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显示装置和制造该显示装置的方法制造方法及图纸

技术编号:41860109 阅读:4 留言:0更新日期:2024-06-27 18:33
本申请涉及显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括:第一像素电极,在基板上、在第一发射区域中;绝缘层,覆盖第一像素电极边缘;第一发光层,在第一像素电极和绝缘层上;第一公共电极,在第一发光层上;堤挡,设置在绝缘层上围绕第一发射区域;第一有机图案,在堤挡上围绕第一发射区域,包括与第一发光层的材料相同的材料;和第一电极图案,在第一有机图案上围绕第一发射区域,包括与第一公共电极的材料相同的材料。堤挡包括:第一堤挡,设置在绝缘层上,接触第一公共电极;第二堤挡,设置在第一堤挡上,包括朝向第一发射区域突出且将第一公共电极和第一电极图案分离的尖端结构;和第三堤挡,设置在第二堤挡上,具有相对低的反射特性。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及显示装置和制造该显示装置的方法


技术介绍

1、随着信息社会的发展,对用于显示图像的显示装置的需求正在增加并且多样化。例如,显示装置正在应用于诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视的各种电子装置。显示装置可为诸如液晶显示装置、场发射显示器装置或有机发光显示装置的平板显示装置。在这种平板显示装置当中,发光显示装置可在没有向显示面板提供光的背光单元的情况下显示图像,因为显示面板中的每一个像素包括自身可发射光的发光元件。


技术实现思路

1、本公开的特征提供能够减少外部光反射率并且改善显示质量的显示装置和制造该显示装置的方法。

2、然而,本公开的特征不限于在本文中陈述的方面。通过参考下面给出的本公开的详细描述,本公开的以上和其它特征对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。

3、在实施方式中,显示装置包括:第一像素电极,设置在基板上、第一发射区域中;绝缘层,覆盖第一像素电极的边缘;第一发光层,设置在第一像素电极和绝缘层上;第一公共电极,设置在第一发光层上;堤挡,设置在绝缘层上,并且围绕第一发射区域;第一有机图案,在堤挡上围绕第一发射区域,并且包括与第一发光层的材料相同的材料;以及第一电极图案,在第一有机图案上围绕第一发射区域,并且包括与第一公共电极的材料相同的材料。堤挡包括:第一堤挡,设置在绝缘层上,并且与第一公共电极接触;第二堤挡,设置在第一堤挡上,并且包括朝向第一发射区域突出以将第一公共电极和第一电极图案彼此分离的尖端结构;以及第三堤挡,设置在第二堤挡上,并且具有相对低的反射特性。

4、在实施方式中,第三堤挡可包括铜(cu)合金氧化物或铜氧化物(cuox)。

5、在实施方式中,铜(cu)合金氧化物可为铜镁铝氧化物(cumgalox)。

6、在实施方式中,第一堤挡可包括铜(cu)合金,并且第二堤挡可包括钛(ti)。

7、在实施方式中,铜(cu)合金可为铜镁铝(cumgal)。

8、在实施方式中,铜镁铝(cumgal)中铜(cu)的组成比可为90at%或更多。

9、在实施方式中,第一堤挡的侧表面可从第二堤挡的侧表面向内凹陷。

10、在实施方式中,显示装置可进一步包括:第二像素电极,设置在基板上、第二发射区域中;第二发光层,设置在第二像素电极上;以及第二公共电极,设置在第二发光层上。

11、在实施方式中,第一公共电极和第二公共电极可通过第一堤挡彼此电连接。

12、在实施方式中,显示装置可进一步包括:第二有机图案,在第一电极图案上围绕第二发射区域,并且包括与第二发光层的材料相同的材料;以及第二电极图案,在第二有机图案上围绕第二发射区域,并且包括与第二公共电极的材料相同的材料。

13、在实施方式中,制造显示装置的方法包括:在基板上形成第一像素电极和第二像素电极,在第一像素电极和第二像素电极上堆叠牺牲层、绝缘层、第一堤挡、第二堤挡和堤挡材料,通过对堤挡材料执行热处理工艺形成具有相对低的反射特性的第三堤挡,蚀刻第三堤挡、第二堤挡和第一堤挡,以便第二堤挡的侧表面包括从第一堤挡的侧表面突出的尖端结构,通过蚀刻绝缘层和牺牲层来暴露第一像素电极,以及在第一像素电极上形成第一发光层并且在第三堤挡上形成第一有机图案。

14、在实施方式中,堤挡材料可包括铜(cu)合金,并且铜(cu)合金可通过热处理工艺被氧化并转变成铜(cu)合金氧化物。

15、在实施方式中,堤挡材料可包括纯铜,并且纯铜可通过热处理工艺被氧化并转变成铜氧化物(cuox)。

16、在实施方式中,第一堤挡可包括铜(cu)合金,并且第二堤挡可包括钛(ti)。

17、在实施方式中,铜(cu)合金可包括铜镁铝(cumgal),并且铜镁铝(cumgal)中铜(cu)的组成比可为90at%或更多。

18、在实施方式中,蚀刻第三堤挡、第二堤挡和第一堤挡可包括:与蚀刻第二堤挡的侧表面相比,更多地蚀刻第一堤挡的侧表面,以形成第二堤挡的突出的尖端结构。

19、在实施方式中,形成第一发光层和第一有机图案可包括:通过第二堤挡的尖端切割沉积在基板上的有机材料,以将有机材料分离成第一发光层和第一有机图案。

20、在实施方式中,制造显示装置的方法可进一步包括:在第一发光层上形成第一公共电极并且在第一有机图案上形成第一电极图案,以及在第一公共电极上形成封盖层并且在第一电极图案上形成第一封盖图案。

21、在实施方式中,形成第一公共电极和第一电极图案可包括:通过第二堤挡的尖端切割沉积在基板上的金属材料,以将金属材料分离成第一公共电极和第一电极图案。

22、在实施方式中,形成封盖层和第一封盖图案可包括:通过第二堤挡的尖端切割沉积在基板上的无机材料,以将无机材料分离成封盖层和第一封盖图案。

23、利用实施方式中的显示装置和制造该显示装置的方法,显示装置可通过包括具有卓越的导电性和粘合力的第一堤挡、具有相对高的热阻挡性能的第二堤挡和具有相对低的反射特性的第三堤挡来减少外部光反射率并改善显示质量。

24、本公开的效果不限于前述的效果,并且各种其它效果包括在本说明书中。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显示装置,包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第三堤挡包括铜合金氧化物或铜氧化物。

3.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述铜合金氧化物包括铜镁铝氧化物。

4.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一堤挡包括铜合金,并且所述第二堤挡包括钛。

5.根据权利要求4所述的显示装置,其中所述铜合金包括铜镁铝。

6.根据权利要求5所述的显示装置,其中所述铜镁铝中铜的组成比为90at%或更多。

7.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一堤挡的侧表面从所述第二堤挡的侧表面向内凹陷。

8.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置进一步包括:

9.根据权利要求8所述的显示装置,其中所述第一公共电极和所述第二公共电极通过所述第一堤挡彼此电连接。

10.根据权利要求8所述的显示装置,进一步包括:

11.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:

12.根据权利要求11所述的制造显示装置的方法,其中所述堤挡材料包括铜合金,并且所述铜合金通过所述热处理工艺被氧化并转变成铜合金氧化物。

13.根据权利要求11所述的制造显示装置的方法,其中所述堤挡材料包括纯铜,并且所述纯铜通过所述热处理工艺被氧化并转变成铜氧化物。

14.根据权利要求11所述的制造显示装置的方法,其中所述第一堤挡包括铜合金,并且所述第二堤挡包括钛。

15.根据权利要求14所述的制造显示装置的方法,其中所述铜合金为铜镁铝,并且所述铜镁铝中铜的组成比为90at%或更多。

16.根据权利要求11所述的制造显示装置的方法,其中蚀刻所述第三堤挡、所述第二堤挡和所述第一堤挡包括:与蚀刻所述第二堤挡的侧表面相比,更多地蚀刻所述第一堤挡的侧表面,以形成所述第二堤挡的所述尖端结构。

17.根据权利要求11所述的制造显示装置的方法,其中形成所述第一发光层和所述第一有机图案包括:通过所述第二堤挡的尖端切割沉积在所述基板上的有机材料,以将所述有机材料分离成所述第一发光层和所述第一有机图案。

18.根据权利要求11所述的制造显示装置的方法,所述方法进一步包括:

19.根据权利要求18所述的制造显示装置的方法,其中形成所述第一公共电极和所述第一电极图案包括:通过所述第二堤挡的尖端切割沉积在所述基板上的金属材料,以将所述金属材料分离成所述第一公共电极和所述第一电极图案。

20.根据权利要求18所述的制造显示装置的方法,其中形成所述封盖层和所述第一封盖图案包括:通过所述第二堤挡的尖端切割沉积在所述基板上的无机材料,以将所述无机材料分离成所述封盖层和所述第一封盖图案。

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【技术特征摘要】

1.一种显示装置,包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第三堤挡包括铜合金氧化物或铜氧化物。

3.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述铜合金氧化物包括铜镁铝氧化物。

4.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一堤挡包括铜合金,并且所述第二堤挡包括钛。

5.根据权利要求4所述的显示装置,其中所述铜合金包括铜镁铝。

6.根据权利要求5所述的显示装置,其中所述铜镁铝中铜的组成比为90at%或更多。

7.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一堤挡的侧表面从所述第二堤挡的侧表面向内凹陷。

8.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置进一步包括:

9.根据权利要求8所述的显示装置,其中所述第一公共电极和所述第二公共电极通过所述第一堤挡彼此电连接。

10.根据权利要求8所述的显示装置,进一步包括:

11.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:

12.根据权利要求11所述的制造显示装置的方法,其中所述堤挡材料包括铜合金,并且所述铜合金通过所述热处理工艺被氧化并转变成铜合金氧化物。

13.根据权利要求11所述的制造显示装置的方法,其中所述堤挡材料包括纯铜,并且所述纯铜通过所述热处理工艺被氧化并转变成铜氧化物。

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【专利技术属性】
技术研发人员:申铉亿朴俊龙
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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