本申请实施例提供了一种显示面板和显示装置，包括衬底、遮光膜层、第一功能膜层及第二功能膜层四大部分，并且，衬底、遮光膜层、第一功能膜层、第二功能膜层自下至上依次设置；其中，第一功能膜层包括低温多晶硅结构和PIN二极管的P极结构，P极结构和低温多晶硅结构同层设置，由于PIN二极管可用于指纹识别，因此，本申请提供的显示面板实现了将指纹识别技术集成到显示面板内进行指纹识别。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示装置，特别是涉及一种显示面板和显示装置。
技术介绍
1、指纹识别是显示面板上的常见功能，目前，通常是通过指纹传感器进行指纹识别，传统的传感器包括电容传感器、超声波传感器、小孔成像的光学传感器等。其中，电容传感器价格便宜，技术最成熟，但可能会产生触控信号和指纹识别信号相互干扰的问题，并且，在使用电容传感器实现指纹识别时，需要用户用力按压才能实现解锁，解锁速度不快；超声波传感器需要设置较大面积进行指纹识别，因此会带来识别功耗高，价格昂贵的问题，并且，超声波传感器技术不成熟，超声波在柔软物质和空气中损耗较大，导致显示面板不能贴膜，大大降低了用户体验；小孔成像的光学传感器能够在最大程度上避免环境光的干扰，在极端环境下的稳定性更好，但其识别率不够高，识别面积小，另外，使用小孔成像的光学传感器时，需要长期点亮屏幕特定区域，显示面板容易出现老化的问题。
2、综上，在通过指纹传感器识别指纹时，都需要用到传感器模组，而传感器模组无法集成到屏幕内。
技术实现思路
1、本专利技术实施例的目的在于提供一种显示面板和显示装置，以实现将指纹识别技术集成到显示面板内进行指纹识别。具体技术方案如下：
2、本申请实施例提供了一种显示面板，包括：
3、衬底、遮光膜层、第一功能膜层、第二功能膜层；
4、所述第一功能膜层包括低温多晶硅结构及pin二极管的p极结构，且所述低温多晶硅结构及所述p极结构同层设置；
5、所述遮光膜层设置在所述衬底上；</p>6、所述第一功能膜层设置在所述遮光膜层上远离所述衬底的一侧；
7、所述第二功能膜层设置在所述第一功能膜层上远离所述衬底的一侧。
8、在一种可能的实施方式中，所述第二功能膜层包括第一栅电极结构、第二栅电极结构、绝缘层；
9、所述第一栅电极结构设置在所述第一功能膜层上远离所述衬底的一侧；
10、所述第二栅电极结构设置所述第一栅电极结构上远离所述第一功能膜层的一侧；
11、所述绝缘层设置在所述第二栅电极结构上远离所述第一栅电极结构的一侧。
12、在一种可能的实施方式中，所述第二功能膜层存在间隔结构，pin二极管的i极结构位于所述间隔结构；
13、所述i极结构设置在所述p极结构上，且所述i极结构在衬底上的正投影与所述p极结构在衬底上的正投影交叠；
14、所述i极结构为非晶硅材料。
15、在一种可能的实施方式中，所述第二功能膜层还包括铟镓锌氧化物半导体结构及pin二极管的n极结构，且所述铟镓锌氧化物半导体结构及所述n极结构同层设置；
16、所述n极结构为镓锌氧化物半导体材料；
17、所述铟镓锌氧化物半导体结构设置在所述绝缘层上远离所述第二栅电极结构的一侧；
18、所述n极结构设置在所述i极结构上远离所述p极结构的一侧，且所述n极结构在衬底上的正投影与所述i极结构在衬底上的正投影交叠；
19、所述铟镓锌氧化物半导体结构的源/漏极和所述n极结构是经过n型掺杂制备得到的。
20、在一种可能的实施方式中，所述第二功能膜层还包括第三栅电极结构、层间介质层；
21、所述第三栅电极结构设置在所述铟镓锌氧化物半导体结构上远离所述绝缘层的一侧；
22、所述层间介质层设置在所述第三栅电极结构上远离所述铟镓锌氧化物半导体结构的一侧；
23、所述层间介质层包括第一源漏电极结构；
24、所述第一源漏电极结构分别与所述低温多晶硅结构的源/漏极、所述铟镓锌氧化物半导体结构的源/漏极、所述pin二极管的p极结构连接。
25、在一种可能的实施方式中，所述第一源漏电极结构还与所述pin二极管的n极结构连接。
26、在一种可能的实施方式中，所述第二功能膜层还包括平坦层；
27、所述平坦层设置在所述层间介质层上远离所述第三栅电极结构的一侧。
28、在一种可能的实施方式中，所述平坦层包括第二源漏电极结构；
29、所述第二源漏电极结构与所述pin二极管的n极结构连接。
30、在一种可能的实施方式中，所述第二功能膜层还包括像素定义层、隔垫物层、薄膜封装层、触控层、彩色滤光片层、盖板玻璃；
31、所述像素定义层设置在所述平坦层上远离所述层间介质层的一侧；
32、所述像素定义层存在开口结构；
33、所述开口结构中填充有阳极层和电致发光层；
34、所述隔垫物层设置在所述像素定义层上远离所述平坦层的一侧；
35、所述薄膜封装层位于所述触控层和所述像素定义层之间，所述触控层在所述衬底上的正投影和所述像素定义层在所述衬底上的正投影交叠；
36、所述彩色滤光片层设置在所述触控层上远离所述薄膜封装层的一侧；
37、所述盖板玻璃设置在所述彩色滤光片层上远离所述触控层的一侧。
38、在一种可能的实施方式中，所述n极结构上方的平坦层和像素定义层缺失；
39、所述薄膜封装层填充在所述平坦层和所述像素定义层缺失处。
40、另一方面，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一显示面板。
41、本专利技术实施例有益效果：
42、本申请实施例提供了一种显示面板，包括衬底、遮光膜层、第一功能膜层及第二功能膜层四大部分，并且，衬底、遮光膜层、第一功能膜层、第二功能膜层自下至上依次设置；其中，第一功能膜层包括低温多晶硅结构和pin二极管的p极结构，p极结构和低温多晶硅结构同层设置，由于pin二极管可用于指纹识别，因此，本申请提供的显示面板实现了将指纹识别技术集成到显示面板内进行指纹识别。
43、当然，实施本专利技术的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
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【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二功能膜层存在间隔结构，PIN二极管的I极结构位于所述间隔结构；
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二功能膜层还包括第三栅电极结构、层间介质层；
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一源漏电极结构还与所述PIN二极管的N极结构连接。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二功能膜层还包括平坦层；
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述平坦层包括第二源漏电极结构；
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第二功能膜层还包括像素定义层、隔垫物层、薄膜封装层、触控层、彩色滤光片层、盖板玻璃；
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述N极结构上方的平坦层和像素定义层缺失；
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-10中任一所述的显示面板。
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【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二功能膜层存在间隔结构，pin二极管的i极结构位于所述间隔结构；
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二功能膜层还包括第三栅电极结构、层间介质层；
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一源漏电极结构还与所述pin二极管的n极结构连接。
【专利技术属性】
技术研发人员：夏维，贵炳强，高涛，文强，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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