一种IGBT驱动电路制造技术

本技术公开了一种IGBT驱动电路，包括IGBT电压采样电路、滞回比较电路、逻辑判断电路及驱动电路；所述驱动电路包括开通通路、用来减小关断时间的第一级关断通路和用来抑制IGBT关断电压的第二级关断通路，PWM驱动信号通过开通通路或者关断通路对IGBT进行驱动；IGBT电压采样电路包括电容C和电阻R，其中电容C的一端连接IGBT的集电极，C的另一端与电阻R连接，电阻R的另一端连接IGBT的发射极；所述电阻R的两端电压作为所述滞回比较电路的输入；该IGBT驱动电路可以有效减小IGBT关断时因换流路径产生的模块两端电压Vce，并且还可以降低开关损耗，减小关断时间，设计的电路成本低、适用性强。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及igbt驱动，尤其涉及一种igbt驱动电路。

技术介绍

1、在新能源领域，绝缘栅双极型晶体管igbt器件得到广泛应用。但随着行业的发展，输出功率越来越大，单个igbt器件输出能力一直在探索电流输出极限。但是igbt关断时的vce是影响igbt输出能力的重要因素之一。

2、当前主要依靠外加吸收电容或者采用增加关断电阻等方式来抑制关断vce。但是外加吸收电容，吸收电容的热及可允许的纹波电流是影响电容器件选型的重要因素，对于当前市场现有器件，没有合适的电容器件可供使用。增加关断电阻是附带影响关断时间及igbt关断损耗，增加igbt器件散热成本，以及igbt死区时间的设定。

技术实现思路

1、本技术要解决的技术问题是提供一种igbt驱动电路控制方法，该igbt驱动电路可以有效减小igbt关断时因换流路径产生的模块两端电压vce，并且还可以降低开关损耗，减小关断时间，设计的电路成本低、适用性强。

2、为解决上述技术问题，本技术提供一种igbt驱动电路，包括igbt电压采样电路、滞回比较电路、逻辑判断电路及驱动电路；

3、所述驱动电路包括开通通路、用来减小关断时间的第一级关断通路和用来抑制igbt关断电压的第二级关断通路，pwm驱动信号通过开通通路或者关断通路对igbt进行驱动；所述滞回比较电路包括预设电压vref1和vref2的滞回比较器；igbt电压采样电路包括电容c和电阻r，其中电容c的一端连接igbt的集电极，c的另一端与电阻r连接，电阻r的另一端连接igbt的发射极；

4、所述电阻r的两端电压作为所述滞回比较电路的输入；

5、所述igbt驱动电路还包括用于根据igbt模块两端的电压变化率vr与滞回比较器预设电压一vref1和预设电压二vref2的比较结果、以及pwm驱动信号共同来判断选择驱动通路的逻辑判断电路；所述滞回比较电路的输出端与所述逻辑判断电路输入端连接。

6、优选地，所述第一级关断通路与所述第二级关断通路用于给igbt提供不同阻值的门级电阻。

7、优选地，所述开通通路包括开通电阻ron及第一三极管q1，第一三极管q1集电极连接电源vcc1端，第一三极管q1发射极经过开通电阻ron与igbt门级连接，第一三极管q1基极与pwm信号连接。

8、优选地，所述第一级关断通路包括第一关断电阻roff1及第三三极管q3，第三三极管q3集电极经过第一关断电阻roff1与igbt门级连接，第三三极管q3发射极连接电源vee1端。

9、优选地，所述第二级关断通路包括第二关断电阻roff2及第二三极管q2，第二三极管q2发射极经第二关断电阻roff2与第二三极管q2漏极连接，第二三极管q2集电极与电源vee1端连接，第二三极管q2基极与pwm信号端连接。

10、优选地，所述第一三极管q1、第二三极管q2及第三三极管q3替换为mos管。

11、采用上述电路之后，igbt驱动电路包括igbt电压采样电路、滞回比较电路、逻辑判断电路及驱动电路；所述驱动电路包括开通通路、用来减小关断时间的第一级关断通路和用来抑制igbt关断电压的第二级关断通路，pwm驱动信号通过开通通路或者关断通路对igbt进行驱动；所述滞回比较电路包括预设电压vref1和vref2的滞回比较器；igbt电压采样电路包括电容c和电阻r，其中电容c的一端连接igbt的集电极，c的另一端与电阻r连接，电阻r的另一端连接igbt的发射极；所述电阻r的两端电压作为所述滞回比较电路的输入；所述igbt驱动电路还包括用于根据igbt模块两端的电压变化率vr与滞回比较器预设电压一vref1和预设电压二vref2的比较结果、以及pwm驱动信号共同来判断选择驱动通路的逻辑判断电路；所述滞回比较电路的输出端与所述逻辑判断电路输入端连接；该igbt驱动电路可以有效减小igbt关断时因换流路径产生的模块两端电压vce，并且还可以降低开关损耗，减小关断时间，设计的电路成本低、适用性强。

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【技术保护点】

1.一种IGBT驱动电路，其特征在于，包括IGBT电压采样电路、滞回比较电路、逻辑判断电路及驱动电路；

2.根据权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述第一级关断通路与所述第二级关断通路用于给IGBT提供不同阻值的门级电阻。

3.根据权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述开通通路包括开通电阻Ron及第一三极管Q1，第一三极管Q1集电极连接电源VCC1端，第一三极管Q1发射极经过开通电阻Ron与IGBT门级连接，第一三极管Q1基极与PWM信号连接。

4.根据权利要求3所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述第一级关断通路包括第一关断电阻Roff1及第三三极管Q3，第三三极管Q3集电极经过第一关断电阻Roff1与IGBT门级连接，第三三极管Q3发射极连接电源VEE1端。

5.根据权利要求4所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述第二级关断通路包括第二关断电阻Roff2及第二三极管Q2，第二三极管Q2发射极经第二关断电阻Roff2与第二三极管Q2漏极连接，第二三极管Q2集电极与电源VEE1端连接，第二三极管Q2基极与PWM信号端连接。

6.根据权利要求5所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述第一三极管Q1、第二三极管Q2及第三三极管Q3替换为MOS管。

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【技术特征摘要】

1.一种igbt驱动电路，其特征在于，包括igbt电压采样电路、滞回比较电路、逻辑判断电路及驱动电路；

2.根据权利要求1所述的igbt驱动电路，其特征在于，所述第一级关断通路与所述第二级关断通路用于给igbt提供不同阻值的门级电阻。

3.根据权利要求1所述的igbt驱动电路，其特征在于，所述开通通路包括开通电阻ron及第一三极管q1，第一三极管q1集电极连接电源vcc1端，第一三极管q1发射极经过开通电阻ron与igbt门级连接，第一三极管q1基极与pwm信号连接。

4.根据权利要求3所述的igbt驱动电路，其特征在于，所述第一级...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾宇，姜圳，王琰，周党生，王武华，
申请(专利权)人：深圳市禾望电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：