射频识别整流器电路制造技术

本发明专利技术公开了一种射频识别整流器电路，在射频识别整流器的天线两端分别设置钳位电路。达到采用５Ｖ的常规器件来承受高达１８Ｖ的感应电压，从而降低了器件的成本，并且增加了器件的安全性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路
，特别设计半导体集成电路中的射频识别整流器电路。
技术介绍
如图l所示，现有的射频识别(Radio Frequency Identification,简称RFID)标 签包含天线、模拟前端、数字处理部分及存储单元。阅读器产生高频的强电磁场，这种磁场 穿过线圈的横截面和线圈周围的空间。因为使用频率范围的(13.56MHz : 22.1m)内的波 长比阅读器天线和应答器之间的距离大许多倍，可以把应答器和天线的距离间的电磁场当 作简单的交变磁场来处理。高频电流流过阅读器电感会在空间中产生磁场，该磁场耦合到 标签上的天线(电感)上，产生互感，通过该互感将阅读器的电流部分耦合到了标签上。将 该电流整流后就可以作为标签的直流电源，将该电流所含的载波信号解调出来就可以激活 特定的标签或单元。 目前的RFID设计如图2所示，在RFID标签的整流器及天线上会感应高达十几之 二十伏的交变电压，因此其中的ESD保护管和整流器M1，M2，M3和M4采用了抗18伏的高压 晶体管电路的设计。设计好的RFID标签是对制造工艺的挑战，因为RFID标签需要极低的 功耗、稳定的直流电源、较大的动态范围等。所有的这些关键指标都与模拟前端密切相关， 因此需要仔细设计模拟前端。目前最大的问题之一是由于在RFID标签的整流器及天线上 会感应高达十几之二十伏的交变电压，而RFID可能是需要有EEPROM的低压制造工艺，通常 为耐高压还需要额外的二十伏的器件来作为模拟前端的整流器器件，这大大增加了成本。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种射频识别整流器电路，能够不需要采用耐压为二十伏的高压器件构成射频接口和模拟前端的整流器器件，降低器件的成本。 为解决上述技术问题，本专利技术射频识别整流器电路的技术方案是，在射频识别整流器的天线两端分别设置钳位电路。 作为本专利技术的进一步改进是，所述钳位电路包括一端与天线相连接的电阻R2，电 阻R2的另一端与晶体管Ml的漏极相连接，晶体管Ml的源极与晶体管M2的漏极相连接，晶 体管M2的源极与晶体管M4的漏极相连接，晶体管M4的源极与晶体管M5的漏极相连接，晶 体管M5的源极与电阻R1相连接，电阻R1的另一端接地，晶体管M6的漏极和栅极与晶体管 Ml的源极相连接，晶体管M6的源极与晶体管M7的漏极相连接，晶体管M7的源极与晶体管 M5的源极相连接，晶体管M7的栅极与晶体管M2的源极相连接，晶体管M3的漏极与天线相 连接，栅极与晶体管M6的源极相连接，源极和衬底接地，晶体管M1、晶体管M2、晶体管M4、晶 体管M5的漏极分别与各自的栅极相连接，并且晶体管Ml、 M2、 M3、 M4、 M5、 M6、 M7的衬底都 接地，天线所接受到的高压感应载波通过电阻R2、晶体管Ml、晶体管M2、晶体管M4、晶体管 M5、电阻R1进行分压，经过分压的电压控制晶体管M6和M7的偏置，最后控制晶体管M3的栅极电压，使晶体管M3在工作时处于饱和区，从而线性控制天线的高压放电。 本专利技术通过在天线的两端各增加一个钳位电路，将高达十几伏的电压降至5伏，不仅能够保护内部器件，而且能够用普通的5V晶体管构成射频识别整流器电路，降低工艺成本，增加电路的安全性。附图说明 下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步详细的说明 图1为现有技术中射频识别标签芯片的结构图； 图2为现有技术中射频识别标签模拟前端中的整流器电路图； 图3为本专利技术射频识别标签中的射频接口和模拟前端结构图； 图4为本专利技术射频识别标签模拟前端中的整流器电路图； 图5为本专利技术中钳位电路图。具体实施例方式如图3所示，本专利技术的射频识别标签整流器电路，在两端的天线分别加上钳位电 路，也成为放电电路。 在天线两端增加的钳位电路具体如图5所示，包括电阻R2，电阻R2的一端与天线 相连接，另一端与晶体管M1的漏极相连接，晶体管M1的源极与晶体管M2的漏极相连接，晶 体管M2的源极与晶体管M4的漏极相连接，晶体管M4的源极与晶体管M5的漏极相连接，晶 体管M5的源极与电阻Rl相连接，电阻Rl的另一端接地，晶体管M6的漏极和栅极与晶体管 Ml的源极相连接，晶体管M6的源极与晶体管M7的漏极相连接，晶体管M7的源极与晶体管 M5的源极相连接，晶体管M7的栅极与晶体管M2的源极相连接，晶体管M3的漏极与天线相 连接，栅极与晶体管M6的源极相连接，源极和衬底接地，晶体管M1、晶体管M2、晶体管M4、晶 体管M5的漏极分别与各自的栅极相连接，并且晶体管Ml、 M2、 M3、 M4、 M5、 M6、 M7的衬底都 接地，天线所接受到的高压感应载波通过电阻R2、晶体管Ml、晶体管M2、晶体管M4、晶体管 M5、电阻Rl进行分压，经过分压的电压控制晶体管M6和M7的偏置，最后控制晶体管M3的 栅极电压，使晶体管M3在工作时处于饱和区，从而线性控制天线的高压放电。 将两个钳位电路分别设置在天线的两端形成本专利技术的射频识别整流器电路，如图 4所示，在一侧天线上由电阻Rl、 R2，晶体管Ml、 M2、 M3、 M4、 M5、 M6、 M7组成钳位电路，另一 侧由电阻Rl' 、 R2'，晶体管Ml' 、 M2' 、 M3' 、 M4' 、 M5' 、 M6' 、 M7'组成钳位电路。其中，包括电 阻R2'，电阻R2'的一端与天线相连接，另一端与晶体管Ml'的漏极相连接，晶体管Ml'的源 极与晶体管M2'的漏极相连接，晶体管M2'的源极与晶体管M4'的漏极相连接，晶体管M4' 的源极与晶体管M5'的漏极相连接，晶体管M5'的源极与电阻R1'相连接，电阻R1'的另一 端接地，晶体管M6'的漏极和栅极与晶体管M1'的源极相连接，晶体管M6'的源极与晶体管 M7'的漏极相连接，晶体管M7'的源极与晶体管M5'的源极相连接，晶体管M7'的栅极与晶 体管M2'的源极相连接，晶体管M3'的漏极与天线相连接，栅极与晶体管M6'的源极相连 接，源极和衬底接地，晶体管Ml'、晶体管M2'、晶体管M4'、晶体管M5'的漏极分别与各自的 栅极相连接，并且晶体管Ml' 、 M2' 、 M3' 、 M4' 、 M5' 、 M6' 、 M7'的衬底都接地，天线所接受到的 高压感应载波通过电阻R2'、晶体管Ml'、晶体管M2'、晶体管M4'、晶体管M5'、电阻Rl'进行4分压，经过分压的电压控制晶体管M6'和M7'的偏置，最后控制晶体管M3'的栅极电压，使 晶体管M3'在工作时处于饱和区，从而线性控制天线的高压放电。 由R2， Ml， M2， M4， M5和Rl构成的感应分压电路按一定的比例输出来控制放电电 路的M3管。通过改变M3晶体管大小和电流来改变整流器得到的负载电流，其中电阻R2起 ESD保护作用。由2个电阻和4个二极管连接的晶体管组成感应电路，通过M6和M7取得 一定区域的分压，再取其中的一个工作点电压来迫使放电的大管子在工作区间内处于饱和 区，达到线性控制高压放电的效果。 如图4所示，所述的整流器电路模块包括晶体管M10、M20、M30、M40，晶体管M40的 漏极与晶体管M20的漏极相连接，并且与天线相连接，晶体管M40的栅极与晶体管MIO的栅 极相连接，并通过一个电阻与天线相连接，晶体管M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频识别整流器电路，其特征在于，在射频识别整流器的天线两端分别设置钳位电路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱红卫，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]