【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种bcd工艺集成齐纳二极管的制造方法。
技术介绍
1、齐纳二极管(zener diode)是利用其雪崩击穿效应的面接触型晶体二极管，也叫稳压二极管。齐纳二极管是利用pn结工作在反向击穿状态时，击穿电压附近的电流变化很大，电压变化却很小的原理。它是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在反向击穿时，在一定的电流范围内(或者说在一定功率损耗范围内)端电压几乎不变，表现出稳压特性。齐纳二极管的反向电压增加到某个特殊值，对于一个微小偏压的变化，就会使电流产生一个可观的增加。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定。引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压，广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。
2、齐纳二极管在稳压电源中广泛应用于基准电压源或在过电保护电路中作为保护二极管，在低压电路中常常用作电压调节器。同时也用作浪涌保护、过压保护、电弧抑制、串联型稳压，能用在抑制瞬态干扰与抑制极高速度脉冲干扰的场合。齐纳二极管还广泛应用于led发光二极管上，如在制作大功率led时可以并联一个齐纳二极管抗esd，或串联一个齐纳二极管帮助稳压，避免led元件被电流破坏。
3、bcd工艺是一种可以将双极晶体管、cmos和dmos器件同时集成到单芯片上的技术，其基本工序标准化，混合工艺由这些基本工序组合而成，本领域普通技术人员可以根据实际需要增减相应的工艺步骤。
4、在bcd工艺中，现有的集成齐纳二极管的制造方法是先形成bcd器件
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种bcd工艺集成齐纳二极管的制造方法，用于解决现有技术中齐纳二极管的栅极的生长、注入和再结晶过程影响bcd器件的性能的问题。
2、为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种bcd工艺集成齐纳二极管的制造方法，包括：
3、步骤一，提供一衬底，在衬底上形成栅介质层；
4、步骤二，在衬底上形成第一栅极材料层，对第一栅极材料层实施离子注入和再结晶；
5、步骤三，刻蚀第一栅极材料层形成齐纳二极管的栅极后，对衬底实施阱区注入；
6、步骤四，在衬底上形成第二栅极材料层；
7、步骤五，刻蚀第二栅极材料层形成bcd器件的栅极后，在所有栅极的两侧形成侧墙；
8、步骤六，在齐纳二极管的栅极内形成n+注入区和p+注入区。
9、优选的，通过沉积工艺形成栅介质层。
10、优选的，栅介质层的材料为氧化硅。
11、优选的，通过沉积工艺形成第一栅极材料层和第二栅极材料层。
12、优选的，第一栅极材料层和第二栅极材料层的材料为多晶硅。
13、优选的，再结晶过程的温度为900℃-1100℃。
14、优选的，对第一栅极材料层和第二栅极材料层的刻蚀为干法刻蚀。
15、优选的，形成侧墙的步骤包括：通过毯式沉积工艺在衬底上形成侧墙材料层；通过各向异性的刻蚀工艺刻蚀该侧墙材料层。
16、优选的，n+注入区中的掺杂物质包括p、as或sb离子。
17、优选的，p+注入区中的掺杂物质包括b、in、al或ga离子。
18、如上所述，本申请提供的bcd工艺集成齐纳二极管的制造方法，具有以下有益效果：实施bcd器件的阱区注入之前，完成齐纳二极管栅极的生长、注入和再结晶，避免再结晶过程的高温影响bcd器件的性能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种BCD工艺集成齐纳二极管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过沉积工艺形成所述栅介质层。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为氧化硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过沉积工艺形成所述第一栅极材料层和第二栅极材料层。
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述第一栅极材料层和第二栅极材料层的材料为多晶硅。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述再结晶过程的温度为900℃-1100℃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一栅极材料层和第二栅极材料层的刻蚀为干法刻蚀。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述侧墙的步骤包括：通过毯式沉积工艺在所述衬底上形成侧墙材料层；通过各向异性的刻蚀工艺刻蚀所述侧墙材料层。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N+注入区中的掺杂物质包括P、As或Sb离子。
10.根据权利要求1所述的方法，其特
...【技术特征摘要】
1.一种bcd工艺集成齐纳二极管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过沉积工艺形成所述栅介质层。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为氧化硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过沉积工艺形成所述第一栅极材料层和第二栅极材料层。
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述第一栅极材料层和第二栅极材料层的材料为多晶硅。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述再结晶过...
【专利技术属性】
技术研发人员：何兴月，张晗，金锋，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。