低压转换过程存在器件击穿的风险，在低压向高压转换的过程则存在漏电的风险，从而造成功耗增加。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中集成电路设计中容易在电压转换时遗漏转换电路导致存在漏电的风险的缺陷，提供一种集成电路的漏电检测方法、系统、电子设备及存储介质。
2、本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
3、本专利技术提供一种集成电路的漏电检测方法，所述漏电检测方法包括：
4、获取所述集成电路的元器件的场效应晶体管的电极电压；
5、根据所述场效应晶体管的电极电压确定所述场效应晶体管的工作状态；
6、当所述元器件的相互链接的场效应晶体管均处于导通状态时，确定所述元器件处于漏电状态。
7、较佳地，获取所述集成电路的元器件的场效应晶体管的电极电压的步骤包括：
8、在所述集成电路的仿真电路的各个
9、基于所述电压标识生成所述集成电路的网表；
10、基于所述集成电路的网表得到所述场效应晶体管的电极电压。
11、较佳地，基于所述集成电路的网表得到所述场效应晶体管的电极电压的步骤包括：
12、遍历所述集成电路的网表的全部场效应晶体管以得到所述全部场效应晶体管的电极电压。
13、较佳地，所述相互链接的场效应晶体管包括相互链接的p型场效应晶体管和n型场效应晶体管；
14、当所述元器件的相互链接的场效应晶体管均处于导通状态时，确定所述元器件处于漏电状态的步骤包括：
15、当所述p型场效应晶体管和所述n型场效应晶体管均处于导通状态时，生成提示信息，以提示所述场效应晶体管的栅极未连接转换电路。
16、本专利技术还提供一种集成电路的漏电检测系统，其特征在于，所述漏电检测系统包括：
17、电极电压获取模块，用于获取所述集成电路的元器件的场效应晶体管的电极电压；
18、工作状态确定模块，用于根据所述场效应晶体管的电极电压确定所述场效应晶体管的工作状态；
19、漏电状态确定模块，用于当所述元器件的相互链接的场效应晶体管均处于导通状态时，确定所述元器件处于漏电状态。
20、较佳地，所述电极电压获取模块包括：
21、电压标识增加单元，用于在所述集成电路的仿真电路的各个节点增加电压标识；
22、网表生成单元，用于基于所述电压标识生成所述集成电路的网表；
23、电极电压获取单元，用于基于所述集成电路的网表得到所述场效应晶体管的电极电压。
24、较佳地，所述电极电压获取单元具体用于遍历所述集成电路的网表的全部场效应晶体管以得到所述全部场效应晶体管的电极电压。
25、较佳地，所述相互链接的场效应晶体管包括相互链接的p型场效应晶体管和n型场效应晶体管；
26、所述漏电状态确定模块具体用于当所述p型场效应晶体管和n型场效应晶体管均处于导通状态时，生成提示信息，以提示所述场效应晶体管的栅极未连接转换电路。
27、本专利技术还提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上所述的集成电路的漏电检测方法。
28、本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的集成电路的漏电检测方法。
29、本专利技术的积极进步效果在于：
30、本专利技术的集成电路的漏电检测方法，通过集成电路的元器件的场效应晶体管的电极电压确定场效应晶体管的工作状态，当检测到元器件的相互链接的mos管均处于导通状态时，确定该目标元器件并进行提示，确保在集成电路设计中转换电路不被遗漏，降低了集成电路漏电的概率，提高了集成电路的安全性和性能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种集成电路的漏电检测方法，其特征在于，所述漏电检测方法包括：
2.如权利要求1所述的漏电检测方法，其特征在于，获取所述集成电路的元器件的场效应晶体管的电极电压的步骤包括：
3.如权利要求2所述的漏电检测方法，其特征在于，基于所述集成电路的网表得到所述场效应晶体管的电极电压的步骤包括：
4.如权利要求1所述的漏电检测方法，其特征在于，所述相互链接的场效应晶体管包括相互链接的P型场效应晶体管和N型场效应晶体管；
5.一种集成电路的漏电检测系统，其特征在于，所述漏电检测系统包括：
6.如权利要求5所述的漏电检测系统，其特征在于，所述电极电压获取模块包括：
7.如权利要求6所述的漏电检测系统，其特征在于，所述电极电压获取单元具体用于遍历所述集成电路的网表的全部场效应晶体管以得到所述全部场效应晶体管的电极电压。
8.如权利要求5所述的漏电检测系统，其特征在于，所述相互链接的场效应晶体管包括相互链接的P型场效应晶体管和N型场效应晶体管；
9.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至4中任一项所述的集成电路的漏电检测方法。
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路的漏电检测方法，其特征在于，所述漏电检测方法包括：
2.如权利要求1所述的漏电检测方法，其特征在于，获取所述集成电路的元器件的场效应晶体管的电极电压的步骤包括：
3.如权利要求2所述的漏电检测方法，其特征在于，基于所述集成电路的网表得到所述场效应晶体管的电极电压的步骤包括：
4.如权利要求1所述的漏电检测方法，其特征在于，所述相互链接的场效应晶体管包括相互链接的p型场效应晶体管和n型场效应晶体管；
5.一种集成电路的漏电检测系统，其特征在于，所述漏电检测系统包括：
6.如权利要求5所述的漏电检测系统，其特征在于，所述电极电压获取模块包括：
7.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：范亚茹，张文骐，周浩，武洁，田新儒，王佑昌，陈明凯，
申请(专利权)人：上海贝岭股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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