【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种级联电路、级联器件。
技术介绍
1、半导体器件在现代电子
中有着重要的应用。半导体器件为了实现常关型功能，通常采用级联电路的结构。
2、然而，现有的级联电路在工作时损耗较大，限制了级联电路的进一步应用。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种级联电路、级联器件，以解决级联电路在正常工作时损耗较大的问题。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种级联电路，所述级联电路包括：低压增强型器件、高压耗尽型器件和调节二极管；
3、所述低压增强型器件包括第一漏极、第一源极和第一栅极，所述高压耗尽型器件包括第二漏极、第二源极和第二栅极；所述第一漏极与所述第二源极电连接，所述第一源极与所述第二栅极电连接，所述第一栅极作为所述级联电路的栅极，所述第一源极作为所述级联电路的源极，所述第二漏极作为所述级联电路的漏极；
4、所述调节二极管的阳极与所述第一源极电连接，所述调节二极管的阴极与所述第一漏极电连接；所述调节二极管的正向导通电压小于所述低压增强型器件的体二极管的正向导通电压。
5、可选地，所述调节二极管的反向恢复电荷小于所述体二极管的反向恢复电荷。
6、可选地，所述调节二极管的击穿电压小于所述低压增强型器件的雪崩击穿电压。
7、可选地，所述调节二极管的击穿电压的取值范围为所述增强型器件的雪崩击穿电压的90％至95％。
8、可选地，所述调节二极管的击穿电压大于所述高压耗
9、可选地，所述调节二极管为肖特基二极管。
10、可选地，所述调节二极管为硅基二极管、氮化镓基二极管或碳化硅基二极管。
11、可选地，所述低压增强型器件为硅器件，所述高压耗尽型器件为碳化硅器件或氮化镓器件。
12、根据本专利技术的另一方面，提供了一种级联器件，所述级联器件包括上述的级联电路。
13、可选地，所述低压增强型器件及所述调节二极管集成于同一芯片上；
14、或者，所述调节二极管与集成所述低压增强型器件的芯片独立。
15、本专利技术实施例的技术方案，采用的级联电路包括低压增强型器件、高压耗尽型器件和调节二极管；低压增强型器件包括第一漏极、第一源极和第一栅极，高压耗尽型器件包括第二漏极、第二源极和第二栅极；第一漏极与第二源极电连接，第一源极与第二栅极电连接，第一栅极作为级联电路的栅极，第一源极作为级联电路的源极，第二漏极作为级联电路的漏极；调节二极管的阳极与第一源极电连接，调节二极管的阴极与第一漏极电连接；调节二极管的正向导通电压小于低压增强型器件的正向导通电压。当级联电路处于反向续流状态时，由于调节二极管的正向导通电压小于低压增强型器件的正向导通电压，因此，此时调节二极管和导通状态的高压耗尽型器件串联构成反向续流通路。并且由于调节二极管的正向导通电压显著小于低压增强型器件的体二极管的正向导通电压，所以续流状态下的导通损耗更低。
16、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
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1.一种级联电路，其特征在于，所述级联电路包括：低压增强型器件、高压耗尽型器件和调节二极管；
2.根据权利要求1所述的级联电路，其特征在于，所述低压增强型器件包含体二极管，所述调节二极管的反向恢复电荷小于所述体二极管的反向恢复电荷。
3.根据权利要求1所述的级联电路，其特征在于，所述调节二极管的击穿电压小于所述低压增强型器件的雪崩击穿电压。
4.根据权利要求3所述的级联电路，其特征在于，所述调节二极管的击穿电压的取值范围为所述增强型器件的雪崩击穿电压的90％至95％。
5.根据权利要求3所述的级联电路，其特征在于，所述调节二极管的击穿电压大于所述高压耗尽型器件的阈值电压的绝对值。
6.根据权利要求1所述的级联电路，其特征在于，所述调节二极管为肖特基二极管。
7.根据权利要求1所述的级联电路，其特征在于，所述调节二极管为硅基二极管、氮化镓基二极管或碳化硅基二极管。
8.根据权利要求1所述的级联电路，其特征在于，所述低压增强型器件为硅器件，所述高压耗尽型器件为碳化硅器件或氮化镓器件。
9.
10.根据权利要求9所述的级联器件，其特征在于，所述低压增强型器件及所述调节二极管集成于同一芯片上；
...【技术特征摘要】
1.一种级联电路，其特征在于，所述级联电路包括：低压增强型器件、高压耗尽型器件和调节二极管；
2.根据权利要求1所述的级联电路，其特征在于，所述低压增强型器件包含体二极管，所述调节二极管的反向恢复电荷小于所述体二极管的反向恢复电荷。
3.根据权利要求1所述的级联电路，其特征在于，所述调节二极管的击穿电压小于所述低压增强型器件的雪崩击穿电压。
4.根据权利要求3所述的级联电路，其特征在于，所述调节二极管的击穿电压的取值范围为所述增强型器件的雪崩击穿电压的90％至95％。
5.根据权利要求3所述的级联电路，其特征在于，所述调节二极管的击穿电压大...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱永生，裴轶，
申请(专利权)人：苏州捷芯威半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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